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以Pt电阻温度传感器(Pt-111)为研究对象,研究了其在0~16T磁场下、4.2~300K温区内的磁致电阻效应.结果表明:Pt-111在0~16T场强、4.2~77K温区内,磁效应随场强的增加和温度的降低而明显升高,77~300K温区内温度计受磁场的影响较小,其中在16T下,4.2K和300K处的磁效应分别为48.2%和1.07%;在4.2-77K温区,Pt-111由磁阻引起的测量误差场强的升高和温度的降低而明显升高,在16T、4.2K处和16T、77K处的温度测量误差分别为18.3K和1.69K.Pt-111不推荐应用在77K以下的磁场环境. 相似文献
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采用三角势近似界面导带弯曲,研究了有限高势垒GaN/Ga1-x Al x N球形量子点中束缚极化子的结合能及其压力效应。数值计算了杂质态与声子之间相互作用对结合能的影响,同时与方形势垒进行了比较。结果表明,随着电子面密度的增加,导带弯曲效应增强,束缚极化子结合能逐渐下降。当电子面密度n s=(6.0,8.0)×1011/cm2且量子点半径R>10 nm时,束缚极化子的结合能趋近于一个相同且较小的值。结合能的极化效应主要来自杂质与光学声子相互作用的贡献。 相似文献
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ASSESSMENT OF LOCAL INFLUENCE IN MULTIVARIATE ANALYSIS 总被引:3,自引:0,他引:3
ASSESSMENTOFLOCALINFLUENCEINMULTIVARIATEANALYSIS¥(石磊,王学仁)ShiLei;WangXueren(InstituteofAppliedMathematicsofYunnanProvinceDepar... 相似文献
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SURFACE PHASE DECOMPOSITION IN Bi2Sr2CaCu2O7-y SINGLE CRYSTALS UNDER NITROGEN IONS IRRADIATION 下载免费PDF全文
The influence of irradiation by 30 keV nitrogen ions with a fluence 1×1018N+·cm-2 on the crystal structure of single crystal Bi2Sr2CaCu2O7-y was investigated by means of X-ray photoelectron spectroscopy and X-ray diffraction. The irradiation caused a transformation from Bi2Sr2CaCu2O7-y (2212 phase) to Bi2Sr2CuO5-x (2201 phase). It was observed that. a small amount of metallic bismuth with an average thickness of about 6.3nm appeared after the irradiation. The possible reaction mechanism under nitrogen-ion irradiation was discussed. 相似文献
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This article presents a statistic for testing the sphericity in a GMANOVA- MANOVA model with normal error. It is shown that the null distribution of this statistic is beta and its nonnull distribution is given in series form of beta distributions. 相似文献
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