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91.
针对北京正负电子对撞机II期(BEPC II)直线加速器升级改造过程中束流位置探测器(BPM)电子学对外部触发信号的需求,设计了一台高精度延时控制、上升时间短和参数灵活调节的数字延时触发器。采用FPGA(现场可编程门阵列)作为主控制器展开设计,重点介绍了基于FPGA的边沿检测模块和多通道延时处理模块的设计与仿真,描述了FPGA和驱动电路的设计方案以及在直线加速器上的应用。经测试,延时可调范围4 ns^4μs,最小步进4 ns,步进误差0.125%;上升时间2 ns,延时抖动135.4 ps。 相似文献
93.
针对传统电极驱动液晶透镜的电场分布在驱动电极边缘的问题,设计了一种高阻值层驱动电极来控制液晶分子偏转的低压驱动和焦距可调的液晶透镜.利用磁控溅射工艺在含镂空孔阵列的面状铝电极基板表面沉积一层掺铝氧化锌透明薄膜,形成高阻值层驱动电极;利用液晶盒成盒工艺将制备好的驱动电极基板和公共电极基板(氧化铟锡玻璃基板)组装成液晶透镜,研究掺铝氧化锌高阻值层、驱动电压、工作频率对液晶透镜光学性能的影响.实验结果表明,对比传统电极驱动液晶透镜,高阻值层电极驱动液晶透镜在驱动电压2.2Vrms和工作频率130kHz下获得的干涉圆环均匀,聚焦光斑小.同时,在驱动电压1.8~2.8Vrms和工作频率130kHz下所制备的液晶透镜焦距可调范围为4.27~2.88mm. 相似文献
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主要在离散模型余维2的分支理论的基础上,研究了离散模型三个不变闭曲线的存在性.在模型消掉全部的二次、四次项和部分三次、五次项的基础上,利用余维2的分支理论和复正规形方法进一步化简方程,消掉全部六次项和部分七次项,再化成极坐标形式,得到了三个不变闭曲线的存在性和稳定性.当相关系数L_3(0)0(L_3(0)0)时,满足一定条件会出现三个不变闭曲线,其中里边的不变闭曲线不稳定(稳定),中间的不变闭曲线稳定(不稳定),外边的不变闭曲线不稳定(稳定).最后通过举例展示了方法的应用过程,也通过数值模拟显示了方法和理论的正确性.同时,给出的n个不变闭曲线的存在性讨论、计算公式等在一定程度上推广和丰富了离散模型分支理论的研究. 相似文献
96.
从粪便中检测BMP3基因甲基化水平可实现对结直肠癌的无创筛查,但对检测方法的灵敏度与特异性要求很高。本研究将核酸侵入反应与实时荧光聚合酶链式反应(PCR)偶联,建立了BMP3基因甲基化检测方法,以ACTB基因作为参比基因,通过优化反应体系中探针浓度、Flap核酸内切酶与Taq酶用量,提高BMP3目标基因与ACTB参比基因的扩增效率至接近100%,实现了利用ΔCT法进行BMP3基因甲基化水平的相对定量,可对低至10 copies的甲基化BMP3基因进行检测,并可从非甲基化模板中准确定量0.01%的甲基化模板,非甲基化模板不产生非特异性信号,表明本方法具有极高的灵敏度与良好的特异性。将本方法用于16例结直肠癌患者、7例结直肠腺瘤患者及19例健康人粪便样本中BMP3基因甲基化检测,结果表明,有5例结直肠癌患者的粪便样本检出BMP3基因甲基化,2例结直肠腺瘤患者的粪便样本检出BMP3甲基化,健康人的粪便样本均没有检出甲基化,表明本方法可用于检测粪便样本中基因的甲基化水平,为临床开展基于粪便中基因甲基化检测的无创结直肠癌筛查提供了新方法。 相似文献
97.
The work proposes a three-laser-beam streak tube imaging lidar system. Besides the main measuring laser beam,the second beam is used to decrease the error of time synchronization. The third beam has n+0.5 pixels' difference compared to the main measuring beam on a CCD, and it is used to correct the error caused by CCD discrete sampling. A three-dimensional(3D) imaging experiment using this scheme is carried out with time bin size of 0.066 ns(i.e., corresponding to a distance of 9.9 mm). An image of a 3D model is obtained with the depth resolution of 2 mm, which corresponds to ~0.2 pixel. 相似文献
98.
CdS/Si nanofilm heterojunctions based on amorphous silicon films:Fabrication,structures,and electrical properties 下载免费PDF全文
Shortening the distance between the depletion region and the electrodes to reduce the trapped probability of carriers is a useful approach for improving the performance of heterojunction.The CdS/Si nanofilm heterojunctions are fabricated by using the radio frequency magnetron sputtering method to deposit the amorphous silicon nanofilms and Cd S nanofilms on the ITO glass in turn.The relation of current density to applied voltage(I-V)shows the obvious rectification effect.From the analysis of the double logarithm I-V curve it follows that below~2.73 V the electron behaviors obey the Ohmic mechanism and above~2.73 V the electron behaviors conform to the space charge limited current(SCLC)mechanism.In the SCLC region part of the traps between the Fermi level and conduction band are occupied,and with the increase of voltage most of the traps are occupied.It is believed that Cd S/Si nanofilm heterojunction is a potential candidate in the field of nano electronic and optoelectronic devices by optimizing its fabricating procedure. 相似文献
99.
100.