气相色谱法分析不同提取条件的海狸鼠油脂成分

The fat and oil from myocastor coypus have been analysed by gas chromatography. Eight components were identified with a rapid and reliable method. Chromatographic conditions were as follows:column,10% DEGS on Chromosorb W AW DMCS(60 - 80 mesh),1.3m × 3.0mm i.d.;column temp.,195℃;injection temp.,250℃;detector temp,.250℃;carrier gas N2 with flow rate of 35mL/min.     

Differential nonlinear photocarrier radiometry for characterizing ultra-low energy boron implantation in silicon

The measuring of the depth profile and electrical activity of implantation impurity in the top nanometer range of silicon encounters various difficulties and limitations, though it is known to be critical in fabrication of silicon complementary metal-oxide-semiconductor (CMOS) devices. In the present work, SRIM program and photocarrier radiometry (PCR) are employed to monitor the boron implantation in industrial-grade silicon in an ultra-low implantation energy range from 0.5 keV to 5 keV. The differential PCR technique, which is improved by greatly shortening the measurement time through the simplification of reference sample, is used to investigate the effects of implantation energy on the frequency behavior of the PCR signal for ultra-shallow junction. The transport parameters and thickness of shallow junction, extracted via multi-parameter fitting the dependence of differential PCR signal on modulation frequency to the corresponding theoretical model, well explain the energy dependence of PCR signal and further quantitatively characterize the recovery degree of structure damage induced by ion implantation and the electrical activation degree of impurities. The monitoring of nm-level thickness and electronic properties exhibits high sensitivity and apparent monotonicity over the industrially relevant implantation energy range. The depth profiles of implantation boron in silicon with the typical electrical damage threshold (Y_ED) of 5.3×10¹⁵ cm^-3 are evaluated by the SRIM program, and the determined thickness values are consistent well with those extracted by the differential PCR. It is demonstrated that the SRIM and the PCR are both effective tools to characterize ultra-low energy ion implantation in silicon.     

基于阶梯填充系数法的单螺管储能磁体优化设计

高温超导带材的出现,使超导储能磁体能以更高的性价比应用于工程中,然而YBCO的各向异性使带材整体的利用率较低,储能潜力没很好开发出来。本文通过ANSYS maxwell建立磁体有限元模型,结合YBCO带材的临界电流特性以及磁体上"坏点"的位置分布规律,提出一种新磁体结构即阶梯填充系数结构。与初始储能磁体相比,优化后双阶梯填充系数磁体最大径向磁场值降低14.08%,储能提高24.88%;三阶梯填充系数磁体最大径向磁场值降低44.52%,储能提高67.17%。在此基础上进行了磁体机械稳定性检验,结果表明,机械稳定度约达80%,可稳定运行。     

沉淀聚合法制备单分散聚(4-乙烯基吡啶-co-二乙烯基苯/三羟甲基丙烷三甲基丙烯酸酯)聚合物微球

以4-乙烯基吡啶(4-VP)为功能单体、二乙烯基苯(DVB)和三羟甲基丙烷三甲基丙烯酸酯(TRIM)为混合交联剂,偶氮二异丁腈(AIBN)为引发剂,乙腈为反应介质,采用沉淀聚合法制备单分散聚合物微球.考察了共聚单体、溶剂、引发剂等聚合条件对聚合物微球粒径、分散性以及产率的影响.并用扫描电镜(SEM)、激光粒度分析仪、热重分析仪和红外光谱对微球进行了表征.结果表明,聚合物微球的表面形貌和产率可通过改变溶剂体积、单体/交联剂摩尔比和引发剂浓度等因素进行控制.降低乙腈溶液体积、增加DVB摩尔比例及交联剂摩尔比、可增加聚合物粒径及粒度分布均匀性,而聚合物产率随溶剂体积和DVB摩尔比增大而减小,随交联剂摩尔比和引发剂浓度的增加而增加.在最优条件下,即DVB和TRIM两者摩尔比4∶1,单体/交联剂摩尔比1∶5,乙腈用量为5.6 m L(单体和交联剂占介质体积的7%),引发剂浓度为2 wt%~6 wt%(占总反应单体的量)时,可获得形貌规则、产率较高的单分散poly(4-VP-co-DVB/TRIM)微球,微球平均粒径约4.02μm,粒径分布指数(U)为1.013.此外,热重分析结果显示,聚合微球于350℃时开始分解,600℃时失重率达84.9%.     

