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316L不锈钢基体上磁控溅射Er2O3/Er涂层的后处理研究 总被引:1,自引:0,他引:1
采用磁控溅射的方法在316L不锈钢表面制备了氧化铒涂层.选用金属铒作为过渡层,研究了不同热处理温度对涂层相组成、表面形貌以及涂层与基底结合情况的影响.XRD,SEM及膜基结合力分析结果表明,带有过渡层的氧化铒涂层表面致密、均匀,退火处理使氧化铒结晶性能提高,经过800℃热处理,生成了金属间化合物ErFe3提高了涂层与基底的结合强度.绝缘电阻率测试结果表明.Er2O3涂层绝缘电阻率在1×1013~1×1015Ω·cm,绝缘性能良好. 相似文献
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临界电流密度Jc是评价超导薄膜质量的重要参数之一,采用Jc测量装置可以准确、快速、无损检测Ф2~3英寸双面膜的Jc均匀性。该装置是利用高温超导薄膜的超导转变对线圈内感应电压产生的变化这一原理,测量线圈由初级和次级组成,所用信号频率为20kHz,次级信号在同样频率下由锁相放大器检测,测量过程全部由计算机控制,对于超导微波滤波器应用所要求的高质量Ф2~3英寸双面超导薄膜材料,必须具有高的Jc和低的Rs值,采用该装置测量超导薄膜的Jc均匀性,与Rs对应关系进行分析,将有助于超导薄膜的质量控制。 相似文献
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本文通过在前驱液中添加过量钇盐和铈的有机盐,采用三氟乙酸盐-金属有机沉积法(TFA-MOD) 在铝酸镧单晶基体上制备了含有纳米氧化钇和纳米铈酸钡的YBCO薄膜. 与纯YBCO薄膜相比,掺杂Y2O3/BaCeO3的YBCO膜的临界转变温度几乎保持不变,为91 K左右. 而掺杂Y2O3/BaCeO3的YBCO膜的临界电流密度达到5.0 MA/cm2 (77 K, 0T), 是纯YBCO膜临界电流密度的1.5倍.薄膜中的Y2O3和BaCeO3可能在YBCO内部起到了 有效的钉扎磁通作用.
关键词:
钇钡铜氧薄膜
2O3和纳米BaCeO3')" href="#">纳米Y2O3和纳米BaCeO3
磁通钉扎
三氟乙酸盐-金属有机沉积 相似文献
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采用倒筒直流磁控溅射系统在不同溅射气体组分下(氩氧比不同)原位沉积Y1Ba2Cu2O7-δ(YBCO)薄膜.样品的XRD分析发现在Ar含量过高和过低的溅射气氛下沉积的薄膜存在极少量的BaCuO2第二相, 同时显示薄膜的c轴长度, (006), (007)对(005)峰强度比随着溅射气体中Ar含量的变化而发生改变.通过薄膜超导零电阻温度检测发现, YBCO薄膜的超导零电阻温度Tc随之发生改变.这说明在磁控溅射沉积YBCO薄膜过程中, 溅射气体中Ar气含量影响薄膜各元素的化学计量比, Ar含量过高和过低导致沉积YBCO薄膜晶体结构发生畸变, 恶化超导电性. 相似文献
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Influence of oxygen pressure on critical current density and magnetic flux pinning structures in YBa2Cu3O7-x fabricated by chemical solution deposition 下载免费PDF全文
This paper studies the effect of oxygen partial pressure on the fabrication of YBa 2 Cu 3 O 7 x films on (00l) LaAlO 3 substrates by metalorganic deposition using trifluoroacetates (TFA-MOD).As the oxygen partial pressure increases to 1500 Pa,a great increase in the superconducting properties is observed at high magnetic fields parallel to the YBCO c axis.The cross-sectional transmission electron microscope images show that a high density of stacking faults in the size range of 10-15 nm may act as flux pinning centres to enhance the critical current density of the YBCO films 相似文献
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YBCO涂层导体CeO2,Y2O3缓冲层的生长研究 总被引:2,自引:1,他引:2
采用反应溅射的方法在具有立方织构的Ni基底上制备了CeO2,Y2O3缓冲层.Ar/H2气氛下预沉积的引入,有效地抑制了基底的氧化.同时,为保证薄膜的外延取向,预沉积时间必须和总沉积时间满足线性关系.对比CeO2,Y2O3的生长条件,发现CeO2的外延生长区间比Y2O3宽,Y2O3的生长对温度、气压等条件更为敏感.最终制备的CeO2缓冲层是纯的(100)取向,其平面内φ扫描半高宽(FWHM)为8.5°;而Y2O3存在两种平面取向,一种是Y2O3(110)‖Ni(100),另一种是Y2O3(100)‖ Ni(100).俄歇能谱观察表明,CeO2/Ni界面优于Y2O3/Ni界面.扫描电镜照片显示,CeO2,Y2O3缓冲层的表面均匀致密,无裂纹生成,但两种薄膜中,都有呈三角形的胞状突起. 相似文献