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1.
本文用密度泛函理论(DFT)的总能计算研究了一氧化碳和氢原子在Ni(111)表面上p(2×2)共吸附系统的原子结构和电子态,结果表明CO和H原子分别被吸附于两个对角p(1×1)元胞的hcp和fcc位置.以氢分子和CO分子作为能量参考点,总吸附能为2.81 eV,相应的共吸附表面功函数φ为6.28 eV.计算得到的C—O,C—Ni和H—Ni的键长分别是1.19?, 1.96?和 1.71?,并且CO分子以C原子处于hcp的谷位与金属衬底原子结合.衬底Ni(111)的最外两层的晶面间距在吸附后的相对变化分别是 关键词: Fisher-Tropsch反应 催化作用 Ni(111) p(2×2)/(CO+H) 共吸附  相似文献   
2.
吸附O的Cu(110)c(2×1)表面原子结构和电子态   总被引:4,自引:0,他引:4  
采用第一性原理的密度泛函理论方法计算了清洁Cu(110)表面和吸附O原子的Cu(110) c(2×1)表面的原子结构, 结构弛豫和电子结构, 得到了各种表面结构参数. 分别计算了O原子在Cu(110)表面三个可能吸附位置吸附后的能量, 并给出了能量最低的吸附位置上各层原子的弛豫特性和态密度. 结果表明O吸附后的Cu(110)表面有附加列(added-row)再构的特性, O原子吸附在最表层铜原子上方, 与衬底Cu原子的垂直距离为0.016 nm, 以氧分子为能量基准的吸附能为-1.94 eV; 同时由于Cu 3d- O 2p态的杂化作用使得低于费米能级5.5~6.0 eV的范围内出现了局域的表面态. 计算得到清洁的和氧吸附的Cu(110)表面的功函数分别为4.51 eV和4.68 eV. 电子态密度的结果表明:在Cu(110) c(2×1) 表面O吸附的结构下, 吸附O原子和金属衬底之间的结合主要是由于最表层Cu原子3d态和O原子2p态的相互作用.  相似文献   
3.
用密度泛函理论研究了氢原子的污染对于Ru(0001)表面结构的影响. 通过PAW(projector-augmented wave)总能计算研究了p(1×1)、p(1×2)、(3^(1/2)×3^(1/2))R30°和p(2×2)等几种氢原子覆盖度下的吸附结构, 以及在上述结构下Ru(0001)面fcc(面心立方)格点和hcp(六方密堆)格点的氢原子吸附. 所得结果表明, 在p(1×1)-H、p(1×2)-H、(3^(1/2)×3^(1/2))R30°-H和p(2×2)-H几种H原子覆盖度下, 以p(1×1)-H结构单个氢原子吸附能为最大. 在p(1×1)-H吸附结构下,由于氢原子吸附导致的Ru(0001) 表面第一层Ru 原子收缩的理论计算数值分别为-1.11%(hcp 吸附)和-1.55%(fcc 吸附), 因此实际上最有可能的情况是两种吸附方式都有一定的几率. 而实验中观察到的“清洁”Ru(0001)表面实际上是有少量氢原子污染的表面. 不同覆盖度和氢分压下氢原子吸附的污染对Ru(0001)表面结构有极大的影响,其表面的各种特性都会随覆盖度的不同而产生相应的变化.  相似文献   
4.
为满足红外瞄具零位走动量数字化、高精度的检测需求,设计了基于电荷耦合器件(CCD)机器视觉技术的红外瞄具零位走动量检测系统。提出一种新的零位走动量检测模型,依据检测系统的技术指标及要求,设计了离轴抛物面反射式准直光学系统及针孔靶。为减小由相机倾斜引入的测量误差,建立了相机姿态自适应校正模型,并首次将其应用于零位走动量测量中。设计了图像判读软件,采用重心法对靶标中的圆斑中心进行定位,利用泽尼克矩的旋转不变性,对边缘像素点进行细分。成功研制了一台样机,加工装调后进行了测试实验,结果表明,系统的不确定度优于0.02mil,能有效避免由相机倾斜引入的测量误差,满足红外瞄具零位走动量数字化、高精度测试要求。  相似文献   
5.
