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通过对克劳修斯-莫索蒂方程的近似, 分析了钙钛矿结构微波介质陶瓷频率温度系数 (τf) 的主要影响因素, 发现改变材料介电响应中离子位移极化和电子位移极化的比例, 可调节频率温度系数的正负与大小. 通过电子结构计算和容忍因子分析, 预测引入(Zn1/3Nb2/3)4+对具有正温度系数 的CaTiO3进行B位取代将提高材料电子极化响应比例, 调节τf由正变负. 采用偏铌酸盐为前驱体, 通过固相反应法合成了Ca[(Zn1/3Nb2/3)xTi(1-x)]O3钙钛矿结构陶瓷, 并对其进行结构分析和性能测试, 实验结果与理论分析一致, 获得了具有近零频率温度系数的Ca[(Zn1/3Nb2/3)0.7Ti0.3]O3介质陶瓷材料.
关键词:
B位复合钙钛矿陶瓷
谐振频率温度稳定性
极化机理
6八面体倾斜')" href="#">BO6八面体倾斜 相似文献
25.
用第一性原理基础上的超软赝势方法的总能计算,研究了3d过渡金属(Sc, Ti, V, Cr, Mn, Fe, Co, Ni, Cu, Zn)在Pd(001)表面的单层p(1×1)和c(2×2)结构的表面磁性和总能. 所得结果表明:对于Sc, Ti, V和Cr只存在p(1×1)的铁磁性结构,而Mn只有c(2×2)的反铁磁结构存在. Fe, Co和Ni这三种元素上述两种结构都存在,但是总能上p(1×1)的铁磁结构要低些,因此是比较稳定的结构. 而Cu和Zn在该表面上的单层中不存在上述两种结构. 对于V的p(1×1)铁磁结构,计算得到的每个V原子磁矩为2.41μB,大于用全电子方法得到的0.51μB. 两种计算方法得到其他金属原子 (Cr,Mn,Fe,Co,Ni)的表面磁矩比较相近,都比孤立原子磁矩略小.
关键词:
Pd(001)表面
过渡金属原子单层
表面磁性 相似文献
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将V2O5溶胶电泳沉积在ITO导电基片上制备V2O5薄膜.运用X射线衍射和扫描电镜对薄膜的结构进行分析,通过紫外-可见光透射光谱和循环伏安法分别测试其光学和电化学性能.实验结果表明,电泳沉积V2O5薄膜具有致密的显微结构,薄膜厚度均匀、与基片的粘附性很好;循环实验中,薄膜呈现黄色到绿色的可逆变化,最大的透射率变化达到30%左右;薄膜具有很好的注入/退出可逆性和循环稳定性,50次循环效率仍能达到88.02%,并且循环后的薄膜与ITO导电玻璃的粘附性仍然很好,没有溶解现象;应用交流阻抗法计算Li+在V2O5薄膜着色过程的扩散系数为5.10×10-12cm2/s,表明该薄膜可以作为电致变色材料得到应用. 相似文献
28.
二次根式的化简是二次根式运算的基础 ,是本章教材的中心内容 .由于题型变化较多 ,化简中所涉及的知识面广 ,方法灵活多样 ,因此它又是本章学习的难点 .在学习过程中 ,善于积累和总结二次根式化简的方法显然十分必要 .下面归纳列举一些二次根式化简的方法和技巧供读者参考 .一、利用乘法公式与整式和分式的化简类似 ,二次根式的化简中如果注意观察题型 ,巧用乘法公式 ,可以使问题得以简化 .例 1 化简下列各式 :( 1) x -yx +y;( 2 ) ( 2 - 3+ 5) ( 2 + 3- 5) ; ( 3) 134 + 36 + 39.解 :( 1)原式 =(x) 2 - (y) 2x + y=(x + y) (… 相似文献
29.
四磺酸基酞菁氯化铝复合二氧化硅干凝胶的制备及光学性能研究 总被引:2,自引:1,他引:1
采用溶胶凝胶法将不同掺杂浓度的四磺酸基酞菁氯化铝(AlClPcTS)植入二氧化硅凝胶基质,制备了均匀掺杂的复合干凝胶通过对二氧化硅凝胶基质和掺杂AlClPcTS后复合干凝胶孔结构的测定和对复合体系紫外可见吸收光谱的表征,证实了AlClPcTS在基质中的成功掺杂,并发现AlClPcTS同时以单体和二聚体的形式存在于复合体系中,且AlClPcTS二聚体所占比例随着凝胶化过程的进行而增大对不同AlClPcTS掺杂浓度复合干凝胶的光限幅性能进行了测试,并讨论了掺杂浓度对复合体系光限幅性能的影响,证明复合体系的光限幅性能随掺杂浓度的提高而增强. 相似文献
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