InxGa1-xAs-GaAs应变层量子阱结构的流体静压光荧光研究

本文报道了对分子束外延(MBE)生长的In_0.25Ga_0.75As-GaAs应变层量子阱结构在77K下的压力光荧光(PL)研究的结果。流体静压力从0到50kbar.,给出了In_0.25Ga_0.75As-GaAs应变层量子阱的Γ谷压力系数,实验观察到了量子阱中能级与势垒GaAs中X谷的能级交叉。通过对其压力行为的分析,给出了In_0.25Ga_0.75As-GaAs异质结的导带与价带跃变比:Q_c=△E_c:△E_v=0.68:0.32。对(InGa)As-GaAs应变量子阱常压下的理论分析与实验符合很好。本文也对Al_0.3Ga_0.70As-GaAs量子阱进行了讨论。 关键词：     

GaAs/GaAlAs多量子阱的光致荧光诊断

利用光致荧光技术对GaAs/GaAlAs多量子阱质量进行了诊断。讨论了量子阱厚度涨落,铝成份涨落,各种缺陷和非故意掺杂等对量子阱光致荧光谱的影响,并反过来,又由光致荧光谱来推断引起量子阱质量退化的原因。在一定程度上为分子束外延工艺的改进提供了依据。 关键词：     

内节流式冷指型液氮杜瓦瓶及其在多量子阱荧光研究中的应用

本文介绍了适用于光学测量的经过特别设计的液氮杜瓦瓶。作为一个应用例子,讨论了液氮温度下GaAs/GaAlAs多量子阱荧光谱的测量。