WO_3掺杂在淬火YBa_2Cu_3O_（7－x）超导体中的作用

同样经过空气中９００℃至室温淬火，纯ＹＢａ２ＣＵ３Ｏ７－ｘ（ＹＢＣＯ）不超导，而适量掺ＷＯ３的ＹＢＣＯ却可在８８Ｋ以上显示超导电性，更为奇妙的是，Ｗ并没有进入ＹＢＣＯ晶格．为弄清后者超导电性恢复的原因，本文对经过以上条件淬火的纯ＹＢＣＯ及掺３ｗｔ％ＷＯ３的试样进行了一系列研究，并对比研究了相同条件下烧结但在氧气氛中慢冷却的样品．所有结果均表明，淬火过程中掺杂样品冷却较慢很可能是使之恢复超导电性的主要原因．本工作的重要意义在于从非稳态导热的角度探讨了适当掺杂的淬火ＹＢＣＯ超导电性恢复的原因，并可能对改进相应材料超导薄膜的制备工艺有所启迪．     

成败型寿命试验──GLM和E-M算法

成败型寿命试验──ＧＬＭ和Ｅ－Ｍ算法王学仁云南省应用数学研究所石磊（云南大学统计系，昆明６５００９１）１９９０年１０月１５日收到．１９９２年８月２４日收到修改稿．一、引言在可靠性分析中，成败型寿命试验是经常碰到的问题．某些产品随着时间的推移，其可靠程...     

THE ANNEALING FEATURES OF Ta/Si MULTILAYER FILMS

The Ta/Si multilayers on (100) Si substrate have been studied over the annealing temper-ature range from 500 to 900℃ by X-ray diffraction and cross-section transmission electron microscopy. The periodicity of the multilayers becomes worse with increasing annealing tem-perature and disappears at 750℃. At 600℃, two kinds of modulation wavelength coexist because the size of several TaSi₂ grains is larger than the contracted original modulation wavelength. The films are contracted after annealing. The largest contraction, at least 40nm decreasing in thickness, occurs at 600℃. When the annealing temperature is lower than 600℃, h-TaSi₂ grains grow randomly and the growth is not affected by the substrate. At temperatures higher than 750℃, h-TaSi₂ grows preferentially in [001] direction parallel to [100] axis of Si substrate. The appearance of texture depends on whether the atomic diffusion is short range or long range at the corresponding annealing temperature.     

EFFECT OF THERMAL TREATMENTS ON THE SUPERCONDUCTIVITY OF UNDOPED AND WO3 DOPED Y-Ba-Cu-O SYSTEM

Undoped and WO₃-doped Y-Ba-Cu-O ceramics have been slowly cooled in flowing oxygen or quenched in air from 900℃ to room temperature, after sintering at 900℃ for 3Oh in flowing oxygen. The ac susceptibility measurements show that the T_c of the quenched WO₃-doped Y-Ba-Gu-O superconductor can reach 88K, while the undoped Y-Ba-Cu-O ceramic quenched in air is a non-superconductor. X-ray diffraction data show that WO₃ does not enter into the YBa₂Cu₃O_7-x lattice but forms all impurity phase. The WO₃-doped YBCO specimens quenched in air consist of orthorhombic YBa₂Cu₃O_7-x phase and an impurity phase which increases with increasing WO₃ content. Raman spectra chow that oxygen contents are different for undoped and WO₃-doped samples. It la suggested that suitable doping with WO₃ can change the oxygen content and reduce the effect of thermal treatments on the superconductivity of Y-Ba-Cu-O system.     

双路输出超宽谱高功率微波驱动源Tesla变压器

为实现25 GW级双路输出超宽谱高功率微波驱动源的小型化,选择研制了一种与双筒脉冲形成线(Blumlein线)相配一体化的带有开路磁芯的Tesla变压器,作为初级脉冲功率源。进行了Tesla变压器的理论分析,利用简化的磁路模型研究了Tesla变压器初次级线圈电感等电参数的估算方法,给出了Tesla变压器磁芯截面的估算和磁芯制作方法。该Tesla变压器最大输出电压880 kV,充电时间约20 s,耦合系数约0.95,实验结果与理论设计相符。     

