共查询到20条相似文献,搜索用时 453 毫秒
1.
通过血红素上羧基与端氨基聚乳酸上的氨基之间进行酰胺化反应,制得了血红素-聚乳酸分子.利用六氟异丙醇与端羧基反应生成六氟异丙醇酯,结合19F NMR峰面积积分的方法测定羧基含量,以荧光胺作为荧光试剂,采用荧光光谱法测定伯胺端基.进而,采用端基分析方法计算了血红素-聚乳酸的数均分子量,检测了血红素与聚乳酸1∶1和1∶2投料... 相似文献
2.
采用傅里叶变换红外测试氧化淀粉中的羧基含量,以国标法测得的羧基含量为纵坐标,谱图中羰基吸光度与C—H键吸光度比值为横坐标绘制得到标准曲线。对未知氧化淀粉产物进行红外测试,得到吸光度比值通过标准曲线方程,计算其羧基含量,得到的羧基含量与采用国标法测试的羧基含量进行对比,误差在2%~4%之间。为了提高实验的准确度,选取标样绘制标准曲线时,必须保证待测氧化淀粉的羧基含量在标准曲线计算的极限值范围之内,且偏离标准曲线的极限值。与国标法测试羧基含量相比,采用红外测试,方法简单易操作,效率高,准确度好。因此采用红外光谱测试方法对氧化淀粉的羧基含量的预测具有一定重要意义。 相似文献
3.
在机组运行过程中,硼表硼浓度与化学分析硼浓度会出现一定偏差,根据秦山第二核电厂几台机组的实际运行数据整理出该硼浓度偏差的具体数据,并通过对比对应时间内的10B丰度变化情况,分析10B丰度变化对该偏差的影响,得出该偏差主要是受10B变化的影响且在机组寿期中达到最大的结论,并针对该现象对机组运行提出建议。同时采用ORIENT对考虑了10B丰度变化的理论硼浓度进行计算,并通过与化学分析硼浓度的对比得出该计算结果是可靠的,由此可以更加准确地预测、跟踪计算堆芯硼浓度的变化。 相似文献
4.
利用氨基胍碳酸氢盐与草酸反应合成5-羧基-3-氨基-1,2,4-三氮唑,然后用5-羧基-3-氨基-1,2,4-三氮唑与芳香醛反应,合成了2种5-羧基-3-氨基-1,2,4-三氮唑芳香醛席夫碱,通过元素分析,红外光谱和紫外光谱对产物的结构进行了表征. 相似文献
5.
以大孔聚丙烯醛-苯乙烯-二乙烯苯三元共聚物树脂为高分子骨架,通过其含有的活泼醛基与邻羧基苯肼螯合剂进行高分子反应合成了一种含羧基及氮配位原子的螯合树脂——聚丙烯醛-邻羧基苯腙,用元素分析及红外光谱对其结构进行了鉴定,并用电感耦合等离子体发射光谱研究了其对贵金属离子的吸附性能,结果表明该树脂对金、钯及铂具有选择性吸附作用,吸附容量分别为1.98,0.31及0.16mmol·g~(-1)。 相似文献
6.
7.
8.
基于结构性能定量关系研究思路,把理化性质参量折射率和密度与物质结构参量摩尔折射度以及成分参量掺硼量联系起来,构建了反映物质结构、成分与性质之间关系的数学模型,模拟计算掺硼应力棒中掺硼量.通过实验数据计算出了B_2O_3和SiO_2在掺硼应力棒中的摩尔折射度分别为10.546 13和7.373 32.对该数学模型和计算结果进行了验证,掺硼量计算值与实测值的相对误差在0.5%以内,表明该数学模型的精度高,能够满足生产实践中掺硼应力棒中掺硼量的估算. 相似文献
9.
