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室温下,通过双核配合物[Cu(dppm)(NO3)]2(dppm=双二苯基膦甲烷)与四苯基硼钠在甲醇和二氯甲烷混合溶剂中反应制备了三核铜(I)配合物[Cu3(dppm)3(NO3)(OH)](NO3),经过红外光谱、热重分析、核磁和ES-MS等现代分析手段表征了配合物的物理化学性质,并进一步研究了配合物在室温下的荧光光谱特征。 相似文献
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用红外光谱法对二苯基膦系列配体及其分别与Cu(BF4)2和Cu(C3H7C00)2形成的系列配位化合物进行了研究,讨论了谱带的归属和Cu(I)配合物形成前后相关谱带的变化规律,并参照元素分析、X—射线粉末衍射分析和热重分析的结果,讨论了所形成配位化合物的可能的结构模式。 相似文献
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在高等学校普通物理实验的讲义或教材中,用一「“形丝(或“曰”形框)测液体表面张力系数时,主要有如下几种方法测量弹簧的伸长量.方法一在弹簧下端挂上“n”形丝,由标尺读出弹簧上端的位置L。(称作零点,以下同),此时的“n”形丝位置称作平衡位置.调节液面高度,使“n”形丝之横丝浸入液内.之后,使液而不停的缓慢下降,同时不断向上提拉弹簧,使“n”形丝在液膜重力与表面张力和弹簧拉力作用下始终停留在平衡位置,直至液膜断裂为止.液膜断裂时刻弹簧上端的读数为人,液膜被拉起的高度为h(以下同).所以弹簧的伸长量为(L;… 相似文献
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N-氰乙基-N-羟乙基苯胺是一种具有广泛用途的染料中间体,针对传统合成方法中的缺陷,以1-丁基-3-甲基咪唑硫酸氢盐([BMIM]HSO 4)为催化剂,丙烯腈和N-羟乙基苯胺为原料,建立了N-氰乙基-N-羟乙基苯胺的绿色合成新工艺。系统考察了离子液体种类、离子液体用量、底物比例等因素的影响规律,结果表明,[BMIM]HSO 4用量为0.8 mmol,n(N-羟乙基苯胺)∶[KG-*3/5]n(丙烯腈)=1∶[KG-*3/5]1.2,反应温度为90℃,反应时间为12 h时,N-氰乙基-N-羟乙基苯胺产率最高(89%),离子液体循环使用5次后,催化活性基本保持不变。 相似文献
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室温下,通过双核配合物[Cu(dppm)(NO3)]2 (dppm=双二苯基膦甲烷)与四苯基硼钠在甲醇和二氯甲烷混合溶剂中反应制备了三核铜(Ⅰ)配合物[Cu3(dppm)3(NO3)(OH)](NO3),经过红外光谱、热重分析、核磁和ES-MS等现代分析手段表征了配合物的物理化学性质,并进一步研究了配合物在室温下的荧光光谱特征。 相似文献
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硼酚醛树脂是一种耐热性极佳的聚合物,但其存在脆性大、易断裂的缺陷。通过引入端羧基丁腈橡胶对硼酚醛树脂进行增韧改性,显著改善了硼酚醛树脂的力学性能。通过傅里叶变换红外光谱对端羧基丁腈橡胶与硼酚醛树脂的反应原理进行了分析,明确了羧基丁腈橡胶与硼酚醛树脂的主要反应过程,为后续的相关研究提供了一定的理论基础。 相似文献
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随着器件尺寸的不断减小,集成度的逐步提高,功耗成为了制约集成电路产业界发展的主要问题之一.由于通过引入带带隧穿机理可以实现更小的亚阈值斜率,隧道场效应晶体管(TFET)器件已成为下一代集成电路的最具竞争力的备选器件之一.但是TFET器件更薄的栅氧化层、更短的沟道长度容易使器件局部产生高的电流密度、电场密度和热量,使得其更容易遭受静电放电(ESD)冲击损伤.此外,TFET器件基于带带隧穿机理的全新工作原理也使得其ESD保护设计面临更多挑战.本文采用传输线脉冲的ESD测试方法深入分析了基本TFET器件在ESD冲击下器件开启、维持、泄放和击穿等过程的电流特性和工作机理.在此基础之上,给出了一种改进型TFET抗ESD冲击器件,通过在源端增加N型高掺杂区,有效的调节接触势垒形状,降低隧穿结的宽度,从而获得更好的ESD设计窗口. 相似文献
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用表面光电压谱和电场诱导表面光电压谱相结合的方法, 研究了酞菁氧钛/N,N-二甲苯基苝酰亚胺复合薄膜的表面光伏行为, 发现加入N,N-二甲苯基苝酰亚胺使复合薄膜在可见光区和近红外光区均产生负的光伏响应, 可归结为光伏极性反转现象. 该响应随着外加偏压方向的改变而改变正负值, 表现出表面态跃迁的特征. 根据N,N-二甲苯基苝酰亚胺n型半导体的性质, 从价带到表面态和从表面态到导带的跃迁能量的差别以及依赖于偏压方向的电场诱导表面光伏响应, 确认表面态来自N,N-二甲苯基苝酰亚胺组分. 相似文献