形成线脉冲压缩技术在超宽谱技术中的应用

分析了基于同轴Blumlein线的高功率脉冲源对低阻抗短形成线充电、实现脉冲压缩的基本原理,给出了理想情况下,脉冲压缩后输出的高功率超宽谱脉冲电压、功率增益及能量效率计算公式。利用电路仿真软件建立了脉冲压缩电路模型,通过模拟验证了理论分析。模拟了实际主脉冲波形对输出脉冲的影响,结果表明:低阻抗压缩线充电时间变长、充电电压峰值降低;通过在前级脉冲源与脉压形成线之间增加一定长度传输线,可以有效提高压缩线充电电压。针对典型的同轴Blumlein线高功率脉冲源紧凑Tesla型高功率脉冲源CKP-1000,设计了脉冲压缩装置和测量系统,建立了完整的脉冲压缩实验系统,开展了脉冲压缩试验。该脉压系统可将4.5 ns输入脉冲压缩为前沿940 ps、半高宽约1 ns的亚纳秒脉冲,实现了约2.2倍的功率增益。实验数据与理论分析基本吻合。     

丙烯腈-尿素包合物的形成过程及特征

利用差示扫描量热法(DSC)和X射线衍射(XRD)研究了在不同丙烯腈/尿素投料比情况下的丙烯腈-尿素包合物的形成过程和组成. 实验结果表明DSC是一种研究包合物的客主比及分解热的有效方法. 测定了丙烯腈-尿素包合物的客主比和分解热分别为1.17和5361.53 J/mol. 同时发现丙烯腈-尿素包合物的形成依赖于冷冻时间,在足够长的冷冻时间之后丙烯腈-尿素包合物的组成达到稳定状态. 实验结果表明,丙烯腈分子可能是采用堆叠的方式排布在尿素晶道结构中. XRD结果表明只要丙烯腈分子进入尿素晶格中,丙烯腈-尿素包合物的结构便形成了,并且这种结构与形成过程终了时的结构是一致的. 只要丙烯腈是足量的,包合物中的丙烯腈分子排列会随冷冻时间的延长而增长,直到尿素的晶道结构被丙烯腈分子填满.     

低气压条件下氢气潘宁放电的模拟分析

为更好地理解低气压、弱电离条件下潘宁离子源放电过程中离子和电子的动力学行为, 通过建立二维轴对称模型, 采用粒子模拟与蒙特卡罗相结合(PIC/MCC)的方法, 考虑了电子与氢气之间的弹性碰撞、激发、电离以及氢原子、离子之间的弹性碰撞和电荷交换等过程, 对微型氢气潘宁离子源放电和引出过程进行了数值研究. 考察了磁场位形、壁面二次电子发射系数、引出电压和充气压力对放电过程的影响, 得到了实验中难以诊断得到的放电腔内电子与离子数密度分布, 阳极电流、引出极离子电流、单原子氢离子比例和双原子氢离子比例等宏观参数与实验结果相一致. 通过仿真使得对氢气潘宁放电机制的研究从定性过渡到定量, 这对于潘宁离子源的设计和改进具有重要意义. 关键词： 潘宁放电 氢气 粒子模拟 蒙特卡罗     

非相干光纤激光组束中光栅参数的确定

光栅衍射效率是非相干光纤激光组束系统的关键,理论分析和数值仿真表明光栅衍射效率随着光栅频率和光栅厚度的减小而增大。全面综合考虑光栅频率应该选取在200mm-1和400mm-1之间,光栅厚度在1mm到2mm之间。同时提出了一种不等间隔方法提高系统总体衍射效率,该方法较等间隔条件下衍射效率提高了0.1651。     

镁及镁合金中微量磷的测定方法研究

磷与钼酸铵形成磷钼杂多酸络幌物,用乙酸丁酯萃取分离,用SnCl2还原反萃取后借磷钼蓝光度法测定镁及镁合金中微量磷。在波长700 nm处工作曲线线性范围0~1.5μg/mL,相关系数为0.9995,络合物表观摩尔吸光系数ε=1.45×104L.mol-1.cm-1,相对标准偏差在1.40%~3.10%之间,加标回收率在99.3%~101.0%之间,本法与ICP法相对照结果比较满意。