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991.
废轮胎热解炭的分析及其活化特性的研究 总被引:1,自引:5,他引:1
用常规分析方法分析了废轮胎热解炭的成分和性质,用X射线能谱分析法、压汞法、N2吸附法等测定了热解炭的孔隙结构特性,并用CO2、含2%氧气的氮气流和水蒸气等活化气体对热解炭进行活化方面的研究。结果表明,热解炭灰分和硫含量比较高;两种不同粒径热解炭的比孔容积均在r≈25 nm处有最大值;在相同活化时间和活化剂流速下,温度越高,活化炭烧失率越大,比表面积也越大;在一定温度和活化剂流速下,烧失率和比表面积随着活化时间的增加而增大;对所有试验工况,烧失率越大,活化炭比表面积也越大。总体上水蒸气活化炭与CO2的活化效果较好,而含2%O2的氮气流活化的效果则次之。活化炭与商业活性炭的比较显示,前者具有较发达的孔隙结构,在进行大分子物质吸附时,具有替代商业活性炭的潜力。 相似文献
992.
激光促进甲烷氧化偶联表面反应规律的研究 总被引:9,自引:3,他引:9
采用IR、TPD、选频TEACO2激光等技术,考察了单组分及多组分表面材料上激光促进的甲烷氧化偶联反应.在实验条件下,甲烷在LiClO4/Pb3(PO4)2固体表面上的转化率达到32%以上,生成乙烯的选择性为93%.结果分析表明,晶格氧参与了反应,激光频率是影响激光能量利用的主要因素. 相似文献
993.
994.
采用喷雾干燥微球化处理-气固反应法制备了介孔空心球状WC微球,应用扫描电子显微镜(SEM)对微球的形貌变化进行了表征。结果表明,介孔空心球状结构是逐步形成的。其中,空心球状结构形成于前驱体微球化处理过程中,介孔结构形成于空心微球还原碳化过程中。在与样品制备工艺条件相同的情况下,采用原位X射线衍射技术(in situ XRD)对样品的晶相演变规律进行了监测。结果表明,样品在CO/CO2气氛中进行还原碳化时,当温度缓慢而连续上升到750 ℃时,其晶相变化遵循AMT → WO3 → WO2 → W2C → WC规律;当采用“阶跃式”升温,即温度缓慢而连续上升到400 ℃,然后再快速上升到750 ℃,并在750 ℃下进行还原碳化时,其晶相变化规律为AMT → WO3 → WO2 → WC。这说明,样品的晶相演变不仅与还原碳化温度和时间有关,而且与升温方式和升温速率有关。 相似文献
995.
采用表面修饰技术将碳纳米管(CNT)表面羧基化, 通过羧基将钨离子基团修饰到碳纳米管的外表面, 再通过原位还原碳化技术, 将钨离子基团还原成碳化钨(WC)纳米微粒, 制备出WC/CNT纳米复合材料. 采用FTIR、XRD、SEM、HRTEM和N2吸附等分析测试手段对样品的形貌、晶相组成和微观结构特征进行了表征. FTIR和N2吸附结果表明, 硝化后, 在碳纳米管表面羧基化的同时比表面积增加; XRD结果表明, WC/CNT样品由碳纳米管、WC以及非化学计量比的氧化钨组成; SEM和HRTEM结果表明, WC纳米颗粒均匀地分散于碳纳米管的外表面,并与碳纳米管构成了复合材料. 采用循环伏安法测试了样品在碱性条件下对甲醇氧化的电催化性能, 结果表明, 复合材料对甲醇氧化的电催性能明显强于WC 和碳纳米管, 并在实验结果的基础上探讨了复合材料催化性能提高的原因. 相似文献
996.
997.
Electroluminescent devices with PVK film doped with Eu(DBM)3(phen) and PBD were fabricated. The device structure of glass substrate/indium-tin-oxide/PPV/PVK:Eu(DBM)3-(phen):PBD/Alq3/Al was employed. The emissive layer was formed by spin-casting method. A sharply red electroluminescence with a maximum luminance of 114.4 cd/m2 was achieved at 42 V. 相似文献
998.
采用循环伏安法和恒电位电解法研究了离子液体EMimBF4中硝基苯在微铂电极上的选择性电还原特性. 研究结果表明, 硝基苯在铂电极上的电还原反应为双分子八电子三步骤电化学过程: 第一步反应为准可逆单电子转移步骤, 产生阴离子自由基; 第二步为二电子转移步骤, 并伴有随后的双分子不可逆自由基偶合反应和快速质子化及脱水反应, 主要产物为氧化偶氮苯; 第三步是二电子转移产生偶氮苯的过程. 通过控制电位, 可以选择性地合成氧化偶氮苯和偶氮苯; 在EMimBF4中, 硝基苯和水的浓度变化对电化学行为产生较大影响. 相似文献
999.
1000.
用磁测量和穆斯堡尔谱研究了YTi(Fe_(1-x)Si_x)_(11)(x=0.0~0.1)合金的结构和磁性。当x<0.07时,Si原子优先占据8j晶位;而当x>0.07时,Si原子除了占据8j晶位外,也开始占据8f晶位。在所研究的硅浓度范围内,Si原子不占据8i晶位。合金的居里温度随Si含量的增加而减小,在x=0.05~0.08范围内出现不明显的极小值,而后略有增加。合金的饱和磁化强度和磁晶各向异性场都随Si含量增加而减小。Si原子的加入也使晶胞体积收缩。 相似文献