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1.
对微结构的制作、微装配系统进行了研究. 采用飞秒激光双光子聚合微加工技术制作有底座、精细的三维立体“拱形”微结构, 其高250μm、长300μm、厚50μm. 将此微结构与实验室自主搭建的二维微装配平台相结合, 利用自主编程的人机交互界面驱动步进电机, 远程操控微装配设备; 将荧光闪烁陶瓷粉末装配到微结构中, 对装配后的微结构进行荧光光谱表征发现, 纯荧光粉末和微结构中的荧光粉末的发射光谱在测量误差范围内基本一致, 表明荧光粉末的光学性质未发生改变. 利用该装置可以将各类微纳米级材料和微结构进行装配, 形成含有不同材料的微结构系统. 相似文献
2.
龚演 郭景文 李佳恒 朱科静 廖孟涵 刘效治 张庆华 谷林 唐林 冯硝 张定 李渭 宋灿立 王立莉 于浦 陈曦 王亚愚 姚宏 段文晖 徐勇 张首晟 马旭村 薛其坤 何珂 《中国物理快报》2019,(7)
An intrinsic magnetic topological insulator(TI) is a stoichiometric magnetic compound possessing both inherent magnetic order and topological electronic states. Such a material can provide a shortcut to various novel topological quantum effects but remained elusive experimentally for a long time. Here we report the experimental realization of thin films of an intrinsic magnetic TI, MnBi_2Te_4, by alternate growth of a Bi_2Te_3 quintuple layer and a MnTe bilayer with molecular beam epitaxy. The material shows the archetypical Dirac surface states in angle-resolved photoemission spectroscopy and is demonstrated to be an antiferromagnetic topological insulator with ferromagnetic surfaces by magnetic and transport measurements as well as first-principles calculations. The unique magnetic and topological electronic structures and their interplays enable the material to embody rich quantum phases such as quantum anomalous Hall insulators and axion insulators at higher temperature and in a well-controlled way. 相似文献
3.
本文采用直接熔渗法制备二硅化钼-碳化硅(MoSi2-SiC)复合材料.以碳化硅(SiC)(粒度为0~2.5 mm、≤240目)为主要原料,水溶性树脂为结合剂,经混炼、成型、烘干后得到SiC坯体,再用二硅化钼(MoSi2)(D50 =3μm)粉末掩埋SiC坯体,在真空条件下2000℃保温3h进行熔渗烧结,制备出MoSi2-SiC复合材料.采用阿基米德排水法研究了MoSi2-SiC复合材料的显气孔率、体积密度;采用三点抗弯法测试了MoSi2-SiC复合材料1400℃抗折强度;采用热线法测试了MoSi2-SiC复合材料导热系数;采用X射线衍射测试了MoSi2-SiC复合材料的物相组成;采用SEM测试了MoSi2-SiC复合材料的显微结构;分别采用风冷法和水冷法对比研究了MoSi2-SiC复合材料、重结晶碳化硅(R-SiC)、氮化硅-碳化硅(Si3N4-SiC)三种材料抗热震性.结果表明:MoSi2在烧结过程中部分发生分解,生成了Mo5Si3,MoSi2、Mo5Si3填充于SiC的内部并实现烧结致密化,使MoSi2-SiC复合材料的显气孔率显著降低至5.7;,体积密度为3.59 g.cm-3.MoSi2-SiC复合材料中MoSi2、Mo5Si3含量分别为10wt; ~ 15wt;、3wt; ~ 5wt;.1000℃下MoSi2-SiC的导热系数为46.5W·m-1 ·K-1,显著高于R-SiC(28.3 W.m-1.K-1)材料、Si3N4-SiC(16.8 W.m-1.K-1)材料.综上所述,MoSi2-SiC复合材料的抗热震性能显著优于R-SiC材料、Si3N4-SiC材料. 相似文献
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5.
Modeling and character analyzing of multiple fractional-order memcapacitors in parallel connection 下载免费PDF全文
Recently,the memory elements-based circuits have been addressed frequently in the nonlinear circuit theory due to their unique behaviors.Thus,the modeling and characterizing of the mem-elements become essential.In this paper,the analysis of the multiple fractional-order voltage-controlled memcapacitors model in parallel connection is studied.Firstly,two fractional-order memcapacitors are connected in parallel,the equivalent model is derived,and the characteristic of the equivalent memcapacitor is analyzed in positive or negative connection.Then a new understanding manner according to different rate factor K and fractional orderαis derived to explain the equivalent modeling structure conveniently.Additionally,the negative order appears,which is a consequence of the combination of memcapacitors in different directions.Meanwhile,the equivalent parallel memcapacitance has been drawn to determine that multiple fractional-order memcapacitors could be calculated as one composite memcapacitor.Thus,an arbitrary fractional-order equivalent memcapacitor could be constructed by multiple fractional-order memcapacitors. 相似文献
6.
内函数逼近定理及上溢原理的推广及应用 总被引:1,自引:0,他引:1
在κ-饱和的非标准模型中,首先推广了内函数逼近定理,并用这一推广定理证明了著名的A sco li定理;其次将上(下)溢原理推广到一般的定向集上,并证明了拓扑空间中单子的一些性质,给出了无穷小延伸定理的一个简单证明. 相似文献
7.
采用紫外荧光光谱法测定焦炉气制取液化天然气的原料气中痕量总硫,考察了样品引入速率、进样量、气体流量、燃烧温度、取样方式和进样方式等条件对分析结果的影响。总硫检出限为15μL·m-3,测定结果与气相色谱法和微库仑法的结果相吻合,测定值的相对标准偏差(n=7)小于10%。 相似文献
8.
为实现对未来远程太赫兹雷达的高效对抗与隐身,针对典型太赫兹雷达工作频率设计了一种石墨烯太赫兹宽带吸波结构。宽带吸波结构以表层金属层/石墨烯层/介质层/底层金属层为基本吸波结构单元,利用遗传算法对双尺度基本吸波结构单元进行4分离层优化设计,确定宽带吸波结构的各层结构参数。仿真结果表明:宽带吸波结构在0.138 THz~2 THz频率范围内吸收效率优于80%,在0.157 THz~2 THz频率范围内吸收效率优于97.46%,典型太赫兹雷达工作频率处吸收效率均优于92.27%,满足太赫兹雷达对抗与隐身要求。 相似文献
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