无氨法制备GaN纳米线及其光电性能研究

采用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)方法,在无氨与1050℃的条件下通过气液固(V-L-S)机理成功制备出六方纤锌矿结构单晶GaN纳米线其拉曼测试结果表明,所制备的纳米线存在较大的表面无序度并表现出明显的小尺寸效应样品光致发光表明其具有典型的纳米线光谱特征,另外,无氨法制备的纳米线也具有较好的场发射特性.     

水热法合成K0.5Bi0.5TiO3纳米陶瓷粉体

K_0.5Bi_0.5TiO₃(KBT)nanocrystalline particles were hydrothermally synthesized from Bi(NO₃)₃·5H₂O, TiO₂ and KOH. The crystal phase, chemical composition and microstructure were characterized by XRD, XRF, Raman scattering spectroscopy and TEM. The results indicated that the products were pure perovskite structured K_0.5Bi_0.5TiO₃ with chemical stoichiometry and perovskite structure. The TEM observation revealed that the particles possessed a feature of cubic shape and a nano-scale of about 40 nm. The KBT ceramics sintered at 1 040 ℃ from hydrothermal powders show higher density and better electric properties than that prepared by a solid-state reaction method.     

关于斜McCoy环

For a ring endomorphism α,we introduce α-skew McCoy rings which are generalizations of α-rigid rings and McCoy rings,and investigate their properties.We show that if α t = I R for some positive integer t and R is an α-skew McCoy ring,then the skew polynomial ring R[x;α] is α-skew McCoy.We also prove that if α（1） = 1 and R is α-rigid,then R[x;α]/ x 2 is αˉ-skew McCoy.     

Pb(Sc_(1/2)Nb_(1/2))O_3中有序-无序转变和铁电相变的Raman光谱研究

采用wolframite前驱物法制备了Pb(Sc1/2Nb1/2)O3陶瓷。通过调节陶瓷烧结工艺,获得了三种具有不同B位离子有序度的PSN陶瓷。测量了三种陶瓷样品在室温至160°C范围内的Raman光谱随温度变化。结果表明,随着温度的升高,三种不同B位有序度的陶瓷样品中,Raman光谱中位于530 cm-1的F2g模的峰位和半峰宽分别在100°C,85°C和80°C发生了突变,表明陶瓷分别在100°C,85°C和80°C三个温度点发生了铁电-顺电相变。上述结论得到了介电温度谱测量数据的支持。     

Nanomorph Silicon Thin Films Prepared by Using an HW-MWECR CVD System

We have prepared hydrogenated nano-amorph silicon (na-Si:H) films by using a hot-wire-assisted microwave electron-cyclotron-resonance (HW-MWECR) chemical vapour deposition (CVD) system. The films are deposited in two steps: in the first 9rain, a hydrogenated amorphous silicon layer is deposited by using hydrogen-diluted silane with a concentration of SiH4/(SiH4 H2) = 20%, and then a nanocrystalline silicon (nc-Si) layer is deposited by using various highly hydrogen-diluted silane. The Raman TO-like mode peak of the films was found in the range 497-508cm^-1. When the silane concentration used for preparation of the nc-Si layer is 14.3%, the film has a large crystalline volume fraction of 65.4%, a wide optical band gap of 1.89eV and a low hydrogen content of 9.5 at.%. Moreover, the na-Si:H films rather than nc-Si possess high photosensitivity of about 10^5.     

用H-W-ECR CVD系统实现氢化非晶硅薄膜在氢气环境下同时进行化学热退火和光诱导退火的研究

为了研究氢化非晶硅薄膜的稳定性，我们设计了一个在原子氢气氛中热退火的同时进行光诱导退火的实验(TLAH)。实验装置是由传统的微波电子回旋共振化学气相沉积系统改造而成为热丝辅助微波电子回旋共振化学气相沉积系统。为了对这一退火方法进行比较，对样品还进行了热退火、热退火同时进行光诱导退火。同时，为了定量地分析光电导衰退，我们假设光电导衰退遵循扩展指数规律：1/σph=1/σs-(1/σs-1/σ0)exp[-(t/τ)β]，这里扩展指数参数β 和时间常数 τ 可从与 lnt 的线性关系中截距和斜率得到, 式中光电导饱和值σs可以通过在对数坐标系中表示的光电导和光照时间关系进行高斯拟合得到。实验结果显示：TLAH 方法可以提高氢化非晶硅薄膜的稳定性、改善其微结构和光电特性，同时还发现，光学带隙明显减小、荧光光谱显著地朝着低能方向移动。     

两种取向结构AlN薄膜的场发射测试分析

近年来,由于AlN薄膜具有负的电子亲和势而可能具有良好的场发射特性,其相关研究引起了人们的关注[1,2].为改善薄膜结构场发射特性,可采用材料改性,如重掺杂方法[1,2],完善其能带结构,使得场隧穿电子能力增强.但人们很少关注内在材料原子结构排列方式对于场发射性能的影响.而纳米碳管[3]被发现具有极为优异的场发射特性.最近,研究也发现AlN纳米管具有非常优异的发射性能[4].一般而言,纳米管材料原子结构排列方式具有高度的取向特性,这是否意味着择优取向性材料将可能具有更优异的场发射特性,并且是否可以考虑从完善AlN薄膜取向特性来提高其场发射性能.本文将通过比较两种取向结构的AlN薄膜场对于其发射性能的影响,结果表明,对于单一择优取向的AlN薄膜具有更为优异的场发射特性,这也验证了高度取向性结构对提高AlN薄膜场发射性能是完全可能的.但据我们所知,尚无相关系统研究涉及到材料取向特性对场发射性能的影响,因此,取向薄膜场发射研究将具有较重要的科学意义与发展前景.     

掺杂C60薄膜的制备及光电特性

在电弧法制备的过程中添加氮气或B2O3粉末,制备了氮、硼替位式掺杂C60.硼掺杂和氮掺杂C60均显示明显的半导体导电特性,且室温电导率比未掺杂C60薄膜提高1～2个量级.用共蒸发的方法制备出了硫掺杂C60薄膜,其电导率～温度曲线中存在一个过渡区,过渡区两侧表现出明显的半导体导电特性,这与掺入C60薄膜中的硫杂质的存在状态有关.其室温电导率比掺杂前提高4个量级,光致发光也明显增强.另外还报道了用离子注入和射频等离子体辅助真空沉积的方法制备掺杂C60薄膜的初步结果.     

Baer环和拟-Baer环的多项式扩张的一点注记

I1和I2分别是环R的一个左理想和右理想,T1=R[x]和T2=R[x,x-1]分别表示多项式环和洛朗多项式环.首先给出两个例子,分别说明了T1I1不一定是T1的左理想与T2L2不一定是T2的右理想.其次给出了环的多项式扩张及洛朗扩张的理想的性质.最后证明了,若R[X](R[x,x-1])是拟-Baer环,则R也是拟-...     

相对于幺半群的McCoy环的扩张

对于幺半群~$M$, 本文引入了~$M$-McCoy~环.~证明了~$R$~是~$M$-McCoy~环当且仅当~$R$~上的~$n$~阶上三角矩阵环~$aUT_n(R)$~是~$M$-McCoy~环;得到了若~$R$~是~McCoy~环,~$R[x]$~是~$M$-McCoy~环,则~$R[M]$~是~McCoy~环;对于包含无限循环子半群的交换可消幺半群~$M$,证明了若~$R$~是~$M$-McCoy~环,则半群环~$R[M]$~是~McCoy~环及~$R$~上的多项式环~$R[x]$~是~$M$-McCoy~环.