零电阻为106.5K的单相超导化合物Bi_(1.65)Pb_(0.35)Sr_2Ca_2Cu_3O_y的制备与超导电性

采用固相反应法合成了名义组份为Bi_(2-x)Pb_xSr_2Ca_2Cu_3O_y(x=0.30;0.35;0.40;0.45)的样品。对样品进行了物相和结构分析,同时测量了电阻-温度关系和直流磁化率。结果表明:x=0.35的样品为单相材料,X射线相分析和电子衍射表明其相结构类似2223相,为四方结构,其晶格常数为a=b=5.414A,c=37.106A,且沿a,b两个方向都观察到调制结构。电阻和直流磁化率测量结果显示:在温度高于50K以上,仅存在一个 107K超导相。此外,单相材料的制备条件(组分、烧结温度、室温下淬火及淬火速率)非常苛刻。如同1-2-3相材料一样,氧含量不仅影响样品的成相规律、零电阻温度,而且还严重影响其正常态的输运性质。     

La_(0.67)Sr_(0.33)Fe_xMn_(1-x)O_3制备和奇特磁电阻效应

系列陶瓷氧化物La0.67Sr0.33FexMn1-xO3（0.055x0.33）通过共沉淀法工艺合成获得.经X射线衍射分析表明，所得氧化物均为单相，属三方结构.在零场和外加磁场下的四极法电阻测试结果表明：所有样品都具有较大的磁电阻效应，当x<0.13时，样品的电阻率-温度曲线中均出现电阻率峰（电阻率出现从半导体性向金属性的转变），该电阻率峰处的温度（Tp）随x的增大而向低温区移动，磁电阻效应是负值;x＝0.23时，样品已呈半导体性，磁电阻效应仍是负值;然而x＝0.33时，样品虽也表现为半导体性，但其中的磁电阻效应出现奇特的正负交替转换.     

还原-硅化法制备稀土硅化物（NdSi2，YSi2）纳米晶及其性能(英)

本文采用无水的氯化钕和氯化钇及硅粉作为起始原料，在高压釜中在650 ℃的温度条件下，通过还原-硅化途径成功地合成了硅化钕（NdSi₂）和硅化钇（YSi₂）。X射线衍射结果显示他们分别是四方相的二硅化钕和六方相的二硅化钇结构。透射电镜照片表明他们的平均粒径分别是40 nm和60 nm。样品的光致发光结果说明他们在波长分别为441 nm和366 nm处能发光。热重曲线显示他们在流动空气的介质中在550 ℃以下具有很好的抗氧化性。     

金属硅化物纳米材料的化学合成

金属硅化物具有很高的熔点、较低的电阻率、很好的化学稳定性和热稳定性等性能，因此得到了广泛的重视。本课题组最近发展了熔盐（无机溶剂）法、四氯化硅溶剂热法、以氟硅酸钠为硅源的共还原法制备金属硅化物纳米材料等方法。本文就金属硅化物纳米材料化学合成的方法进行了综述。     

Nd0.67M0.33MnO3(M=Mg,Ca,Sr,Ba)的制备、结构与电性

本文通过共沉淀工艺合成了系列陶瓷化合物Nd_0.67M_0.33MnO₃(M=Mg,Ca,Sr,Ba)。与传统的陶瓷法相比，其成相温度降低了400℃。经X射线衍射分析表明，所得化合物为立方钙钛矿结构，各化合物的成相温度范围受碱土二价金属离子(M²⁺)的影响。样品的四极法电阻率测试结果表明：M²⁺的离子半径对样品的导电性起决定作用，并提出了反铁磁性(AF)与铁磁性(AF)等磁性结构假设，解释了该系列化合物的导电性。     

铜胶体的制备及光谱研究

以水合肼为还原剂通过控制化学还原反应，从硫酸铜溶液中制备出纯金属铜胶体，研究了表面活性剂的浓度对胶体粒子大小及团聚等的影响，紫外－可见光谱与胶体粒子尺寸及团聚的关系，结果表明，在较高浓度的表面活性剂存在下，能有效地防止粒子的团聚，有利于球形小粒子的生成。     

喷射共沉淀法制备纳米ZnFe_2O_4及其结构表征

对化学共沉淀法加以改进称为喷射共沉淀法。采用喷射共沉淀法制备了ZnFe2O4纳米粉末材料。采用XRD、SEM和TEM进行结构分析结果表明喷射共沉淀法制备的ZnFe2O4纳米粉末颗粒细小均匀形状完整。由于纳米尺寸效应的存在纳米ZnFe2O4粉末材料具有铁磁性。从流体力学角度分析了喷射共沉淀法中物质的输运和反应过程并解释了试验结果。认为喷射共沉淀法是一种较好的制备氧化物纳米粉末材料的方法。     

非水溶剂水热法制备CeO2纳米粉

本文以甲酸为反应介质,采用非水溶剂水热法制备了CeO2纳米粉,XRD分析结果表明产物为萤石结构的立方相CeO2,TEM分析结果表明产物颗粒呈球形,粒径分布范围很窄,IR和XRS分析结果表明产物中无水,甲酸,NO3^-吸附;同时采用光声光谱对CeO2纳米粉的量子尺寸效应进行了研究。     

La0.67Sr0.33FexMn1-xO3制备和奇特磁电阻效应

The Ln0.67Sr0.33Fe.Mn1-xO3(LSFMO)(0.05< x <0.33) systems have been synthesized by co-precipitation. The X-ray diffraction patterns indicates that these compounds are of single phase with rhombohedral structure. The resistivity of samples was measured in zero field and applied field (H=4000Oe) by a standard four-probe method. Large magnetoresistance (MR) was found in all samples. There is a resistivity transition peak in LSFMO (x ≦0.13) in which MR negative, the temperature (TP) at which the resistivity peak occurs decreases with the increasing of x. LSFMO (x=0.23) to which the large negative MR is still found is a semiconductor, It is unexpected that a peculiar alternative positive negative MR was found in LSFMO(x=0.33) which also is a semicondutor.     

杂质对SnO2纳米小晶粒生长的影响

本文研究了杂质对ＳｎＯ２纳米晶粒生长的影响。结果表明，掺入Ｌｉ２Ｏ有利于ＳｎＯ２晶粒的生长，ＮｉＯ对ＳｎＯ２晶粒的生长没有明显的影响，Ａｌ２Ｏ３、Ｃｒ２Ｏ３、ＺｒＯ２、Ｆｅ２Ｏ３在８００℃以下阻碍ＳｎＯ２晶粒的生长；在更高温度时，杂质相结晶，它们将不再阻碍ＳｎＯ２晶粒的生长。