真空变温薄膜电阻测试仪器的设计与应用

设计了自制真空变温薄膜电阻测试仪器,可以实现粗真空条件下,从室温到300℃的四探针法薄膜电阻测试.该仪器适用于开展薄膜物性与电阻和温度相关的实验,例如,金属与半导体薄膜的温度-电阻特性实验,二氧化钒薄膜热滞效应实验等.     

两个苯甲羟肟酸有机锡配合物的合成、结构及抗癌活性

合成了2个苯甲羟肟酸有机锡配合物：[(o-Cl-C₆H₄CH₂)₂Sn (C₆H₅CONO)₂](1)和[(o-CH₃-C₆H₄CH₂)₂Sn (C₆H₅CONO)(C₆H₅COO)](2)。通过元素分析、红外光谱、核磁共振氢谱、热重分析、单晶X射线衍射等方法对配合物进行了结构表征,对其结构进行量子化学从头计算和体外抗癌活性研究。结果显示：配合物均为单锡核结构,配合物1为六配位的畸变八面体构型,配合物2为五配位的畸变三角双锥构型;配合物1对人宫颈癌细胞(HeLa)、肝癌细胞(HuH-7)和肺腺癌细胞(H1975)显示出比临床使用的顺铂强的抑制活性,而配合物2的抑制活性要弱得多。     

碳纳米管包裹的硅纳米线复合结构的热稳定性研究

采用经典分子动力学方法模拟一定直径[111]晶向的硅纳米线填充不同扶手椅型单壁碳纳米管复合结构的加热过程, 通过可视化和能量分析的方法判断复合结构中硅纳米线和碳纳米管的热稳定性. 通过讨论碳纳米管的空间限制作用和分子间相互作用力的关系, 对碳纳米管和硅纳米线的热稳定性变化进行初步解释. 研究发现碳纳米管中硅纳米线的热稳定性和碳纳米管的直径关系密切: 当管径较小时, 硅纳米线的热稳定性有所提高, 当管径增大到一定大小时, 硅纳米线的热稳定性会突然显著地下降, 直到硅纳米线与管壁不存在分子间相互作用力, 硅纳米线的热稳定性才会恢复. 而硅纳米线填充到碳纳米管中对碳纳米管的热稳定性有着明显的降低作用.     

Co含量对Fe3Si合金磁学性能的影响

采用基于密度泛函理论（DFT）的赝势平面波法,对过渡金属Co掺杂Fe₃Si进行几何结构优化,计算Co含量对Fe₃Si合金磁学性质的影响.研究表明：Fe_3-xCo_xSi的磁性主要来源于过渡金属元素Fe和Co,并且相对于A、C位的Fe和Co原子,B位Fe的原子磁矩较大;在0≤x≤0.75范围内,随着Co含量的增大,Fe_3-xCo_xSi的总磁矩缓慢减小,在0.75≤x≤1.5时,其总磁矩迅速地增大;A、C位Fe原子的磁矩和合金总磁矩的变化趋势相同,Co原子的磁矩随着Co含量的增大缓慢地增大,原子的磁矩变化与自旋向上和向下方向的电荷转移有关.     

压强对液态InGaAs快速凝固过程中微观结构变化的影响

采用分子动力学方法模拟不同压强下液态InGaAs的快速凝固过程,并采用径向分布函数、键角分布函数、配位数统计以及可视化等方法,从微观结构的不同层面分析了压强对凝固过程微观结构的影响机制.结果表明:对于InGaAs体系,压强对最近邻和次近邻的原子排布都有影响,但对次近邻原子排列的影响更为明显,通过次近邻原子键角的调整,使得原子排列更加紧密,体系的短程有序度增强.在原子的配位数结构上,随着压强的增加,部分三配位向四配位发生转变,从而使整个体系达到致密的结构.     

磁控溅射法制备ZnO/YBCO异质结及电学特性

利用磁控溅射技术在YBCO上沉积ZnO薄膜,获得ZnO/YBCO异质结.测量其不同温度下的电学性质,样品显示良好的整流特性,并且随着温度的升高,ZnO/YBCO异质结电流逐渐增大.     

PEDOT:PSS Schottky contacts on annealed ZnO films

Polycrystalline ZnO and ITO films on SiO₂ substrates are prepared by radio frequency (RF) reactive magnetron sputtering. Schottky contacts are fabricated on ZnO films by spin coating with a high conducting polymer, poly(3, 4-ethylenedioxythiophene): poly(styrenesulfonate) (PEDOT:PSS) as the metal electrodes. The current-voltage measurements for samples on unannealed ZnO films exhibit rectifying behaviours with a barrier height of 0.72 eV (n=1.93). The current for the sample is improved by two orders of magnitude at 1 V after annealing ZnO film at 850 ℃, whose barrier height is 0.75 eV with an ideality factor of 1.12. X-ray diffraction, atomic force microscopy and scanning electron microscopy are used to study the properties of the PEDOT:PSS/ZnO/ITO/SiO₂. The results are useful for applications such as metal-semiconductor field-effect transistors and UV photodetectors.     

压强对液态InGaAs快速凝固过程中微观结构变化的影响

采用分子动力学方法模拟不同压强下液态InGaAs的快速凝固过程,并采用双体分布函数、键角分布函数、配位数统计以及可视化等方法,从微观结构的不同层面分析了压强对凝固过程微观结构的影响机制。结果表明：对于InGaAs体系,压强对最近邻和次近邻的原子排布都有影响,但对次近邻原子排列的影响更为明显,通过次近邻原子键角的调整,使得原子排列更加紧密,体系的短程有序度增强。在原子的配位数结构上,随着压强的增加,部分三配位向四配位发生转变,从而使整个体系达到致密的结构。