GaP(N,Te,Zn)的静压光致荧光研究

对GaP(N,Te,Zn)样品做了77K的静压光致荧光研究。得到了N,NN₁,NN₃束缚激子能级的压力系数,以及施主Te和中性施主Te的束缚激子能级的压力系数。讨论了这些能级随压力的变化行为,并首次观察到Gap中自由激子的零声子发射。 关键词：     

GaP中N和NNi对等电子陷阱态的压力行为

 半导体中的局域电子态和半导体的能带结构密切相关，揭示局域电子态和能带结构之间的内在关系是当前半导体电子理论的重要方面。而压力光谱实验对研究这种相互关系提供了重要手段。本文对GaP中深、浅两组能级的不同压力行为作了系统的实验研究。实验观察到无论在室温还是在低温，压力小于3.3 GPa时，以N陷阱束缚激子的发光过程为主，大于3.3 GPa时则以自由激子零声子过程为主，并且所有与N有关的陷阱态都具有压力的非线性行为。根据有效质量随压力的变化提出能谷中不同能量态具有不同的压力关系。基于有效质量随压力变化的能带格林函数方法，对N和NNi对的压力系数作了模型计算，其结果和陷阱态的压力行为符合得相当好。证实了带结构，尤其是能谷曲率随压力的变化是决定陷阱态压力行为的主要因素。     

GaAs中N等电子陷阱的研究

对离子注N的GaAs样品作了77K的静压光致荧光研究。观察到了N陷阱中心元胞势束缚激子N_x的发光光谱及畸变势束缚激子N_T的发光峰。测量N_X能级的压力系数为2.8meV/kbar,常压下N的共振态高于导带边179meV。讨论了N等电子陷阱的电声子耦合强度及有效束缚激子半径随压力的变化关系。 关键词：