HIAF-BRing快脉冲二极磁铁磁场测量系统

介绍了强流重离子加速器装置HIAF(High Intensity heavy-ion Accelerator Facility)项目增强器BRing(Booster Ring)快脉冲二极磁铁的性能指标、测量要求和测量方法,描述了快脉冲二极磁铁稳态磁场测量系统及动态磁场测量系统的构成。在稳态磁场测量中,为提高积分磁场测量精度和测量效率,长线圈测量系统采用了on fly技术;在动态磁场测量中,研制了用于磁场延迟及磁场畸变测量的矩阵线圈。通过样机磁铁的测量,完成了测量系统的性能指标验证和磁铁的稳态磁场测量。实测结果表明,样机磁铁的设计和制造均达到了预期指标,并依据测量数据完成了磁铁的二次削斜。     

2-甲基-1,4-萘醌的绿色合成方法

以2-甲基萘(2-MN)为原料、H₂O₂为氧化剂,经不同酸(硫酸、氢溴酸、三氟乙酸等)催化合成2-甲基-1,4-萘醌(2-MNQ),其结构经¹H NMR和¹³C NMR确证,其纯度经HPLC检测。对反应条件进行了优化。最佳反应条件为：20 eq. CH₃COOH为溶剂,6 eq. H₂O₂为氧化剂,在10%mol H₂SO₄催化下,于75 ℃反应,2-MNQ纯度95%,收率67%。     

胡椒碱的提取、纯化及其抗癌活性的研究

本文利用溶剂法提取胡椒果中的胡椒碱成分,通过重结晶法纯化活性胡椒碱,并对其纯度和抗癌活性进行表征。结果表明,经分离纯化得到的胡椒碱纯度高达99.94%,并具有良好的抗癌效果。此外,运用密度泛函理论中B3LYP方法对胡椒碱的几何结构、相对能、热力学分布进行优化计算,建立和分析了胡椒碱的理论模型。所建立的能量最低的稳定胡椒碱理论模型符合热力学分布结果。     

二维轴对称图象高阶胡氏不变矩快速算法的改进

提出了基于二维轴对称性目标图象矩快速算法的实用化改进方案.算法实用化改进是通过两个命题的证明实现的.一是通过轴对称目标图象质心在对称轴上的命题证明,实现了将二维轴对称图象矩快速算法用于轴对称性图象中心矩的计算;二是通过目标图象以坐标系中任意两点为圆心,旋转相同角度,结果图象具有平移性的命题证明,实现了算法用于对旋转不同角度的对称目标图象的中心矩的计算改进.在此基础上,完成了二维轴对称目标图象高阶胡氏不变矩实用化快速算法的实现.实验证明,该算法具有较好的实时性能,且具有较小的引入误差.     

刘维尔与伽罗瓦数学手稿的发表

1846年,刘维尔在自己主办的杂志“纯粹与应用数学杂志”首次出版了伽罗瓦的数学研究,这对于伽罗瓦理论的传播与发展是具有决定意义的事件.伽罗瓦去世14年后,刘维尔发表伽罗瓦数学研究的原因是什么?采用数学历史文献分析法,得出四个重要原因:①伽罗瓦的朋友和弟弟的请求;②力图弥补科学院曾经造成的不公正;③刘维尔积极扶持年轻人的高贵品质使然;④刘维尔与利布里学术论战的促进.     

PS-环的特征刻划及其同调维数

本文刻划了PS-环与非奇异环的差距,给出了一个计算同调维数的公式.     

Recording Fractional Fourier Transform Hologram Using Holographic Zone Plate

1　Ｉｎｔｒｏｄｕｃｔｉｏｎ　　ＦＲＴ(ＦｒａｃｔｉｏｎａｌＦｏｕｒｉｅｒＴｒａｎｓｆｏｒｍ )ｗａｓｆｉｒｓｔｌｙｉｎｔｒｏｄｕｃｅｄｂｙＮａｍｉａｓｉｎ 1 980ａｓａｍａｔｈｅｍａｔｉｃｔｏｏｌｉｎｑｕａｎｔｕｍｍｅｃｈａｎｉｃｓ[1] .Ｉｎ1 993,ＭｅｎｄｌｏｖｉｃａｎｄＯｚａｋｔａｓｉｍｐｌｅｍｅｎｔｅｄｔｈｅＦＲＴａｔｏｐｔｉｃａｌｆｉｅｌｄｗｈｅｎｔｈｅｙｓｔｕｄｉｅｄｇｒａｄｉｅｎｔｉｎｄｅｘ (ＧＲＩＮ )ｆｉｂｅｒ[2 ] ａｎｄａｐｐｌｉｅｄｔｈｅｐｕｒｅｍａｔｈｅｍａｔｉｃｆｏｒｍｕｌａｔｉｏ…     

大口径连续相位板远场光强的离线测试实验

为了准确测试和评价大口径连续相位板（CPP）元件的远场光强性能,根据激光装置需求建立了351 nm波长下大口径CPP远场光强离线测试系统,开展了330 mm330 mm口径CPP元件测试实验,并与标量衍射计算结果进行对比,分析了系统的测试重复性和测试精度。实测系统远场弥散斑大小为2.9倍衍射极限,可测试最大口径为圆形f600 mm和方形430 mm430 mm。测试系统在焦点2 mm范围内的能量集中度测试重复性优于0.2 %。计算和实验焦斑形貌及分布吻合,实测能量集中度比计算结果小0.85%、焦斑半径大13 m左右,差异由实测系统的时间匀滑作用引起,可通过缩短曝光时间和减小系统像差等措施进一步提高测试精度。     

A MOVPE method for improving InGaN growth quality by pre-introducing TMIn

We propose a metal organic vapor phase epitaxy(MOVPE) method of pre-introducing TMIn during the growth of uGa N to improve the subsequent growth of In Ga N and discuss the impact of this method in detail. Monitoring the MOVPE by the interference curve generated by the laser incident on the film surface, we found that this method avoided the problem of the excessive In Ga N growth rate. Further x-ray diffraction(XRD), photoluminescence(PL), and atomic force microscope(AFM) tests showed that the quality of In Ga N is improved. It is inferred that by introducing TMIn in advance, the indium atom can replace the gallium atom in the reactor walls, delivery pipes, and other corners. Hence the auto-incorporation of gallium can be reduced when In Ga N is grown, so as to improve the material quality.     

FeCo基纳米晶合金高温交换耦合作用机理

研究了500和600℃真空退火后的纳米晶Fe_38.4Co₄₀Si₉B₉Nb_2.6Cu合金初始磁导率随温度的变化规律,发现较高温度(600℃)退火的FeCo基纳米晶合金,在非晶相居里温度以上较宽温度范围内磁导率没有明显的衰减,这是在双相纳米晶合金中观察到的一种新现象,其磁特性不同于Fe基纳米晶合金.为了探明这种现象的起源,估算了与剩余非晶相同成分的非晶合金的居里温度及纳米晶粒间发生交换耦合作用的参数 关键词： 交换耦合作用 非晶相居里温度 交换耦合穿透深度