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1.
F8BT:P3HT共混薄膜的放大自发辐射   总被引:1,自引:1,他引:0  
程浩  侯延冰  秦亮  胡煜峰  娄志东  滕枫 《发光学报》2014,35(8):1003-1008
研究了聚合物poly(9,9-dioctylfluorene-co-benzothiadiazole)(F8BT)和poly (3-hexylthiophene)(P3HT)共混薄膜的放大自发辐射(ASE)现象,对影响其阈值的两个因素--增益和损耗进行了详细的研究。结果显示,共混聚合物的发光效率随着P3HT所占比例的增加有所降低。当P3HT比例低于20%时,发光效率降低不多,而其损耗则随着P3HT的增加显著减小。F8BT和P3HT混合后,光损耗系数从7.8 cm-1下降到4 cm-1左右。这表明F8BT:P3HT共混聚合物光波导的ASE阈值降低主要是由于其损耗的降低而导致的。ASE阈值的降低预示该材料体系容易实现电泵浦激光。  相似文献   
2.
有机场致发光中能带模型与分子理论的讨论   总被引:3,自引:3,他引:0       下载免费PDF全文
在有机场致发光中,能带模型及分子理论从20世纪就存在尖锐的矛盾。在分层优化方案中,经SiO2加速后的电子能量可以到达10eV,这足以激发发光材料发光,将分层优化方案应用到有机场致发光材料中。发现了固态阴极射线发光(SSCL),经过对它的交叉证明、普适性的验证,肯定了固态阴极射线的发光确实是在发光二极管,无机及有机场致发光之外的一种完全新型的电场诱导的发光。SSCL的特征是在它的光谱中出现短波发光峰,实验证明长波发光峰的减弱是由于电场离化效应。研究了这种效应出现的电压阈值并和SSCL的短波峰出现的电压相比,发现短波峰的出现是在激子的电场离化之后,从而找出了电子处于局域态与扩展态的分水岭,解释了在有机场致发光中能带模型和分子理论并不矛盾,只是适用的条件不同。激子的离化是随电场强度而渐进的变化,因此会有一个两种过程并存的范围。  相似文献   
3.
采用喷雾热解法在铝矽酸盐陶瓷基底上合成了过渡族金属离子锰(Mn2 )掺杂的铝酸锌(ZnAl2O4)发光膜,研究了ZnAl2O4∶Mn膜在中至低电子束电压(<5 kV)激发下的阴极射线发光特性。生成的ZnAl2O4∶Mn膜在退火温度高于550℃时发出峰值位于525 nm的绿光,是由Mn2 的4T1→6A1跃迁引起的。测量了ZnAl2O4∶Mn膜阴极射线发光的色坐标和色纯度,其色坐标为x=0.150,y=0.734,色纯度为82%。ZnAl2O4∶Mn膜的阴极射线发光亮度和效率依赖于激发电压和电流密度。随着电流密度的增加,观察到了亮度饱和现象。在激发电压为4 kV、电流密度为38μA.cm-2的条件下,ZnAl2O4∶Mn薄膜的亮度可达540 cd.m-2,效率为4.5 lm.W-1。  相似文献   
4.
Absorption is the origin of luminescence. But it must be noticed that the lifetime of luminescence might reversely influence the rate of absorption. In this paper, it is reported that the luminescence intensity of copper and manganese changes with the driving frequency at constant voltage.The variation of luminescent intensity depends only on the lifetime of luminescence but not on the type of quenching or other factors. Generally the rate of absorption is dominantly determined by the material property and the lifetime of luminescence centres, the absorption of shorter lifetime centre will be larger than that of the longer lifetime centre at the same excited condition.  相似文献   
5.
娄志东  徐征  徐春祥  于磊  滕枫  徐叙 《物理学报》1998,47(1):139-145
根据非晶态半导体的能带理论,讨论了分层优化薄膜电致发光方案中非晶二氧化硅加速层中的电子在高电场中的输运行为.研究结果表明:在高电场下,由于电场的存在降低了陷阱之间的平均势垒高度.在费密能级附近处的杂质及缺陷定域态和导带尾定域态中,电子的输运主要表现为电场增强的热辅助式跳跃传导;而在导带扩展态中,电子的输运仍像晶态半导体那样表现为共有化运动.此外,以实验数据为基础,计算出了非晶二氧化硅中电子的迁移率、最小金属电导率、导带迁移率边界状态密度及费密能级处的状态密度. 关键词:  相似文献   
6.
