InxGa1-xAs-GaAs应变层量子阱结构的流体静压光荧光研究

本文报道了对分子束外延(MBE)生长的In_0.25Ga_0.75As-GaAs应变层量子阱结构在77K下的压力光荧光(PL)研究的结果。流体静压力从0到50kbar.,给出了In_0.25Ga_0.75As-GaAs应变层量子阱的Γ谷压力系数,实验观察到了量子阱中能级与势垒GaAs中X谷的能级交叉。通过对其压力行为的分析,给出了In_0.25Ga_0.75As-GaAs异质结的导带与价带跃变比:Q_c=△E_c:△E_v=0.68:0.32。对(InGa)As-GaAs应变量子阱常压下的理论分析与实验符合很好。本文也对Al_0.3Ga_0.70As-GaAs量子阱进行了讨论。 关键词：     

杠杆式金刚石对顶砧高压装置的压力校正

一、前 言 早在三十年代,已经有人开始进行高压下X射线衍射技术的研究[1].随着高压技术的不断发展,实验方法也不断更新,压力范围不断扩大.六十年代初,人们开始应用金刚石对顶砧进行X射线衍射实验[2,3].到了七十年代,这方面的技术有很大的发展,压力可达几十万大气压[4,5]。 对金刚石对顶砧超高压装置进行压力标定,是个普遍关心的问题.在这方面,国际上已进行了许多工作.Decker[6]研究的 NaCl状态方程,作为一种校压基准,已普遍应用于高压下的X射线衍射实验中;七十年代,Barnett[7]等人发现红宝石荧光光谱随着压力升高有线性红移现象,这种现象…     

金刚石压砧高压装置及I_2和S高压相变的观察

采用蜗轮蜗杆压缩弹簧的方法,在金刚石压砧高压装置中可以获得连续而平稳的加载,并能在显微镜下连续地观察材料的相变过程,还能清楚地观察到I_2和S的金属化相变过程。     

GaP(N,Te,Zn)的静压光致荧光研究

对GaP(N,Te,Zn)样品做了77K的静压光致荧光研究。得到了N,NN₁,NN₃束缚激子能级的压力系数,以及施主Te和中性施主Te的束缚激子能级的压力系数。讨论了这些能级随压力的变化行为,并首次观察到Gap中自由激子的零声子发射。 关键词：     

CdTe的状态方程及其高压相变

 用金刚石压砧高压X光衍射技术研究了Ⅱ-Ⅵ族化合物CdTe的室温状态方程和室温高压相变。实验的最高压力达39.2 GPa。实验中发现CdTe从(3.3±0.1)GPa开始从闪锌矿结构相相NaCl结构相转变，相变时体积收缩15.8%；从(10.3±0.2)GPa开始从NaCl相向β-Sn结构相转变，相变时无体积突变；在(12.2±0.2)GPa由β-Sn相向正交结构相转变，相变时也无体积突变。CdTe的压缩数据用最小二乘法以Bridgman状态方程和Murnaghan状态方程拟合，得到其零压时合相变压力时各个相的体弹模量及体弹模量的压力微商，并与其它的实验合理论结果进行比较。     

外加热型金刚石对顶压砧高压装置及高温下的压力测量

 本文报导了一种外加热型金刚石对顶压砧装置的高温高压技术，装置的压力可达20 GPa，温度可达350 ℃。采用本装置对六角结构的α-LiIO₃进行了高温高压X射线衍射实验，获得的四方结构高压相与用淬火卸压所得的ε相结构一致；建立了高温下的红宝石测试技术。发现可以根据由此法测定的Δγ_p-T曲线初步判别样品是否存在伴随有体积变化的结构相变，并可估计出该相变的压力、温度范围及相变造成的压力下降值。     

熔石英的弹性模量和超声状态方程

利用“脉冲回波重合法”精密地测定了熔石英的2,3阶弹性模量C₁₁,C₄₄;C₁₂₃,C₁₄₄,C₄₅₆,由应变能对应变的级数展开,获得了由2,3,4阶弹性模量表示系数的熔石英超声状态方程。计算到3阶弹性模量的状态方程,与Bridgman的实验值比较,在压力增加时偏离增加。但当计入4阶弹性模量效应后,在熔石英发生状态改变前的区域,则两者之间符合得很好。 关键词：     

GaP中N和NNi对等电子陷阱态的压力行为

 半导体中的局域电子态和半导体的能带结构密切相关，揭示局域电子态和能带结构之间的内在关系是当前半导体电子理论的重要方面。而压力光谱实验对研究这种相互关系提供了重要手段。本文对GaP中深、浅两组能级的不同压力行为作了系统的实验研究。实验观察到无论在室温还是在低温，压力小于3.3 GPa时，以N陷阱束缚激子的发光过程为主，大于3.3 GPa时则以自由激子零声子过程为主，并且所有与N有关的陷阱态都具有压力的非线性行为。根据有效质量随压力的变化提出能谷中不同能量态具有不同的压力关系。基于有效质量随压力变化的能带格林函数方法，对N和NNi对的压力系数作了模型计算，其结果和陷阱态的压力行为符合得相当好。证实了带结构，尤其是能谷曲率随压力的变化是决定陷阱态压力行为的主要因素。     

GaAs中N等电子陷阱的研究

对离子注N的GaAs样品作了77K的静压光致荧光研究。观察到了N陷阱中心元胞势束缚激子N_x的发光光谱及畸变势束缚激子N_T的发光峰。测量N_X能级的压力系数为2.8meV/kbar,常压下N的共振态高于导带边179meV。讨论了N等电子陷阱的电声子耦合强度及有效束缚激子半径随压力的变化关系。 关键词：     

金刚石压砧高压装置及I2和S高压相变的观察

采用蜗轮蜗杆压缩弹簧的方法,在金刚石压砧高压装置中可以获得连续而平稳的加载,并能在显微镜下连续地观察材料的相变过程,还能清楚地观察到I₂和S的金属化相变过程。 关键词：