(Phen)2.5HPW/WO3复合空心微球的制备及光催化性能

通过磷钨酸H3PW12O40(HPW)和邻菲啰啉C12H8N2(Phen)的溶液反应,合成了杂多化合物(C12H8N2)2.5H3PW12O40((Phen)2.5HPW),以WO3空心微球为载体,负载杂多化合物(Phen)2.5HPW,制备了(Phen)2.5HPW/WO3复合空心微球.用等离子体原子发射光谱(ICP...     

(Phen)2.5HPW/WO3复合空心微球的制备及光催化性能

通过磷钨酸H3PW12O40(HPW)和邻菲啰啉C12H8N2(Phen)的溶液反应,合成了杂多化合物(C12H8N2)2.5H3PW12O40((Phen)2.5HPW),以WO3空心微球为载体,负载杂多化合物(Phen)2.5HPW,制备了(Phen)2.5HPW/WO3复合空心微球.用等离子体原子发射光谱(ICP-AES)、元素分析(EA)、热重-差热分析(TG-DTA)、傅里叶变换红外光谱(FTIR)、扫描电子显微镜(SEM)、紫外-可见漫反射吸收光谱(UV-vis DRS)对样品进行了表征.在高压汞灯照射下,研究了杂多化合物(Phen)2.5HPW、WO3空心微球和(Phen)2.5HPW/WO3复合空心微球对甲基橙水溶液的光催化降解活性,结果表明,(Phen)2.5HPW/WO3复合空心微球的光催化活性高于单独的杂多化合物(Phen)2.5HPW和WO3空心微球,催化剂易于回收,光催化性能稳定.     

隧道场效应晶体管静电放电冲击特性研究

随着器件尺寸的不断减小,集成度的逐步提高,功耗成为了制约集成电路产业界发展的主要问题之一.由于通过引入带带隧穿机理可以实现更小的亚阈值斜率,隧道场效应晶体管(TFET)器件已成为下一代集成电路的最具竞争力的备选器件之一.但是TFET器件更薄的栅氧化层、更短的沟道长度容易使器件局部产生高的电流密度、电场密度和热量,使得其更容易遭受静电放电(ESD)冲击损伤.此外,TFET器件基于带带隧穿机理的全新工作原理也使得其ESD保护设计面临更多挑战.本文采用传输线脉冲的ESD测试方法深入分析了基本TFET器件在ESD冲击下器件开启、维持、泄放和击穿等过程的电流特性和工作机理.在此基础之上,给出了一种改进型TFET抗ESD冲击器件,通过在源端增加N型高掺杂区,有效的调节接触势垒形状,降低隧穿结的宽度,从而获得更好的ESD设计窗口.     

磷钨酸和邻菲哕啉杂多化合物的合成及光催化性能

通过磷钨酸(H3 PW12O40·xH2O)和邻菲罗啉(C12H8N2·H2O)的溶液反应合成了Keggin结构杂多化合物(C12H8N2)2.5·H3PW12O40,用电感耦合等离子体原子发射光谱(ICP-AES)、元素分析(EA)、热重-差热分析(TG-DTA)、傅里叶变换红外光谱(FT-IR)、X射线衍射(XRD...     