为了分析高能激光对鳞片石墨改性酚醛树脂涂层的损伤机理,本文采用激光辐照方法研究激光对该涂层的损伤过程。首先,制备出纯酚醛树脂涂层和鳞片石墨改性酚醛树脂涂层,使用不同的激光参数进行激光辐照实验,根据损伤区域形貌和损伤面积分析鳞片石墨的对涂层的改性作用,分析损伤区域微观形貌和内部残炭的石墨化程度,通过对损伤中心进行三维成像来分析烧蚀凹坑的尺寸与烧蚀深度。最后,根据不同颜基比涂层在激光辐照过程中损伤区域的面积和显微形貌,分析了颜基比对激光损伤涂层过程的影响。分析结果表明:酚醛树脂经激光辐照后会裂解生成石墨化程度不同的残炭,经鳞片石墨添加改性后,损伤区域的面积相比于纯酚醛树脂涂层最大可增加35 mm2。由此可知鳞片石墨的添加改性增强了涂层的横向散热能力,但过高的颜基比会使具有粘附作用的残炭生成量减少,进而导致鳞片石墨脱落明显,涂层损伤严重。 相似文献
10.
在水-乙醇溶液中合成了稀土离子(RE=La, Nd, Eu, Tb, Er, Y)与3-硝基邻苯二甲酸(H2L)的晶体化合物,并通过元素分析、红外光谱、紫外光谱、差热-热重分析对系列配合物RE2L2(HL)2(H2O)6·2H2O进行了系统的研究与表征。谱学研究结果与通过X衍射表征的晶体结构数据是一致的。配体3-硝基邻苯二甲酸具有两种配位模式。两个全脱质子的配体L2-以桥联-螯合形式与两个稀土离子配位,而另两个单脱质子的配体HL-利用其酸根(—COO-)和羧基(—COOH)分别与金属离子以端基螯合形式配位。红外数据证实了羧酸根(—COO-)和羧基(—COOH)的存在以及羧基(—COOH)与结晶水之间的氢键作用。差热-热重数据与化合物的组成结构非常吻合,配合物中的结晶水和配位水在150 ℃左右开始失去并吸热,配体则在400 ℃左右开始氧化分解。 相似文献
11.
12.
13.
为研制高灵敏度气体绝缘组合开关(GIS)特征气体检测传感器,利用密度泛函理论方法,采用分子模拟软件对GIS特征气体(SO_2,SOF_2,SO_2F_2,CF_4)在异性官能团(羟基、羧基与氨基)修饰石墨烯表面的吸附过程进行模拟计算,从微观角度研究了GIS特征气体在异性官能团修饰石墨烯表面的吸附机理.首先计算了各吸附体系的吸附能、净电荷转移量以及态密度,比较了羟基与羧基修饰石墨烯对GIS特征气体的吸附能力;再通过分子前线轨道与能隙对吸附能力强弱的机理进行了研究,得出强吸附修饰官能团的规律性特征,并通过氨基石墨烯进行验证.结果表明:羧基与羟基修饰石墨烯能够有效提高对SO_2,SOF_2,SO_2F_2的吸附能力,但羧基石墨烯对GIS特征气体的整体吸附能力更强;异性官能团修饰石墨烯后的能隙及其与气体分子前线轨道能量差越小,对GIS特征气体吸附能力就越强,异性官能团修饰石墨烯的能隙与前线轨道能量差可以作为选择特征气体敏感材料的依据. 相似文献
14.
15.
汤光平 《工程物理研究院科技年报》2003,(1):184-185
通过对#20低碳钢和5CrNiMo模具钢渗硼后进行激光重熔,分析渗硼剂成份对渗硼层深度和硬度、激光工艺方案对重熔层深度和微观硬度的影响,研究了重熔后表面渗硼层组织结构和形态、合金元素的分布、表面脆性、抗热冲击性能、耐磨性能的变化趋势和原因。 相似文献
16.