水体中硝基芳烃类有机污染物分析方法研究进展

硝基芳烃类有机物是一类重要的化工原料,也是性质相对稳定、难以降解的高毒污染物。其检测技术主要有分光光度法、电化学法、液相色谱法、气相色谱-电子捕获检测器法(GC/ECD)、气相色谱-质谱法(GC-MS)等。其中GC/ECD法和GC-MS法因测定准确、灵敏、适用范围广而得到广泛应用。该文从不同类型水体中硝基芳烃类有机物样品的采集、前处理以及检测分析技术的选择角度,对硝基芳烃类有机物检测技术的发展进行了简要评述,同时对其分析方法进行了展望。     

化学化工专业“学、研、创”实验教学模式的研究与实践

围绕学校创新性应用型人才培养目标,依托国家级高等学校实验教学示范中心等教学科研平台,对实验教学模式进行改革创新和实践,构建了以"学、研、创"为核心的化学化工实验教学新模式,完善了实验教学保障机制,着力培养学生的应用能力、创新能力和创业能力。     

盐酸林可霉素分子印迹膜电化学传感器的制备及应用

本文以盐酸林可霉素为目标分子,邻苯二胺为功能单体,采用循环伏安(CV)法,在玻碳电极表面成功制备了盐酸林可霉素聚合膜传感器。应用差分脉冲伏安(DPV)法和CV法对所制传感器的性能进行了研究。实验结果表明,该传感器具有良好的稳定性、重现性、选择性及准确性。用DPV法测定,盐酸林可霉素浓度在6.604×10~(-8)~1.204×10~(-6) mol/L范围内与其峰电流呈线性关系,相关系数r=0.9959,检出限为5.0×10~(-9) mol/L。该方法可用于实际样品的测定。     

二阶p-Laplace多参数离散周期边值问题三个解的存在性

研究了二阶p-Laplace含多个参数的非线性离散周期边值问题,获得了非线性项在更一般的情形下三个解的存在性定理.主要结论的证明基于临界点理论.     

基于Pt/GaN/AlGaN异质结高响应度双波段紫外探测器

提出一种在AlGaN基PIN器件的p-GaN表面上沉积Pt,形成肖特基势垒(SB)-PIN异质结器件,器件的能带和载流子的输运发生了变化,这种新型光电探测器实现了双波段紫外探测,可分别工作在光伏和光电导模式下。器件在275 nm波长的紫外光照射的负偏置电压下,工作模式为光伏探测,当入射光功率密度为100μW/cm²,偏置电压为-10 V时,器件得到最大响应度(0.12 A/W);当偏置电压为-0.5 V时,器件得到最大探测率(1.0×10¹³ cm·Hz^1/2·W^-1)。器件在正偏置电压工作模式下可作为高响应、高增益的光电导探测器,当偏置电压为+10 V时,用275 nm和365 nm波长的紫外光照射(光功率密度为100μW/cm²),器件的响应度分别为10 A/W和14 A/W,外量子效率分别为4500%和4890%。所设计的双波段多功能器件将极大地扩展基于AlGaN的紫外探测器的用途。     

新工科背景下分析化学中质量保证和质量控制的教学改革探究*

通过对目前分析化学教学中存在问题的分析,探究了新工科背景下分析化学专业中关于质量保证和质量控制方面的教学改革,提出了增设“分析化学中的质量保证和质量控制”或者类似的课程的建议,指出分析化学的教学应该围绕整个分析过程展开,并将分析化学中的质量保证和质量控制知识融入分析全过程中,注重理论课程与实践课程相互结合的同时更加强调应用性,增强学生的实践能力和分析问题、解决问题的能力。此外,分析化学教学重在“分析”,要与分析实验室/检测机构保持紧密联系,应建立以市场为导向、以技术为核心的教学活动,从而实现为社会不断培养与时俱进的分析人才的教育目标。