镧对Al-Sn-Bi牺牲阳极电化学性能的影响

通过恒电流法和失重法研究了加入La对Al-Sn-Bi阳极电化学性能的影响,对比分析了阳极的电化学溶解特征。结果表明:不同含量La对Al-Sn-Bi牺牲阳极的电位影响较小;电流效率比未加La的阳极有不同程度的提高,其中Al-Sn-Bi-0.1La的电流效率增幅较大;La可改善阳极的腐蚀形貌,使得表面溶解均匀,同时降低阳极腐蚀速率,提高其耐蚀性,其中含量0.1%La效果明显。     

直流反应溅射法制备Y_2O_3隔离层的研究

采用直流反应溅射的方法在具有立方织构的Ni基底上制备出了Y2O3隔离层,并研究了基带温度与H2O分压两个因素对Y2O3薄膜的织构取向以及表面形貌的影响。X射线衍射(XRD)结果和扫描电子显微镜(SEM)的分析表明,在温度为760℃,H2O分压为1.68×10-2Pa的条件下制备出的Y2O3薄膜具有强立方织构,平面内Φ扫描半高宽为7.07°,其表面均匀、致密、无裂纹。     

反应溅射法连续制备CeO2隔离层

用带有反应溅射装置的走带系统在立方织构的Ni-5% W衬底上连续制备了长10 cm的CeO2隔离层.为避免金属衬底氧化,以H2O作为反应气体.论文主要研究了衬底温度、走带速率对CeO2隔离层外延生长的影响.用X射线θ～2θ扫描,ψ扫描对薄膜的取向和织构进行表征.结果显示在温度650 ℃,走带速度2.5 mm/s的条件下,连续制备的CeO2隔离层有效地继承并改善了基底的织构,平均平面内ψ扫描半高宽为6.18°,扫描电镜(SEM)观察表明薄膜表面致密,且无裂纹生成.