通过荧光光谱法,研究了在模拟生理条件下,二茂铁-碳硼烷衍生物(FcSB1,FcSB2和FcSBCO)、芳烃钌(Ⅱ)-碳硼烷衍生物(RuBFc和RuBCOOH)与牛血清白蛋白(BSA)之间的相互作用。结果表明,五种碳硼烷衍生物与BSA形成非荧光性复合物而猝灭了BSA的荧光。二茂铁-碳硼烷衍生物FcSB1,FcSB2和FcSBCO显著地影响BSA的构象,使BSA的三级结构变得更紧凑,并显著使酪氨酸残基附近微环境的极性(位于ⅠA,ⅠB和ⅡA结构域)降低,疏水性增强。而芳烃钌(Ⅱ)-碳硼烷衍生物RuBFc和RuBCOOH对BSA构象的影响小于二茂铁-碳硼烷衍生物。揭示了新型金属碳硼烷衍生物对蛋白结构和构象的影响,为含碳硼烷、二茂铁等多功能基团的新型药物的设计与筛选提供一定的实验依据。 相似文献
17.
硼的径迹显微照相技术是检测材料中微量硼的含量与分布的有效的手段.本文开发建立了Windows环境下对硼径迹显微照片进行图像转换处理和定量测量的软件,利用该软件能够快速处理测量大批量硼径迹显微照片,测量结果的准确性和重复性良好. 相似文献
18.
《原子与分子物理学报》2021,(2)
为研制高灵敏度气体绝缘组合开关(GIS)特征气体检测传感器,利用密度泛函理论方法,采用分子模拟软件对GIS特征气体(SO_2,SOF_2,SO_2F_2,CF_4)在异性官能团(羟基、羧基与氨基)修饰石墨烯表面的吸附过程进行模拟计算,从微观角度研究了GIS特征气体在异性官能团修饰石墨烯表面的吸附机理.首先计算了各吸附体系的吸附能、净电荷转移量以及态密度,比较了羟基与羧基修饰石墨烯对GIS特征气体的吸附能力;再通过分子前线轨道与能隙对吸附能力强弱的机理进行了研究,得出强吸附修饰官能团的规律性特征,并通过氨基石墨烯进行验证.结果表明:羧基与羟基修饰石墨烯能够有效提高对SO_2,SOF_2,SO_2F_2的吸附能力,但羧基石墨烯对GIS特征气体的整体吸附能力更强;异性官能团修饰石墨烯后的能隙及其与气体分子前线轨道能量差越小,对GIS特征气体吸附能力就越强,异性官能团修饰石墨烯的能隙与前线轨道能量差可以作为选择特征气体敏感材料的依据. 相似文献
19.
FeNiMnCo-C体系中,在压力6.5 GPa、温度1280—1300℃的极端物理条件下,采用温度梯度法成功合成了硼(B)、硫(S)协同掺杂金刚石大单晶.通过傅里叶红外光谱测试对高温高压所制备金刚石中的杂质进行了表征.借助霍尔效应对典型金刚石样品的电输运性能进行了测试,测试结果表明:硼硫协同掺杂有利于提高p型金刚石的电导率,而且硼硫在合成体系中的添加比例可以决定金刚石的p, n特性.此外,第一性原理计算结果表明,合成体系中不同比例的硼硫协同掺杂对金刚石的p, n特性以及电导率有着直接的影响,计算结果与实验测试结果相吻合. 相似文献
20.
利用化学气相沉积法(CVD)在多晶Al2O3衬底上制备出了系列MgB2超导薄膜,研究了前驱硼膜沉积时间对MgB2薄膜超导特性的影响,通过XRD、SEM和R-T曲线对超导MgB2薄膜进行了表征。延长前驱硼膜的沉积时间,得到的硼膜结晶度越高,结构更致密。经退火后制备的MgB2薄膜表面富余的Mg可以改善晶粒间的连接,提升T c值。该实验沉积10min前驱硼膜得到的MgB2超导薄膜T c值为34K,且超导转变宽度比较窄。延长前驱硼膜沉积时间到15min后,薄膜的T c值降低,这是由于前驱硼膜较多,Mg和硼反应不充分所导致的。 相似文献