硅烷表面修饰引发的ZnO微米棒膜的超疏水性

采用简单的低温水热法制备出ZnO微米棒薄膜,其经辛基三甲氧基硅烷和十二氟庚基丙基三甲氧基硅烷修饰后显示出超疏水性,静态接触角分别为(150±1.3)°和(155±1.5)°,滚动角依次为5°和3°。 ZnO微米棒的微结构和低表面能材料辛基三甲氧基硅烷、十二氟庚基丙基三甲氧基硅烷的表面修饰是其显示超疏水性的原因,用Cassie理论对膜的润湿性进行了分析。     

共轭聚合物中掺杂可溶性石墨烯对于OLED和OPV性能的影响

本文重点研究了不同浓度可溶性石墨烯(SPFGO)对于聚[2-甲氧基-5-(2-乙基己氧基)]对苯乙炔(MEH-PPV)/SPFGO复合薄膜的光致发光(PL)、 有机电致发光(OLED)和有机光伏(OPV)性能的影响. 研究发现, 在MEH-PPV中掺杂SPFGO之后, MEH-PPV/SPFGO复合薄膜的光致发光发生了非常强烈的猝灭, 意味着MEH-PPV和SPFGO之间发生了非常强烈的载流子传输. 当SPFGO的浓度较低的时候, 能够提高OLED的性能, 当SPFGO的浓度为0.2%时, OLED的性能达到最佳, 而此时的OPV性能基本没有改变. 当掺杂较高浓度的SPFGO 之后, OPV的性能有了明显的提升, 当浓度为15%时, OPV达到了最佳的性能, 而此时的OLED发生了非常强烈的猝灭. 通过实验数据可以看出, 当SPFGO较低浓度的时候, 起到增强载流子注入的作用, 提升OLED亮度的同时降低了开路电压. 而当SPFGO达到较高浓度时, SPFGO作为电子受体, 可以起到改善MEH-PPV/SPFGO 界面激子分裂和提高OPV性能的作用. 因此, 通过调节SPFGO浓度可以起到独立调控OLED性能和OPV性能的作用. 关键词： SPFGO OLED OPV     

阴离子表面活性剂-健那绿体系的二级散射光谱及其分析应用

建立了二级散射光谱法测定阴离子表面活性剂的新方法。研究了阴离子表面活性剂SDBS与健那绿离子缔合物的二级散射和"反二级散射"光谱。结果表明:当λem=340nm,λex=680nm时,在0～50μg mL质量浓度范围内,ΔIFDS与溶液中物质的质量浓度成正比,线性相关系数为0.9988,检出限为17.4ng mL。     

精熟学习：高中数学典型考题的学习方式

高三数学复习期间，各种考试中都有许多典型问题，如何用好这些题，才能更大程度上提高解题能力？我的做法是“精熟学习”．“精熟学习”又称“掌握学习”，是美国当代著名的心理学家、教育家布卢姆（BS．BLOOM）提出的，其基本理念是通过“诊断性评价”、“形成性评价”和“总结性评价”使所学知识和方法最终达到掌握．结合罗增儒教授提出的学会学解题的四步骤程式：“简单模仿、变式练习、自发领悟、自觉分析”．下面以一个实例加以说明．     

Synthesis and electroluminescent properties of naphthalimide derivatives

Naphthalimide derivatives, N-ethyl-4-acetylamino-l ,8-naphthalimide (EAAN) and polymer with N-propyl-4-acetylamino-l,8-naphthalimide (PAAN) side-chain (P-PAAN) were successfully synthesized. Electroluminescent devices of ITO/PVK(120nm)/EAAN(50nm)/Al(150nm) (Ⅰ) and ITO/PVK P-PAAN( 10:1) (50nm)/Al(150nm) (Ⅱ) constructed with EAAN and P-PAAN as the emitting layer were investigated, whereas the single-layer devices of ITO/EAAN or P-PAAN(50nm)/Al(l50nm) (Ⅲ) were not observed to have any e-mission light. The emission results revealed that the exciton recombination formed by positive and negative charge carriers injected from electrodes of devices Ⅰ and Ⅱ was much more balanced than that of devices Ⅲ, which implied that naphthalimide derivatives are a new type of electron-transporting materials with high performance. The electron-transporting properties of naphthalimide derivatives were also elucidated by investigation of the electroluminescent behaviors from both devices of ITO/PPV (80nm)/Al and ITO/P     

Silica-covered Au nanoresonators for fluorescence modulating of a graphene quantum dot

We synthesize Au@SiO2composite particles with a core-shell structure, and utilize the Au@SiO2nanoparticles to modulate the fluorescence emission of the graphene quantum dot(GQD) through varying the silica shell thickness. The silica shell thickness can be easily controlled by varying the coating time. After silica coating, we investigate the influence of the silica thickness on the fluorescence emission of the GQD and find that the fluorescence property of the GQD can be changed as expected by varying the thickness of the silica shell. We propose an optimized coating time for the silica shell under the interaction of fluorescence quenching and enhancement.     

SiO/SiO_2超晶格结构界面发光的研究

利用热蒸发技术在硅衬底上制备了层厚不同的SiO/SiO2超晶格样品.对其光致发光谱进行研究发现,随着SiO/SiO2超晶格中SiO层厚度的增加,发光峰在400～600 nm之间移动.研究表明,样品的发光中心来自于SiO/SiO2界面处的缺陷发光(界面态发光).即在样品沉积的过程中,在SiO/SiO2的界面处由于晶格的不连续性,会形成大量的Si-O悬挂键,这些悬挂键本身相互结合可以形成一定数量的缺陷,同时由于O原子容易脱离Si原子的束缚而产生扩散,因此,这些悬挂键可以与扩散的O原子结合,随着SiO层厚度的增加,在SiO/SiO2的界面处先后出现WOB(O3<≡Si-O-O·),NOV(O3≡Si-Si≡O3),E'中心(O≡Si·),NBOHC(O3≡Si-O·)等缺陷,这些缺陷在SiO层厚度增大的过程中对发光先后起到主导作用,从而使得发光峰产生红移.     

基于奇异分解和自适应BEM积分算法的水下航行体机械噪声预报

提出一种改进的声学边界元法（M-BEM）用于准确计算水下航行体发动机振动引起的近场辐射噪声。分别采用奇异分解技术和自适应边界元积分算法解决了Helmholtz积分方程在求解近场声压时出现的超奇异积分和奇异积分问题。采用一脉动球源的声辐射算例对方法进行验证,数值解与精确解误差小于1．5dB。结合有限元方法并考虑流固耦合作...     

CdSe/CdMnSe多量子阱的激子光学性质的研究

用分子束外延在GaAs衬底上生长了CdSe/CdMnSe多量子阱结构.利用X射线衍射(XRD)、变密度激发的PL光谱、变温度PL光谱和变密度激发的ps时间分辨光谱研究了CdSe/CdMnSe多量子阱结构和激子复合特性.讨论了随温度升高辐射线宽展宽和辐射复合效率降低的机理.发现不同激发密度下发光衰减时间不同,认为它的机理可能是无辐射复合引起的.在该材料中观测到激子激子散射发射峰,它被变密度激发和变温度PL光谱所证实. 关键词： CdSe/CdMnSe 量子阱 光学性质