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本文对不同立构的聚甲基丙烯酸(PMAA)进行了热表征。实验结果表明,在30℃~200℃内未出现玻璃化转变。间同PMAA分别在-245℃和-280℃发生脱水反应和脱羧,而全同PMAA只在-185℃观察到脱水反应。这种热稳定性的明显差别与不同立构PMAA链上相邻羧酸距离有关。实验数据证实PMAA脱水反应为无规反应,服从一级动力学反应方程。脱水温度和间同立构含量成正比,脱水反应活化能间同PMAA比全同PMAA高~7Kcal/mol。 相似文献
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用溶胶-凝胶和浸渍-还原相结合的方法制得M/MoO3-TiO2 (M=Pd, Cu, Ni和Ag)光催化剂。利用X-射线衍射(XRD)、程序升温还原(TPR)、红外光谱(IR)、程序升温脱附(TPD)、紫外-可见漫反射光谱(UV-VisDRS)和光反应等技术,研究了负载金属复合半导体的物相结构、吸附性能、吸光性能和光催化反应性能。结果表明,金属M(M=Pd, Cu)负载在复合半导体上,延迟了TiO2由锐钛矿向金红石相的转化,增强了Mo与载体TiO2的相互作用,促进Mo物种由四面体配位向八面体配位转化,使TiO2光吸收限发生蓝移,对可见光部分的吸收明显增加,拓宽了催化剂的光响应范围;固体材料吸光性能强弱顺序Pd/MoO3-TiO2 >Cu/MoO3-TiO2>Ag/MoO3-TiO2>Ni/MoO3-TiO2;Pd对CO2吸附能力过强,卧式吸附态脱附温度高,光催化效率不高;金属Cu对CO2吸附能力适中,CO2与C3H6脱附温度较接近,实现了光-表面-热的协同作用,光量子效率最高。 相似文献
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36.
用溴化钾-溴酸钾滴定法测定双键含量,元素分析法测定共聚物组成。讨论了HEMA-NVP-St三元共聚体系在不同反应程度时共聚物组成的变化,以及在此三元共聚体系中引入均化剂后,少量均化剂对共聚体系组成均一性的影响。发现在HEMA-NVP-St三元共聚体系中加入均化剂,对共聚反应的反应动力学影响不大,但对共聚物的组成均一性有较大影响。它的加入使三元共聚物中的链节比分布(即不同反应程度时,产物的累积平均组成)向较均一的方向发展。结合红外光谱、电子显微镜等实验证据,从微观结构上探讨了约化剂的作用。阐明均化剂改善了反应体系的相容性,从而得到组成分布较为均一的共聚产物。 相似文献
37.
合成了含环氧基团的可交联的甲基丙烯酸甲酯和甲基丙烯酸环氧丙酯的共聚物[Poly(MMA-co-GMA)],通过FTIR,NMR,GPC,DSC和AFM等技术对其进行了表征. 结果表明,所合成的聚合物材料具有较好的成膜性; 通过热固化使引入的环氧基团开环交联,该聚合物的玻璃化转变温度(Tg)比固化前提高了24 K,同时有效地降低了聚合物的双折射率. 用Poly(MMA-co-GMA)作为包层材料,双酚A型环氧化合物作为高折射率材料, 将其引入到包层材料中形成芯层材料的折射率在波长1.55 μm处可调,其范围是1.483~1.588. 采用旋涂、 铝掩膜和氧反应离子刻蚀的方法(RIE)制得了阵列式光波导. 测试结果表明,制作的波导在1.55 μm处实现了光的单模传输,光损小于3.0 dB/cm. 相似文献
38.
烟碱分子烙印聚合物的吸附特性 总被引:10,自引:0,他引:10
利用分子烙印技术,以烟碱为烙印分子,甲基丙烯酸(MAA)为功能单体,乙二醇二甲基丙烯酸酯(EDMA)为交联剂,合成了对烟碱具有特异性作用的分子烙印聚合物P(Nic);通过平衡吸附实验,评价了其对烟碱的亲和力和选择性。与非烙印聚合物相比,P(Nic)对烟碱表现了很高的亲和力;Scatchard分析表明在P(Nic)中存在对烟碱有不同的亲和力的两类作用位点。通过与氨基吡啶类物质在P(Nic)上的吸附行为比较,表明P(Nic)对烟碱具有很好的选择性。本工作证明了用P(Nic)作为固相萃取(SPE)材料选择性地从烟草烟雾中提取烟碱的可能性。 相似文献
39.
采用表面改性法制备了负载型Ni2(OEt)2/SiO2双核金属乙氧基配合物催化剂,利用示差量热、红外光谱和微反技术对催化剂的表面结构、热稳定性、化学吸附性质和催化活性进行了研究.结果表明,负载型双核金属乙氧基配合物Ni2(OEt)2/SiO2中的Ni2+与载体SiO2表面的O2-以双齿配位形式键合;二氧化碳在催化剂表面存在桥式吸附态和碳酸单乙酯基物种两种吸附态,丙烯则只有一种分子吸附态;在适宜的反应条件下,二氧化碳和丙烯在Ni2(OEt)2/SiO2催化剂上的反应产物主要是甲基丙烯酸.根据实验结果,提出了二氧化碳和丙烯在Ni2(OEt)2/SiO2催化剂表面的反应机理,反应物分子共吸附于催化剂表面同一活性单元上,羧酸根和丙烯解离吸附态的形成是反应顺利进行的关键步骤. 相似文献
40.
制备了不同摩尔比的甲基丙烯酸-磷脂酰乙醇甲基丙烯酰胺共聚物,研究了这种共聚物在水面的表面压力(π)-分子面积(A)曲线、共聚物制成的MOS LB膜的电容(C)-电压(V)特性及此LB膜的相变温度。 相似文献