兰州重离子加速器冷却储存环

 兰州重离子加速器(HIRFL)由用作注入器的扇聚焦回旋加速器(SFC)和分离扇回旋加速器(主加速器SSC)组成,是加速中、低能重离子束流的回旋加速器系统.     

SPE电极上Pt单组分及Pt-Au双组分还原态CO_2阳极剥离电化学氧化行为研究

采用循环伏安法，对ＳＰＥＰｔ电极以及ＳＰＥＡｕ－Ｐｔ电极上还原态ＣＯ２的电化学氧化行为研究表明，此类电极的电化学特性与光滑Ｐｔ电极一致：ＣＯ２在氢原子吸附电位区０～２５０ｍＶ（ｖｓ．ＲＨＥ）处，可与电极上化学吸附的氢反应，生成还原态的ＣＯ２，通过线性扫描，还原态ＣＯ２即发生一不可逆电化学氧化过程（阳极剥离）．在ＳＰＥＰｔ系列及ＳＰＥＡｕ－Ｐｔ系列上ＣＯ２的电化学行为表明，当ＳＰＥＰｔ系列上Ｐｔ的载量为２．５ｍＬ的０．０１ｍｏｌ·Ｌ－１Ｈ２ＰｔＣｌ６的Ｐｔ时，对还原态ＣＯ２的电催化活性最好，当Ｐｔ的载量相同时，在ＳＰＥＡｕ－Ｐｔ上，催化剂对还原态ＣＯ２的电化学氧化行为比ＳＰＥＰｔ电极更强，这是由于预先沉积的Ａｕ对后沉积的Ｐｔ有调制作用．     

宽禁带半导体SiC的离子束合成,掺杂隔离与智能剥离

碳化硅作为新一代宽禁带半导体材料，在高温、高频、高功率、抗辐照电子器件中有着十分广阔的潜在应用前景．文章结合作者的工作，综述了离子束技术在ＳｉＣ研究中的应用，其中包括ＳｉＣ的合成、掺杂、器件隔离和智能剥离．     

平行电磁场中H-光剥离电子轨道分岔现象的研究

当改变能量、位置或场强等参数时,电磁场中里德堡态的原子、分子和离子等体系将出现分岔现象,从而导致波函数在分岔点附近发散,半经典闭合轨道理论不再适用.本文分析并计算了平行电磁场中的H-光剥离电子轨道的分岔现象,并采用统一近似的方法进行定域修正,从而消除了分岔点的奇异性,得到了合理的光剥离电子流的分布.     

高反射率p-GaN欧姆接触电极

根据光学薄膜原理计算了GaN/Ti/Ag、GaN/Al和GaN/Ni/Au/Ti/Ag、GaN/Ni/Au/Al多层电极结构的反射率,得出Ag基和Al基反射电极均能在全角范围内提供较高的反射率。实验测量结果表明,反射率能高于80%的Ag基反射电极,具有低欧姆接触的电学特性。并将GaN/Ni/Au/Ti/Ag多层反射电极应用在上下电极结构的GaN基LED中。实验上采用两步合金法获得了低接触电阻、高反射率的电极结构,并引入Ni/Au覆盖层克服了Ag高温时的团聚和氧化现象。解决了Ag电极的稳定性问题,显著地提高了LED的出光效率,成功制备了具有上下电极结构的GaN基LED管芯。     

化整为零:聚合物/粘土纳米复合材料的微观结构和阻隔性能

在聚合物基体中掺入少量的层状硅酸盐所制备的聚合物／粘土纳米复合材料，其阻隔性能明显地优于纯聚合物及其传统的复合材料。实验及分析结果表明，聚合物／粘土纳米复合材料的微观结构和阻隔性能主要受控于粘土剥离后的径厚比．一简单的重整化群模型被用来评估粘土几何因素（诸如径厚比、取向、剥离程度等）对聚合物／粘土纳米复合材料阻隔性能的影响，所得到的逾渗阈值及最佳粘土含量与实验结果吻合。     

涂膜超声及涂膜电解对固体表面铀的去污研究

制备了高分子可剥离去污膜液，确定了涂膜液中各组分最佳含量，对固体表面核素的去除研究结果表明：在金属表面采用涂膜电解去污、非金属光滑固体表面采用直接涂膜去污、非金属粗糙固体表面采用涂膜超声去污工艺，其去污率均可达99％以上，优于其他方法。     

高剥离类镁等电子序列的磁偶极M1和电四极E2光谱跃迁理论研究

利用全相对论性多组态Dirac-Fock广义平均能级方法，系统地计算了类镁离子3s3p磁偶极Ml^3P2--^3P1和电四极E2 ^2P2--^3P0(Z=20-103)光谱跃迁的能级间隔、跃迁几率和振子强度。计算中考虑了原子核的有限体积效应，进行了高阶Breit修正和QED修正，所得到的能级间隔和最近的实验数据及理论计算值进行了比较。计算结果表明：高原子序数的高荷电离子的磁偶极矩M1和电四极矩E2跃迁几率和中性原子的电偶极E1的相当，在ICF和MCF高温激光等离子体中，磁偶极矩M1和电四极矩E2跃迁过程不容被忽视。     

CYCIAE型回旋加速器负离子剥离引出的光学行为研究

为了CYCIAE型回旋加速器的剥离靶轴线及旋转角的概念设计,必须对负离子剥离后的光学特性进行研究,基于根据CYCIAE型回旋加速器剥离引出特点编制的程序CYCRS,计算了CYCIAE30加速器不同能量束流引出剥离点的位置,并与实际位置进行比较,证明计算所用的理论及方法是正确的,同时,考察了剥离后的束流空间运动的光学特性.在此基础上,确定了CYCIAE70回旋加速器能量为35—70MeV的束流引出剥离点位置.     

Photo-detachment cross section of H- near two parallel interfaces

The photo-detachment cross section of H^- near two parallel elastic interfaces is derived and calculated by using the closed orbit theory. The photo-detachment cross section of H^- near two interfaces is shown to exhibit multi-periodic oscillations when the distance between the H^- and the interface is varied. Each peak in the Fourier transformed photo-detachment cross section corresponds to the length of a closed orbit, which is quite similar to the case of atomic spontaneous emissions in a dielectric slab. This study provides a new understanding of the photo=detachment process of H^- in the presence of interfaces.