大尺寸LnBa2Cu3O7-δ单晶的生长及其超导电性

本文报道大尺寸LnBa₂Cu₃O_7-δ(Ln=Y,Eu,Gd,Dy,Ho,Er,Tm,Yb,Lu)单晶生长及其超导电性,并讨论了(001)自然晶面的X射线多级衍射、劳厄相、旋进相等单晶鉴定法。 关键词：     

Bi2Sr2CaCu2-xLixOy体系的光电子能谱研究

采用X射线光电子能谱对Bi₂Sr₂CaCu_2-xLi_xO_y体系在真空中获得的清洁表面进行了研究。结果表明:Li的掺入对Bi和Sr的化学键性质几乎没有影响,而Ca,Cu,O的化学键性质有较大的变化,其结合能随着Li含量x的增加向高能方向移动。同时对真空中获得的清洁表面和普通表面样品O1s进行了比较,结果发现真空中获得的清洁样品O1s有一个峰(528.4eV),而普通表面样品O1s有两个峰(528.4eV)和(531eV),这表明O1s的高能峰是由污染产生的。 关键词：     

碳化硅纳米材料的溶剂热合成

本文综述了溶剂热法制备一系列碳化硅纳米材料的研究,包括一维纳米线、纳米带、纳米棒、二维纳米片及空心球等;同时,碳源过量时可形成碳包覆碳化硅的复合材料。使用废塑料作为碳源合成了碳化硅纳米材料,为废塑料的回收再利用提供了新途径。通过使用碘、硫等添加剂,有效降低了合成温度,显示出溶剂热技术在制备碳化硅方面的独特优势。     

γ－射线辐照制备金属和金属氧化物纳米级超细粉

γ－射线辐照制备金属和金属氧化物纳米级超细粉陈祖耀，朱英杰，陈敏，钱逸泰，张曼维（中国科学技术大学应用化学系，合肥２３００２６）（中国科学院中国科学技术大学结构研究开放实验室，合肥２３００２６）某些金属盐及其溶液在可见光或γ－射线辐照下会变色生成微细...     

硫辅助合成高孔隙率大孔氮化硼材料

采用硫粉辅助的方法合成了具有一定有序孔洞结构的三维大孔氮化硼材料,具有高比表面积(230 m2.g-1)和高孔隙率(85.6%),并呈现开孔结构。在未加入硫粉的情况下则只形成完全无序的三维大孔氮化硼,并且比表面积和孔隙率分别降至122m2.g-1和73.7%。热重测试表明两种产品均具有良好的抗氧化性能。本文还对这种大孔材料的形成过程和硫粉的作用进行了初步的探讨。     

室温下合成纺锤形貌六方相NaLnF_4(Ln=Nd,Sm,Eu,Gd,Tb)纳米颗粒

室温下合成长250nm,宽100nm的纺锤形貌六方相的NaNdF4。NaEuF4,NaSmF4,NaGdF4和NaTbF4也用同样的方法获得。产物用XRD,TEM,HRTEM,FESEM和PL进行表征。PL光谱显示合成的NaEuF4的激发波长是394nm。NaEuF4有4个特征发射谱带,分别是591,615,650和681nm。     

La_(0.67)Sr_(0.33)Fe_xMn_(1-x)O_3制备和奇特磁电阻效应

系列陶瓷氧化物La0.67Sr0.33FexMn1-xO3（0.055x0.33）通过共沉淀法工艺合成获得.经X射线衍射分析表明，所得氧化物均为单相，属三方结构.在零场和外加磁场下的四极法电阻测试结果表明：所有样品都具有较大的磁电阻效应，当x<0.13时，样品的电阻率-温度曲线中均出现电阻率峰（电阻率出现从半导体性向金属性的转变），该电阻率峰处的温度（Tp）随x的增大而向低温区移动，磁电阻效应是负值;x＝0.23时，样品已呈半导体性，磁电阻效应仍是负值;然而x＝0.33时，样品虽也表现为半导体性，但其中的磁电阻效应出现奇特的正负交替转换.     

还原-硅化法制备稀土硅化物（NdSi2，YSi2）纳米晶及其性能(英)

本文采用无水的氯化钕和氯化钇及硅粉作为起始原料，在高压釜中在650 ℃的温度条件下，通过还原-硅化途径成功地合成了硅化钕（NdSi₂）和硅化钇（YSi₂）。X射线衍射结果显示他们分别是四方相的二硅化钕和六方相的二硅化钇结构。透射电镜照片表明他们的平均粒径分别是40 nm和60 nm。样品的光致发光结果说明他们在波长分别为441 nm和366 nm处能发光。热重曲线显示他们在流动空气的介质中在550 ℃以下具有很好的抗氧化性。     

金属硅化物纳米材料的化学合成

金属硅化物具有很高的熔点、较低的电阻率、很好的化学稳定性和热稳定性等性能，因此得到了广泛的重视。本课题组最近发展了熔盐（无机溶剂）法、四氯化硅溶剂热法、以氟硅酸钠为硅源的共还原法制备金属硅化物纳米材料等方法。本文就金属硅化物纳米材料化学合成的方法进行了综述。     

Nd0.67M0.33MnO3(M=Mg,Ca,Sr,Ba)的制备、结构与电性

本文通过共沉淀工艺合成了系列陶瓷化合物Nd_0.67M_0.33MnO₃(M=Mg,Ca,Sr,Ba)。与传统的陶瓷法相比，其成相温度降低了400℃。经X射线衍射分析表明，所得化合物为立方钙钛矿结构，各化合物的成相温度范围受碱土二价金属离子(M²⁺)的影响。样品的四极法电阻率测试结果表明：M²⁺的离子半径对样品的导电性起决定作用，并提出了反铁磁性(AF)与铁磁性(AF)等磁性结构假设，解释了该系列化合物的导电性。