强流脉冲离子束辐照靶材烧蚀效应二维数值研究

对强流脉冲离子束(IPIB)辐照Ti靶的烧蚀效应进行了二维数值研究.得到了表面烧蚀物质随脉冲时间的变化关系.得出TEMP Ⅱ 型加速器产生的脉冲束流辐照靶材时引起的汽、液化均是从表面开始、并且汽化过程中表面物质被层层烧蚀的结论.同时，得到中心区的平均烧蚀速度为10m/s 数量级，它远小于产生的烧蚀等离子体的喷发速度.得到脉冲期间靶材内部不同位置烧蚀斑痕形状的时间演化过程，以及束流中含有的离子种类分额不同时IPIB辐照过程产生的不同效果. 关键词： 强流脉冲离子束 靶 烧蚀过程 二维数值模拟     

直流磁控溅射沉积含He钛膜的研究

研究了用He/Ar混合溅射气体的直流磁控溅射制备钛膜中，He的掺入现象.分析结果表明，大量的He原子（He/Ti原子比高达56%）被均匀地引入到Ti膜中，其He含量可由混合溅射气体的He分量精确控制.通过调节溅射参数，可实现样品中He的低损伤引入.研究还发现，溅射沉积的含氦Ti膜具有较高的He成泡剂量和高的固He能力，这可能是溅射沉积形成了纳米晶Ti膜所致.纳米晶Ti膜较粗晶材料具有很高浓度的He捕陷中心，使He泡密度增大而泡尺寸减小.随He引入量的增加，Ti膜的晶粒尺寸减小，He引起的晶体点阵参数和X射线衍射峰宽度增大，晶体的无序程度增加.Helium trapping in the Ti films deposited by DC magnetron sputtering with a He/Ar mixture was studied. He atoms with a surprisingly high concentration (He/Ti atomic ratio is as high as 56%)incorporate evenly in deposited film. The trapped amount of He can be controlled by the helium partial amount. The introduction of the helium with no extra damage(or very low damage) can be realized by choosing suitable deposition conditions. It was also found that because of the formation of nanophase Ti film a relative high He flux for bubble formation is needed and the amount of the retain He in sputtering Ti films is much higher than that in the coarse grain Ti films. The nanophase Ti film can accommodate larger concentration of trapped sites to He, which results in a high density and small size of the He bubbles. With the increasing He irradiation flux, the grain size of Ti film decreases and the lattice spacing and width of the X ray diffraction peak increase due to the He introduction, and the film tends to amorphous phase.     

强流离子束通过Penning阱时产生的电子云

本文研究强流离子束通过Penning阱时产生的电子云.利用电子运动的流体方程组讨论了电子云中电子密度、电子温度、电子的漂移角速度和扩散流密度以及电位的分布.     

溅射银超细微晶膜分析

采用真空溅射沉积技术在硅单晶Si（111）面上制备厚度约为18nm的银超细微晶膜（AgUFCP）．用掠入射X射线散射技术分析了AgUFCP的结构和膜与衬底Ag/Si（111）界面形态．用广角X射线衍射和径向分布函数探索了AgUFCP的半晶态结构特征．用差热扫描量热法检测分析了银超细微晶粒子的表面原子结构，揭示了超细微晶粒子表面生长的热动力学机理对表面壳层结构的温度依赖性． 关键词：     

应用于金属蒸气激光器的磁约束溅射放电理论模型

在分析磁约束溅射放电特性的基础上建立了相应的理论模型，给出了金属原子的平均密度与放电电流密度的关系，以及平衡态金属原子密度的空间分布特点．从实验上定性验证了理论预测的正确性 关键词：     

~(159)TbII超精细结构光谱测量

利用具有光谱高分辨和选择性激发等特点的共线快离子束激光光谱学方法研究了159Tb II亚稳态 4 f95 d7H08和激发态 4 f96 p3 / 2 ( 1 5 /2 ,3/2 )的超精细结构光谱 ,所有光谱线可以很好地分辨 ;并由实验测量到的高分辨超精细结构光谱 ,给出了相应能级的超精细结构常数     

喷气式Z箍缩等离子体装置中离子束能谱的测量

利用新研制的紧凑型汤姆生离子能谱仪（ＴｈｏｍｓｏｎＩｏｎＥｎｅｒｇｙＡｎａｌｙｚｅｒ），对喷气式Ｚ－箍缩等离子体装置中离子能谱进行了测量，在ＣＲ－３９上得到了清晰的Ａｒ＋，Ａｒ２＋，Ａｒ３＋离子抛物线轨迹，通过分析计算结果表明：离子的最大能量在１ＭｅＶ左右，离子能谱分布曲线都随其能量增加而单调下降。