Ag与YBa2Cu3O7-δ超导薄膜接触电阻的研究

本文系统研究了Ag/YBCO薄膜退火后Ag膜微观形貌与相应接触电阻率以及它们之间的关系,得到了在最佳退火温度(475℃左右)退火后ρc为6×10-8Ω*cm2(77K),并对接触电阻率随不同退火温度的变化进行了解释.此外,对于Ag与YBCO薄膜和Ag与YBCO块材之间的接触电阻率随退火温度的变化规律进行了比较并解释了其差异的原因.     

激光分子束外延氧化物薄膜机理研究

实验结果表明外延结构复杂的氧化物薄膜,基片温度在600～650℃条件下,其表面原胞层的扩散时间是几十秒到上百秒.根据此特点,采用单原胞间歇式外延,用激光分子束外延制备原子尺度控制的高质量氧化物薄膜和超晶格材料.     

Angle-sensitive and fast photovoltage of silver nanocluster embeded ZnO thin films induced by 1.064-μm pulsed laser

Silver nanocluster embedded ZnO composite thin film was observed to have an angle-sensitive and fast photovoltaic effect in the angle range from –90o to 90o, its peak value and the polarity varied regularly with the angle of incidence of the 1.064-μ m pulsed Nd:YAG laser radiation onto the ZnO surface. Meanwhile, for each photovoltaic signal, its rising time reached ～2 ns with an open-circuit photovoltage of ～2 ns full width at half-maximum. This angle-sensitive fast photovoltaic effect is expected to put this composite film a candidate for angle-sensitive and fast photodetector.     

X射线研究CeO2缓冲层

我们在有和无离子束辅助两种情形下,在双轴织构Ni基底上制备了CeO2薄膜,结果表明,无离子束辅助沉积时,薄膜表现出(111)取向,在离子能量为240eV,束流为200μA/cm2,基片温度为360℃的条件下沉积的CeO2薄膜呈现出良好的立方织构.另外,我们分析了薄膜应力随温度和离子辅助条件的变化关系,结果表明,离子束轰击可以减小薄膜应力,在360℃附近薄膜应力几乎被完全弛豫.     

Ce:BaTiO3自组织量子点制备及其非线性光学性质 *

报道了激光淀积法制备复合氧化物Ce :BaTiO₃ 自组织量子点 ,利用原子力显微镜、X射线衍射观察了自组织量子点的生长过程及其结构 .分别给出了量子点的尺寸分布、高度分布和面密度 ;讨论了复合氧化物自组织量子点的生长机理 ;利用单光束Z扫描方法研究了自组织量子点的光学非线性折射率 ,并讨论了影响非线性效应增强的因素 .     

Photoelectric Characteristic of La0.9Sr0.1MnO3/SrNb0.01Ti0.99O3 p-n Heterojunctions

Good rectifying current-voltage characteristics and nanosecond photoelectric effects are observed in the p-n hereto junctions of La0.9Sr0.1 MnO3/SrNb0.01 Ti0.99O3 fabricated by laser molecular beam epitaxy. The rise time is about 26ns and the full width at half maximum is about 125ns for the open-circuit, photovoltaic pulses when the La0.9Sr0.1MnO3 film in the heterojunction is irradiated by a laser operated at wavelength 308nm with pulse duration of about 25 ns. A qualitative explanation is presented, based on an analysis of the photoelectric effect of p-n hereto junction.     

Applications of Oblique-Incidence Reflectivity Difference Method in Primary Study of Protein Biomolecules

Oblique-incidence reflectivity difference （OI-RD） analysis is applied to detect the immunoglobulin-G and cytochrome biomolecules on standard glass substrates without fluorescence labelling. The OI-RD intensities not only depend on the protein structure, but also vary with the protein concentration. The results indicate that this method should have potential applications in detection of biochemical processes.     

GaAs/Ga1-xAlxAs半导体量子阱光辐射-热离子制冷

采用数值计算方法分析了GaAs/Ga_1-xAl_xAs 半导体量子阱的光 辐射-热离子制冷. 以漂移-扩散模型为基础，通过电流连续性方程和泊松方程自洽地计算出在外加正向偏压的 条件下半导体内部的载流子分布情况，并在此基础上计算了阱内载流子的发光复合和俄歇复 合，从而确定了半导体异质结量子阱光辐射-热离子制冷的最优条件.进一步分析了不同Al组 分的Ga_1-xAl_xAs材料以及不同的掺杂浓度对制冷效果的影响， 为该领域的实验工作提供了极有价值的参考. 关键词： 半导体异质结 光辐射 制冷     

硅基集成电路的发展和新一代栅极氧化物材料的研究现状

随着科学技术的进步和集成电路市场日益扩大的需求，硅基集成电路的集成度越来越高，而集成度的提高是以其核心器件金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)的特征尺寸逐渐减小为基础的。当栅极Si02介电层的厚度减小到原子尺度大小时，由于量子效应的影响，Si02将失去介电特性，因此必须寻找一种新的高介电常数(high—K)的氧化物材料来代替它。如今世界上许多国家都开展了替代Si02的介电氧化物材料的研究工作。文章介绍了栅极介电层厚度减小带来的影响，栅极Si02介电层的高尺氧化物材料的要求和租选，并对近期高介电常数氧化物材料的研究状况作了简要的介绍和评述。     

利用脉冲激光沉积技术在双轴织构的Ni基带上外延CeO2薄膜

利用脉冲激光沉积技术在氢还原气氛下成功地在双轴织构的Ni基带上外延了高质量的CeO2薄膜.x射线衍射θ-2θ扫描和ω扫描结果表明,CeO2薄膜在Ni基带上呈c轴方向生长,存在很强的平面外织构;极图和ψ扫描显示它具有良好的平面内织构.Ni基片上织构的CeO2薄膜为进一步在其上外延高质量的YBa2Cu3O7-x超导薄膜提供了很好的模板.