YBa2Cu3O7—δ体系CuO2平面外的元素替代效应   总被引:1,自引:1,他引:0  
制备了123单相的 Y_(1-x)Pr_xBa_2Cu_3O_(7-ε),YBa_(2-x)M_xCu_3O_(7-ε)(M=Sr,Ca)和 YBa_2Cu_(3-x)Co_xO_(7-δ)的系列样品,并测量了 T_c 及载流子浓度 nH.综和其他实验结果如 XAFS、中子衍射、XPS 和 Raman 谱等,总结得到:CuO_2平面外的元素替代使得晶格中 O(4)原子偏离其在 YBa_2Cu_3O_7中的最佳位置,导致部分空穴局域于 Ba 位或 CuO 链,因而降低体系中可动空穴的浓度.在这种情况下体系 T_c 的压制主要源自可动空穴浓度 PH 的减少.对加压情况下的退局域化作用作了讨论.  相似文献   
6.
本文综合约20个 YBa2Cu3O7-4的元素替代体系的实验结果,发现:正交晶体结构、氧含量、铜的氧化价态,以及金属-半导体(绝缘体)相变都只是决定Tc的表观因素;存在着CuO2平面外和CuO2平面内两类元素替代效应.提出:高温超导体的迁移载流子浓度和CuO2平面内铜原子之间的动态、短程反铁磁关联程度是决定Tc的两个内禀因素.基于Bi系超导体中有关元素替代效应的实验事实,进一步提出上述结论对各种类型的高温氧化物超导体具有普遍性.  相似文献   
7.
高压下ZnS的电子结构和性质   总被引:3,自引:0,他引:3       下载免费PDF全文
运用密度泛函理论体系下的平面波赝势(PWP)和广义梯度近似(GGA)方法,计算研究了闪锌矿结构的ZnS晶体在不同的外界压强下的电子结构. 通过分析发现,随着外界压强的增大,晶格常数和键长在不断缩小,从S原子向Zn原子转移的电荷越来越少,Zn—S键的共价性逐渐增强,Zn原子和S原子的态密度都有不同程度的变化,而且还有向低能量移动的趋势. 当外界压强达到24GPA时,ZnS从直接带隙半导体变成间接带隙半导体,而且随着压强的增大,间接带隙逐渐变小,直接带隙逐渐增大. 关键词: 闪锌矿结构 态密度 能带结构 密度泛函理论  相似文献   
8.
报道了采用磁控溅射法在α-Al_2O_3分形基底上沉积Ag薄膜表面的形貌、结晶状态以及其V-I特性.结果表明:分形的Al_2O_3基底导致Ag薄膜具有起伏不平的结构、较差的结晶状态并且存在大量的孔洞,它们同样受基底温度和薄膜厚度的影响.在一定的厚度范围内,Ag薄膜呈现反常的非线性I(V)特性,其行为也受薄膜厚度、基底温度和测试环境的强烈影响.  相似文献   
9.
报道了采用磁控溅射法在α-Al3分形基底上沉积Ag薄膜表面的形貌、结晶状态以及其V-I特性.结果表明:分形的Al3基底导致Ag薄膜具有起伏不平的结构、较差的结晶状态并且存在大量的孔洞,它们同样受基底温度和薄膜厚度的影响.在一定的厚度范围内,Ag薄膜呈现反常的非线性I(V)特性,其行为也受薄膜厚度、基底温度和测试环境的强烈影响. 关键词:  相似文献   
10.
用第一性原理基础上的超软赝势方法的总能计算,研究了3d过渡金属(Sc, Ti, V, Cr, Mn, Fe, Co, Ni, Cu, Zn)在Pd(001)表面的单层p(1×1)和c(2×2)结构的表面磁性和总能. 所得结果表明:对于Sc, Ti, V和Cr只存在p(1×1)的铁磁性结构,而Mn只有c(2×2)的反铁磁结构存在. Fe, Co和Ni这三种元素上述两种结构都存在,但是总能上p(1×1)的铁磁结构要低些,因此是比较稳定的结构. 而Cu和Zn在该表面上的单层中不存在上述两种结构. 对于V的p(1×1)铁磁结构,计算得到的每个V原子磁矩为2.41μB,大于用全电子方法得到的0.51μB. 两种计算方法得到其他金属原子 (Cr,Mn,Fe,Co,Ni)的表面磁矩比较相近,都比孤立原子磁矩略小. 关键词: Pd(001)表面 过渡金属原子单层 表面磁性  相似文献   
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