微接触印刷法控制硫化物晶体生长

十八烷基三氯硅烷;三氯硅烷;阵列;微接触印刷法控制硫化物晶体生长     

氧化物直接转化法制备汞的硫属化合物纳米材料

以低毒性的HgO与S,Se,Te单质为原料,乙二胺为溶剂,在室温下合成了汞的硫属化合物纳米材料HgS,HgSe和HgTe,并通过XRD,TEM和XPS对产物进行了表征.结果表明,所合成的产物为六方相α-HgS和立方闪锌矿结构的HgSe和HgTe,且纯度高,粒度分布均匀.对反应的机理进行了初步探讨.     

溶剂热合成制备纳米In_1-_xAl_xP固溶体(英)

在１６０ ℃下,以１ ,２二甲氧乙烷为溶剂和配合剂用溶剂热合成法成功地制得１０ ～１２ ｎｍ 的 Ｉｎ１ － ｘ Ａｌｘ Ｐ固溶体,固溶度ｘ 在０ ～０ ．５５ 之间。 Ｘ Ｒ Ｄ 和 Ｔ Ｅ Ｍ 用以鉴定产物的结构和形貌, Ｘ Ｐ Ｓ 给出产物的固溶度和纯度。     

γ-射线辐照法制备纳米Cu-Pd合金粉末的影响因素

纳米Ｃｕ－Ｐｄ合金粉末在催化［１－４］、电导体［１,５,６］、导电胶［１,６］、传感器［７］、气体吸附与分离［８,９］等许多方面有着重要用途。其制备方法虽较多［１－４,１１－１７］,但多数方法制备温度较高,难以制得纳米Ｃｕ－Ｐｄ合金。γ－射线辐照还原...     

用毛细微模塑法制造无机盐及聚合物的微结构

软刻蚀;弹性印章;聚二甲基硅氧烷;用毛细微模塑法制造无机盐及聚合物的微结构     

喷射共沉淀法制备纳米ZnFe2O4及其结构表征

对化学共沉淀法加以改进,称为喷射共沉淀法,采用喷射共沉淀法制备了ZnFe2O4纳米粉末材料。采用XRD,SEM和TEM进行结构分析,结果表明,喷射共沉淀法制备的ZnFe2O4纳米粉末颗粒细小均匀,形状完整,由于纳米尺寸效应的存在,纳米ZnFe2O4粉末材料具有铁磁性,从流体力学角度分析了喷射共沉淀法中物质的输运和反应过程,并解释了试验结果,认为喷射共沉淀法是一种较好的制备氧化物纳米粉末材料的方法。     

单晶CoV2O6·2H2O纳米带的合成及其电化学性质研究

本文描述了在反应体系中不加入任何表面活性剂或模板的情况下,以水热法合成正交相的CoV2O6.2H2O纳米带;烧结反应得到其脱水盐,即单斜相CoV2O6。通过X射线粉末衍射法(XRD),场发射扫描电子显微镜(FE-SEM),透射电子显微镜(TEM)和X射线光电子能谱(XPS)等研究了这些产物的物相、形貌和化学组成等,并通过热重分析研究了CoV2O6·2H2O纳米带的热稳定性。此外,还观察了CoV2O6.2H2O纳米带的形成过程,认为其遵循一个经典的固-液-固的形成机制。最后,通过锂离子电池实验研究了CoV2O6.2H2O纳米带及其脱水盐的电化学性质,发现其放电容量分别达到980和675 mAh·g-1。     

SYNTHESIS AT AMBIENT PRESSURE AND SUPERCONDUCTIVITY OF Hg-DOPED TI-BASED DOUBLE [(T1, Hg)-O]-LAYERED CDPHATES

The Hg-doped T1-based 2201 and 2212 phase layered cuprates have been successfully syn-thesized at ambient pressure and identified by X-ray powder diffraction and electron diffraction analysis. Compared with pure T1-based 2212 phase compound, there are indications that the corresponding Hg-doped T1-based compound (T1_1.8Hg_0.2)Ba₂CaCu₂O_z exhibits much higher T_c (> 132K).     

大尺寸LnBa_2Cu_3O_(7-δ)单晶的生长及其超导电性

本文报道大尺寸LnBa_2Cu_3O_(7-δ)(Ln=Y,Eu,Gd,Dy,Ho,Er,Tm,Yb,Lu)单晶生长及其超导电性,并讨论了(001)自然晶面的X射线多级衍射、劳厄相、旋进相等单晶鉴定法。