电致发光色纯性增强的硅基有机微腔

报道了硅基有机微腔的电致发光（EL）.该微腔由上半透明金属膜、中心有源多层膜和多孔硅分布Bragg反射镜（PS DBR）组成.半透明金属膜由Ag（２０nm）构成，充当发光器件的负电极和微腔的上反射镜.有源多层膜由Al (1 nm) / LiF(05 nm) /Alq3/Alq3:DCJTB/NPB/CuPc/ITO/SiO2组成，其中的Al/LiF为电子注入层，ITO为正电极，SiO2为使正、负电极电隔离的介质层.该PS DBR是采用设备简单、成本低廉且非常省时的电化学腐蚀法用单晶Si来制备的；该PS 关键词： 电化学腐蚀 电致发光 窄峰发射 硅基有机微腔     

固相反应法合成黄铜矿型CuInSe2多晶粉末及其蒸发薄膜的光电性能分析

本文用室温固相反应法和真空蒸发法分别合成了黄铜矿型CuInSe-2多晶粉末和制备了富Cu的Cu-xIn-{l-x}Se-2薄膜用XRD,ICP HALL和UVVIS波段光透射技术分别测量了样品的原子结构,化学成分及光电性能发现在两元固相反应中,InSe反应很不完全而CuSe就不能反应,而三元固相反应的粉末样品中即使有些杂质,但黄铜矿型CuInSe-2的衍射峰非常突出,而且所得粉末样品都是富Cu的,说明在固相反应过程中In有损失化学配比固相反应合成的样品在基片温度较低时其真空蒸发薄膜是非晶,高温时则是择优取向非常明显的多晶样品的禁带宽度变化不大(1.47~{1.58}eV)不同配比样品在基片温度300℃时蒸发样品的禁带宽度变化很大(1.58~1.97eV),而且电学数据变化也较大,霍尔迁移率从几十到几百cm 2/V.s,面载流子浓度从10 6到10 9/cm 2     

A Stable Porous Silicon Dielectric Reflector with a Photonic Band Gap Centred at 10μm

By pulsed anodic etching at low temperature, we prepared a porous silicon reflector with a photonic band gap centred in the long-wavelength infrared spectral region （centred at about 12 μm）. After proper oxidation process, the stable reflector structure, which can reflect electromagnetic wave from 8 μm to 12 μm （centred at 10 μm） within wide incidence angles （about 50°）, is obtained. The wavelength shift of absorption peak of Si-H and Si-O shows the influence of oxidation process and indicates the stability of oxidized porous silicon dielectric reflector, which offers possible applications for the room temperature infrared sensor.     

一维多孔硅声子晶体的带隙研究

多孔硅的力学性质随多孔度有较大变化,因此可以用多孔硅材料来构建声子晶体结构.本文将在理论上讨论一维多孔硅声子晶体的带隙,设计出宽禁带声子晶体结构,分析其相关的物理特性.计算结果表明薄的高孔度插入层将获得宽的带隙,而声子晶体异质结能够获得更宽带隙.     

掺铒硅多孔化后的光致发光特性

采用一种新的方法制备掺Er多孔硅.首先通过分子束外延法生长Er,O共掺的硅外延层,然后通过常规的电化学阳极腐蚀法将外延层制备成掺Er离子的纳米硅柱结构.由于实现了Er离子在多孔硅中沿深度方向的均匀分布,得到峰宽仅6nm的Er3+本征发光.同时,由于铒与氧共掺于硅柱内部,多孔硅不再需要通过高温后处理引入氧来实现铒的光学激活.实验还对多孔化前后,Er3+的发光强度作出直观的比较,讨论多孔硅可见光及红外光区域的发光对Er3+红外发射的影响. 关键词：     

固相法合成黄铜矿型CuInSe2多晶粉末及其蒸发薄膜的光电.

本语文用室温固相反应法和真空蒸发法分别合成了黄铜矿型ＣｕＩｎＳｅ２多晶粉杯和制备了富Ｃｕ的ＣｕｘＩｎ１－ｘＳｅ２薄膜，用ＸＲＤ，ＩＣＰ，ＨＡＬＬ和ＵＶ－ＶＩＳ波段光透射分别测量了样品的原子结构，化学成分及光电性能，发现在两元固相反应中，Ｉｎ－Ｓｅ反应很不完全而Ｃｕ－Ｓｅ就不能反应，而三元固相反应的粉末样品中即使有些杂质，但黄铜矿型ＣｕＩｎＳｅ２的衍射峰非常突出，而且所得粉末样品都是富Ｃｕ的，说明在     

An Array of One-Dimensional Porous Silicon Photonic Crystal Reflector Islands for a Far-Infrared Image Detector

With the aid of photolithography, an array of one-dimensional porous silicon photonic crystai reflector islands for a far infrared image detector ranging from 10 μm to 14 μm is successfully fabricated. Silicon nitride formed by low pressure chemical vapor deposition （LPCVD） was used as the masking layer for the island array formation. After etching, the microstructures were examined by a scanning electron microscope and the optical properties were studied by Fourier transform infrared spectroscopy, the result indicates that the multilayer structure could be obtained in the perpendicular direction via periodically alternative etching current in each pre-pattern. At the same time, the island array has a well-proportioned lateral etching effect, which is very useful for the thermal isolation in lateral orientation of the application in devices. It is concluded that regardless of the absorption of the deposition layer on the substrate, the localized photonic crystalline islands have higher reflectivity. The designed islands structure not only prevents the cracking of the porous silicon layers but is also useful for the application in the cold part for the sensor devices and the iliterconnection of each pixel.     

硒化共溅射Cu—In合金法制备CuInSe2多晶薄膜

用共溅射方法和固态源硒化方法,分别合成了Cu-In合金膜和CuIn(CIS）多晶薄膜,并用XRD,SEM和霍尔效应测量技术,分别测量了两种薄膜的结构、表面形貌春电学性质,分析结果,Cu-In合金膜仅有单峰,晶面间距约2．13A,CIS薄膜的几个主峰与PDF卡中的数据对应得好,并且（112）峰有择优取向,CIS样品的电学参数随着Cu/In比例和基片种类的不同而变化,而电阻从几个到几十个Ω／□,面载流子浓度达10^18/cm^2数量级,迁移率在0．1－3．0cm^2/V.s之间,并讨论了Cu/In比例对两种薄膜性质的影响,分析结果显示,In占总溅射面积的3％是Cu/In比例的转折点,此时,CIS薄膜的结构、PN导电类型都有明显变化,而且用扫描电镜形貌分析也证明了这一点。     

共溅射法制备Cu-In合金膜及电学性能分析

采用共溅射方法制备了Cu-In合金膜，并讨论了Cn-In合金膜的结构、电学性能以及溅射时间对Cu-In合金膜的结构及电学性能的影响，结果显示，Cu－In合金膜仅有单峰、多晶晶面间距不随着膜厚的增加而改变，用费－桑理论对Cu-In合金膜的电学性质进行了分析，临界厚度的讨论结果表明，溅射3－4min是面电阻的转变点，而电学参数分析也给出相同的结果。     

射频溅射Indium-Tin-Oxide薄膜的结构和光电性质HT5"H

用磁控射频溅射方法制备 Indium- Tin- Oxide(ITO)薄膜 ,研究了基片温度对薄膜结构、光、电性质的影响 .基片温度 41 0°时 ,结晶最好 ,相应的电学性质最优 ,并且解释了电学性质随结构变化的微观原因 .样品在可见光谱区的平均透过率超过 80 % ,受基片温度影响不大 ,确定薄膜的光能隙为 3.55ev