| 一维多孔硅声子晶体的带隙研究 |
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| 引用本文： | 徐冰茹,徐少辉,王连卫.一维多孔硅声子晶体的带隙研究[J].人工晶体学报,2012,41(5). |
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| 作者姓名： | 徐冰茹 徐少辉 王连卫 |
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| 作者单位： | 华东师范大学电子工程系,上海,200241 |
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| 基金项目： | 上海自然科学基金，国家自然科学基金，国际合作项目，上海市基础重点项目 |
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| 摘 要： | 多孔硅的力学性质随多孔度有较大变化,因此可以用多孔硅材料来构建声子晶体结构.本文将在理论上讨论一维多孔硅声子晶体的带隙,设计出宽禁带声子晶体结构,分析其相关的物理特性.计算结果表明薄的高孔度插入层将获得宽的带隙,而声子晶体异质结能够获得更宽带隙.
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| 关 键 词： | 多孔硅 声子晶体 带隙 |
Study on Band Gap of One-dimensional Porous Silicon Phononic Crystal |
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| XU Bing-ru
,
XU Shao-hui
,
WANG Lian-wei.Study on Band Gap of One-dimensional Porous Silicon Phononic Crystal[J].Journal of Synthetic Crystals,2012,41(5). |
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| Authors: | XU Bing-ru XU Shao-hui WANG Lian-wei |
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