电致发光加速层二氧化硅的电子高场迁移率

根据非晶态半导体的能带理论，讨论了分层优化薄膜电致发光方案中非晶二氧化硅加速层中的电子在高电场中的输运行为.研究结果表明：在高电场下，由于电场的存在降低了陷阱之间的平均势垒高度.在费密能级附近处的杂质及缺陷定域态和导带尾定域态中，电子的输运主要表现为电场增强的热辅助式跳跃传导；而在导带扩展态中，电子的输运仍像晶态半导体那样表现为共有化运动.此外，以实验数据为基础，计算出了非晶二氧化硅中电子的迁移率、最小金属电导率、导带迁移率边界状态密度及费密能级处的状态密度. 关键词：     

叶绿素A较高激发态的发光

采用激发样品表层和样品中心两种激发方式,在300K和77K温度下研究叶绿素A(Chla)的较高激发行为,观测到峰值位于493、520和580nm三条新的荧光发射带.分别测量它们的荧光激发光谱,证明这三条新的荧光带属于Chla的第二激发单线态向基态的不同振动能级的辐射跃迁发光.最后提出电子跃迁模型,同时进行了讨论.     

稀土配合物Tb(3-metho)3phen掺杂的有机电致发光

合成了一种新型稀土配合物Tb(3-metho)3phen，将其掺杂到导电聚合物PVK中改善了配合物的成膜性和导电性，并对掺杂薄膜进行了荧光，电致发光和形貌的研究，实验表明，存在聚合物到稀土配合物的能量传递，利用能量传递我们得到了窄谱带的绿色有机薄膜电致发光器件。     

Eu-TTA复合体系荧光发光与电致发光性能研究

本文合成了Ｅｕ－ＴＴＡ复合体系了其性能,该材料有大的应用前景。     

我国发光学的研究现状

本文以国际科技发展为背景，介绍了我国发光学在物理、材料、器件及应用方面的工作．在结合实际力面（包括应用基础研究），我们虽然影响还小，但已有特点，唯独在基础研究方面逊色明显，而它却孕育着高技术．     

Sm离子在SrS∶Eu，Sm电子俘获过程中的作用

测量了SrS∶Eu,Sm的吸收光谱在陷阱饱和与倒空状态下的差异,由此讨论了在陷阱饱和时不同能量位置空穴和电子的分布,通过在近红外区Sm³⁺的吸收光谱研究了Sm离子价态和数目在激发前后的变化,并发现Sm³⁺的线状吸收与电子的陷阱→导带的激励吸收光谱存在较强的相消现象.提出了在SrS∶Eu,Sm中陷阱的构成机制及Sm³⁺离子在其中的地位,考察了Sm浓度对光存储量的影响,并找到一个提高这种材料光存储量的合理方法.     

不同表压下芪盐单层LB膜二次谐波的研究

在不同表压下制备芪盐的单层LB薄膜,测量LB膜的二次谐波信号.在低表压得到增强的二次谐波信号.对比芪盐的透射光谱,认为在LB膜中,芪盐以固相态存在,低表压时的固相态聚集体的吸收峰351nm使四阶非线性极化率x(4)(-2ω;ω,ω,ω,-ω)产生共振增强,四阶光学非线性现象对二次谐波信号产生影响.     

近年来中国发光学进展

本文介绍了近年来中国发光学在物理、材料、器件和应用方面的进展，文中还介绍了中国发光学在新开拓的几个交叉学科领域中的进展．     

CdSe/CdZnSe超晶格的激子光学性质的研究

用分子束外延法在GaAs衬底上生长了CdSe/Cd0.65Zn0.35Se超晶格结构。利用X射线衍射（XRD）、77K下变密度激发的光致发光光谱和变温度光致发光光谱研究了CdSe/CdZnSe超晶格结构和激光复合特性，在该材料中观测到激子－激子散射发射峰，变密度激发光致发光光谱和谱温度光致发光光谱证实了这一现象，激子发射峰的线宽随着温度的升高而展宽，低温时发光峰的宽度主要是由合金组分和阱垒起伏引起的，没温时激子线宽展宽是由于激子与纵光学声子和离化的施主杂质间的散射作用引起的，光致发光的强度随着温度的升高而降低，这主要是由激子的热离化造成的，也就是说，热激发使得电子或空穴由阱中跃迁至垒上。