| YBCO涂层导体CeO2,Y2O3缓冲层的生长研究 |
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| 引用本文： | 张华,杨坚,古宏伟,刘慧舟,屈飞.YBCO涂层导体CeO2,Y2O3缓冲层的生长研究[J].中国稀土学报,2006,24(5):636-640. |
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| 作者姓名： | 张华 杨坚 古宏伟 刘慧舟 屈飞 |
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| 作者单位： | 北京有色金属研究总院超导材料研究中心,北京,100088 |
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| 基金项目： | 国家重点基础研究发展计划(973计划) |
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| 摘 要： | 采用反应溅射的方法在具有立方织构的Ni基底上制备了CeO2,Y2O3缓冲层.Ar/H2气氛下预沉积的引入,有效地抑制了基底的氧化.同时,为保证薄膜的外延取向,预沉积时间必须和总沉积时间满足线性关系.对比CeO2,Y2O3的生长条件,发现CeO2的外延生长区间比Y2O3宽,Y2O3的生长对温度、气压等条件更为敏感.最终制备的CeO2缓冲层是纯的(100)取向,其平面内φ扫描半高宽(FWHM)为8.5°;而Y2O3存在两种平面取向,一种是Y2O3(110)‖Ni(100),另一种是Y2O3(100)‖ Ni(100).俄歇能谱观察表明,CeO2/Ni界面优于Y2O3/Ni界面.扫描电镜照片显示,CeO2,Y2O3缓冲层的表面均匀致密,无裂纹生成,但两种薄膜中,都有呈三角形的胞状突起.
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| 关 键 词： | 缓冲层 反应溅射 立方织构 Ni基底 稀土 |
| 文章编号： | 1000-4343（2006）05-0636-05 |
| 收稿时间： | 06 4 2006 12:00AM |
| 修稿时间： | 2006-06-042006-07-14 |
Growth of CeO2, Y2O3 Buffer Layers for YBCO Coated Conductor |
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| Zhang Hua,Yang Jian,Gu Hongwei,Liu Huizhou,Qu Fei.Growth of CeO2, Y2O3 Buffer Layers for YBCO Coated Conductor[J].Journal of the Chinese Rare Earth Society,2006,24(5):636-640. |
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| Authors: | Zhang Hua Yang Jian Gu Hongwei Liu Huizhou Qu Fei |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | CeO2 Y2O3 |
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