Ga3+对Ce3+光致发光的影响   总被引:4,自引:0,他引:4  
研究了Ga3+在SrS∶Ce和SrGa2S4∶Ce薄膜电致发光(TFEL)材料中的作用及其对Ce3+发光特性的影响。在SrS中掺入Ga2S3并烧结,发现Ga3+的浓度增加时,Ce3+的发光显著向短波方向移动,激发谱中对应于SrS带间吸收的激发峰相对减弱,而对应于Ce3+的基态到激发态跃迁的激发效率相对提高,并出现逐渐增强的SrGa2S4的带间吸收。Ga3+的引入使Ce3+周围的配位场发生变化,相应的能级分布有所改变,Sr2+离子性的增强和Ce3+-Ce3+相互作用的减弱对Ce3+发光特性有显著影响。  相似文献   
7.
娄志东  陈立春 《发光学报》1996,17(4):322-327
根据发光层中电子能量分布的不均匀性,在分层优化薄膜电致发光器件的发光层中插入SiO2层,即级联分层优化薄膜电致发光器件。结果表明:由于SiO2的加速作用,这种方法确实可以提高过热电子的能量。但发光强度及发光效率的提高还受发光层的结晶状态的影响。插入一层SiO2后,样品的绿光强度提高了60%,发光效率也有所增加。插入两层SiO2后,由于发光层结晶状态变差,绿光强度及发光效率都降低了。  相似文献   
8.
滕枫  娄志东 《发光学报》1996,17(4):337-340
本文利用弗朗兹-凯尔迪效应研究了TFEL器件发光层中的电场随外加电压的变化。用此方法算得的发光层中的电场同把器件各层当作只起绝缘作用的电介质时算得的电场强度,虽然数量级相同,但数值上有差别,特别当外加电压达到发光阈值电压时,差别更为明显。  相似文献   
9.
薄膜电致发光器件中SiO2加速作用的直接证据   总被引:5,自引:0,他引:5  
徐春祥  娄志东 《发光学报》1995,16(3):187-191
本文通过包含CdS层的薄膜电致发光(TFEL)器件的有关特性的研究,直接证明了SIO2对CdS中产生的电子有良好的加速作用,并获得了阈值电压低、B-V特性好,亮度较高的红色TFEL器件.我们将硫化镉蒸镀于电致发光器件中,测量这些器件的电学和光学特性,发现含CdS的样品的传导电荷明显大于不含CdS的样品,这说明硫化镉层可以提供较多的电子.但是,样品ITO/SiO2/ZnS:Sm3+/SiO2/CdS/Al的发光效率低于不含硫化镐的样品,这说明这些电子在进入ZnS层的过程中能量有所降低.为了提高这些电子的能量,我们制备了样品ITO/SiO2/ZnS:Sm3+/SiO2/CdS/Al,使硫化镉中产生的电子先经过SiO2层,再进入发光层.测量结果表明这一样品的最大亮度和发光效率与上述含硫化镉的样品相比分别提高了2.5个和0.5个数量级,与不含硫化镉的样品的亮度接近,但其阈值电压较低,亮度-电压(B-V)曲线上升部分较陡,且有一段饱和区.在这一样品达到饱和的电压下,不含硫化镉的样品才刚刚起亮,这说明该样品的发光主要是由于硫化镉增加的电子数目对发光的贡献.同时这些电子在SiO2中得到了明显的加速.  相似文献   
10.
利用超声喷雾热解法制备了钨酸锶SrWO4多晶发光膜,并研究了制备条件及掺杂对其阴极射线发光特性的影响.生成的发光膜在300℃以上退火后具有白钨矿结构,其阴极射线发光为一宽带的蓝光,包括一个位于448nm的蓝色发光带和一个位于488.6nm的蓝绿色发光带,是由阴离子络合物WO42-的电荷转移跃迁引起的.发光强度随着退火温度的升高而增强,而退火气氛对其影响不大.在SrWO4膜中掺入银离子Ag+和镧离子La3+后,不影响其发光特性,但铕离子Eu3+的掺入对发光特性有影响.  相似文献   
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