铁-谷氨酸-硅钨酸三元配合物作为高活性非均相类Fenton催化剂降解4-氯酚

Fenton氧化法通过Fe2+离子催化分解H2O2产生羟基自由基,能够氧化降解绝大多数有机污染物.但是传统的均相Fenton氧化法使用高浓度二价铁盐作为催化剂,催化剂不便于回收利用,而且还会引发新的环境问题.另外,均相Fenton氧化法通常需要在pH约为3的酸性条件下进行,在较高pH条件下,有机物氧化降解速率降低,同时铁盐水解产生铁泥.文献报道了一些含铁固体材料作为非均相类Fenton催化剂,能够解决催化剂回收和重复利用问题,但是许多固体催化剂仍然只在酸性条件下表现出较高催化活性.多金属氧簇是除过渡金属氧化物之外的一类光催化剂.近年来,多金属氧簇在Fenton氧化过程中的应用开始受到关注.可以预计,含铁的多金属氧簇固体化合物有可能同时具有类Fenton催化活性和光催化活性.本文以三价铁盐(FeI I)、谷氨酸(Glu)和硅钨酸(SiW)为原料在水溶液中合成了一种不溶性的三元固体配合物FeШGluSiW,并用电感耦合等离子体原子发射光谱(ICP-AES)、热重分析(TG)、傅里叶变换红外光谱(FT-IR)、紫外-可见漫反射光谱(UV-vis DRS)、X射线衍射(XRD)和场发射扫描电镜(FE-SEM)对FeШGluSiW进行了表征.根据ICP-AES, TG和FT-IR结果推断, FeШGluSiW可能的化学组成为[Fe(C5H8NO4)(H2O)]2SiW12O40·13H2O,其中含有铁、谷氨酸根单元和Keggin结构的SiW12O404?阴离子. FE-SEM和XRD测试结果表明, FeШGluSiW是由结晶度较低、尺寸为100–200 nm的无规则颗粒组成,并含有无定形相.通过考察在自然初始pH 6.5条件下100 mg/L 4-氯酚(4-CP)在FeШGluSiW(1.0 g/L)/H2O2(20 mmol/L)体系中的氧化降解反应,我们发现在暗态和光照条件下,4-CP完全降解所需时间分别为40和15 min,延长反应时间至2 h,总有机碳(TOC)去除率分别达到27%和72%.结果表明, FeШGluSiW具有很高的催化活性,而且在光照条件下活性更高.进一步研究发现, FeШGluSiW在pH 3–6.5范围内均表现出高的催化活性,而且在酸性条件下活性更高.用ICP-AES测定Fe元素在溶液中的析出量,证实4-CP氧化降解主要发生在固体催化剂表面.在反应体系中加入正丁醇能显著抑制4-CP降解,说明4-CP降解反应涉及羟基自由基的氧化作用.在光照反应条件下,催化剂颜色明显变深,表明光照条件下的反应机理涉及催化剂中SiW12O404?阴离子的还原.考虑到催化剂中含有谷氨酸根和SiW12O404?杂多阴离子,推测H2O2有可能通过氢键吸附于催化剂表面,这可能是FeШGluSiW表现出高催化活性的重要原因.结合文献报道的含铁固体材料类Fenton催化机理和多金属氧簇光催化机理,可以很好地解释4-CP降解反应实验结果.在暗态条件下, FeШGluSiW的催化机理归因于催化剂表面FeII的氧化还原循环FeII?FeI,即H2O2分子在催化剂表面分解产生羟基自由基,从而导致4-CP氧化;而在光照条件下,除了催化剂中FeI I的类Fenton催化作用之外,催化剂中SiW12O404?杂多阴离子的光催化作用同时发生,导致4-CP降解速率加快.在光催化过程中,4-CP可以被激发态SiW12O404?直接氧化,也可以被激发态SiW12O404?与H2O相互作用产生的羟基自由基氧化.被还原的杂多阴离子可以被O2氧化,也可以被H2O2氧化,因而H2O2的存在也促进了FeШGluSiW的光催化作用.     

Structure-dependent behaviors of diode-triggered silicon controlled rectifier under electrostatic discharge stress

The comprehensive understanding of the structure-dependent electrostatic discharge behaviors in a conventional diode-triggered silicon controlled rectifier(DTSCR) is presented in this paper. Combined with the device simulation, a mathematical model is built to get a more in-depth insight into this phenomenon. The theoretical studies are verified by the transmission-line-pulsing(TLP) test results of the modified DTSCR structure, which is realized in a 65-nm complementary metal–oxide–semiconductor(CMOS) process. The detailed analysis of the physical mechanism is used to provide predictions as the DTSCR-based protection scheme is required. In addition, a method is also presented to achieve the tradeoff between the leakage and trigger voltage in DTSCR.     

Qp=ΔH和δQp=dH成立的压力条件

阐述了热力学中系统压力与外压、恒压过程与等压过程的联系和区别,讨论了Qp=ΔH和δQp=dH成立的压力条件。结论是:Qp=ΔH成立的条件是系统压力允许波动的等压过程,而δQp=dH成立的条件是系统压力不允许波动的恒压过程。