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31.
利用全相对论性多组态Dirac-Fock广义平均能级方法,系统地计算了类镁离子3s3p磁偶极Ml^3P2--^3P1和电四极E2 ^2P2--^3P0(Z=20-103)光谱跃迁的能级间隔、跃迁几率和振子强度。计算中考虑了原子核的有限体积效应,进行了高阶Breit修正和QED修正,所得到的能级间隔和最近的实验数据及理论计算值进行了比较。计算结果表明:高原子序数的高荷电离子的磁偶极矩M1和电四极矩E2跃迁几率和中性原子的电偶极E1的相当,在ICF和MCF高温激光等离子体中,磁偶极矩M1和电四极矩E2跃迁过程不容被忽视。 相似文献
32.
根据光学薄膜原理计算了GaN/Ti/Ag、GaN/Al和GaN/Ni/Au/Ti/Ag、GaN/Ni/Au/Al多层电极结构的反射率,得出Ag基和Al基反射电极均能在全角范围内提供较高的反射率。实验测量结果表明,反射率能高于80%的Ag基反射电极,具有低欧姆接触的电学特性。并将GaN/Ni/Au/Ti/Ag多层反射电极应用在上下电极结构的GaN基LED中。实验上采用两步合金法获得了低接触电阻、高反射率的电极结构,并引入Ni/Au覆盖层克服了Ag高温时的团聚和氧化现象。解决了Ag电极的稳定性问题,显著地提高了LED的出光效率,成功制备了具有上下电极结构的GaN基LED管芯。 相似文献
33.
34.
35.
碳化硅作为新一代宽禁带半导体材料,在高温、高频、高功率、抗辐照电子器件中有着十分广阔的潜在应用前景.文章结合作者的工作,综述了离子束技术在SiC研究中的应用,其中包括SiC的合成、掺杂、器件隔离和智能剥离. 相似文献
36.
采用循环伏安法,对SPEPt电极以及SPEAu-Pt电极上还原态CO2的电化学氧化行为研究表明,此类电极的电化学特性与光滑Pt电极一致:CO2在氢原子吸附电位区0~250mV(vs.RHE)处,可与电极上化学吸附的氢反应,生成还原态的CO2,通过线性扫描,还原态CO2即发生一不可逆电化学氧化过程(阳极剥离).在SPEPt系列及SPEAu-Pt系列上CO2的电化学行为表明,当SPEPt系列上Pt的载量为2.5mL的0.01mol·L-1H2PtCl6的Pt时,对还原态CO2的电催化活性最好,当Pt的载量相同时,在SPEAu-Pt上,催化剂对还原态CO2的电化学氧化行为比SPEPt电极更强,这是由于预先沉积的Au对后沉积的Pt有调制作用. 相似文献
37.
兰州重离子加速器冷却储存环 总被引:2,自引:0,他引:2
兰州重离子加速器(HIRFL)由用作注入器的扇聚焦回旋加速器(SFC)和分离扇回旋加速器(主加速器SSC)组成,是加速中、低能重离子束流的回旋加速器系统. 相似文献
38.
39.
Using the closed orbit theory, the photodetachment cross section of H- near a dielectric surface has been derived and calculated. The results show that the dielectric surface has great influence on the photodetachment process of negative ion near the ionization threshold. Above the ionization threshold, the photodetachment cross section starts to oscillate. With the increase of the energy, the oscillating amplitude decreases and the oscillating frequency increases. The oscillation in the photodetachment cross section of H- in the presence of a dielectric surface is either larger or smaller than the photodetachment of H- without the surface. As the photon energy is larger than the critical value Epc, the oscillatory structure disappeared and the cross section approaches to the case of the photodetachment of H- without any external fields. For a given detached-electron energy, the photodetachment cross section becomes decreased with the increase of the ion-surface distance. Besides, the dielectric constant has great influence on the photodetachment of H-. With the increase of the dielectric constant, the oscillation in the cross section becomes increased. As the dielectric constant increases to infinity, the cross section is the same as the photodetachment of H- near a metal surface. This study provides a new understanding on the photodetachment process of H- in the presence of a dielectric surface. 相似文献
40.