CuI/Al双层电极的有机场效应晶体管

制备了CuI/Al为源极和漏电极的并五苯基场效应晶体管.相对于纯金属(Al, Au)电极的晶体管,所研制的晶体管的迁移率、阈值电压VT、开关电流比I_on/I_off等参数都有明显改善.研究发现,在Al电极与并五苯半导体之间引入CuI作为空穴注入层,能够明显降低Al电极与并五苯之间的空穴注入势垒.紫外-可见光谱和X射线光电子能谱数据表明,这种空穴注入势垒的降低源自并五苯和Al向CuI的电子转移. 关键词： 有机场效应晶体管 CuI/Al双层源漏电极 电子转移     

强磁场下Cernox^TM温度传感器的磁致电阻效应研究

以Cernox-1070温度传感器为研究对象,研究了其在磁场强度0-16 T和4.2-300K温区下的磁致电阻效应.实验结果表明：CX-1070温度传感器受磁场的影响较小,在16T、4.2-300K的磁效应值为-0.19-2.38%,产生的最大测量误差为0.11K;15-50K温区为磁效应最低的温度区间,在50-300...     

淬火转移时间对2024和7075薄板晶间腐蚀及拉伸性能的影响

研究了在不同的淬火转移时间下,2024和7075薄板的晶间腐蚀及拉伸性能的变化,结果表明随着淬火转移时间的延长,对于2024-T62和7075-T73晶间腐蚀从无到有并且腐蚀深度逐渐加深,抗拉强度和屈服强度随淬火转移时间的延长不断下降。     

四氯苯醌与嘧啶类核酸碱基的光化学氢抽取和电子转移反应

采用纳秒时间分辨的激光闪光光解实验技术,研究了四氯苯醌(TCBQ)分子与两种嘧啶核酸碱基(胸腺嘧啶和尿嘧啶)分子在355nm激发下的光化学反应动力学. 355 nm将TCBQ分子布居到激发三重态³TCBQ^*,高反应活性的³TCBQ^*与碱基分子发生两个平行的反应,氢抽取反应和电子转移反应,分别对应生成瞬态光谱上观测到的两个光反应产物TCBQH·和TCBQ·^-. 这两个反应同时生成的碱基自由基和碱基阳     

脉冲控制量子系统的哈密顿量约化

探索了脉冲控制的含近简并能级的有限维量子系统的哈密顿量的约化．由一个非简并基态能级和几个近简并激发态能级组成的量子系统被一个短脉冲控制,目标是控制所有激发态的布居数之和．考虑了两个可以看成等价二能级系统的例子,当脉冲强度比较弱时,得到了原始系统和约化系统的简单关系;当脉冲强度比较强时,对于只含一个频率的脉冲,一阶近似的关系也是存在的．     

锰氧化物相竞争的理论研究

势函数是在平衡态统计物理中应用得十分成功的理论,将势函数理论推广到非平衡系统是非平衡态统计物理的一项十分重要的任务。本文综述了非平衡态势函数理论的一个重要方面,即利用对随机过程的研究来建立系统的势函数,本文阐述了非平衡系统势函数的定义和概念;论证势函数在系统演化过程中的单调性质;详细介绍了各种计算非平衡势函数的方法;同时介绍了利用势函数解析地研究在噪声作用下的非线性系统的非定态演化行为。整个研究包含了一维和多维系统的广泛系统。     

四端星-网电阻网络的等效变换及其应用

导出了四端星-网(全网)电阻网络的等效变换式,并应用它求出几例特殊复杂电阻网络(非串非并电路)的等效电阻.     

对电池老化时欧姆表测量误差的计算和分析

关于电池老化对欧姆表测量的影响,刊文多指串联调零简单表(如2009年高考天津卷试题),其结论是在电池用旧时电阻测值显著偏大(与电池内阻无关).而实际表并非如此简单,本文将作具体分析.1欧姆表电阻测量原理及误差产生机理     

真空变温薄膜电阻测试仪器的设计与应用

设计了自制真空变温薄膜电阻测试仪器,可以实现粗真空条件下,从室温到300℃的四探针法薄膜电阻测试.该仪器适用于开展薄膜物性与电阻和温度相关的实验,例如,金属与半导体薄膜的温度-电阻特性实验,二氧化钒薄膜热滞效应实验等.