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1.
We propose a metal organic vapor phase epitaxy(MOVPE) method of pre-introducing TMIn during the growth of uGa N to improve the subsequent growth of In Ga N and discuss the impact of this method in detail. Monitoring the MOVPE by the interference curve generated by the laser incident on the film surface, we found that this method avoided the problem of the excessive In Ga N growth rate. Further x-ray diffraction(XRD), photoluminescence(PL), and atomic force microscope(AFM) tests showed that the quality of In Ga N is improved. It is inferred that by introducing TMIn in advance, the indium atom can replace the gallium atom in the reactor walls, delivery pipes, and other corners. Hence the auto-incorporation of gallium can be reduced when In Ga N is grown, so as to improve the material quality.  相似文献   
2.
在现有硬件基础上,基于BPM测量准确度的需求,在自制的电子学FPGA芯片内,通过Verilog语言实现了一种数字BPM采样数据增益自动校准的设计。首先介绍了自动增益校准模块的系统总体设计;然后对模块的实现方法做了详细说明,设计并搭建了ADC数据自动增益校准测试平台以验证自动增益较准模块的功能;最后介绍了该设计在BPM通道标定中的应用。实验结果表明,该方法可以实现4通道增益一致,使ADC采样后的数据幅度相同,有效解决了由通道增益不一致引起的测量偏差,以及工程应用中ADC数据幅度校准工作量大且难于操作的问题,将在BPM系统通道自动标定中发挥重要作用。  相似文献   
3.
采用水热法一锅合成了一系列四方相ZrO2负载Ni的加氢催化剂,以苯加氢生成环己烷为探针反应,对比研究了其同其它方法合成的Ni/ZrO2催化剂的催化加氢性能。通过XRD、H2-TPR、H2-TPD、TEM及N2物理吸附等表征及催化评估显示,相较于浸渍法得到的Ni/ZrO2催化剂,水热法一锅合成的Ni/ZrO2催化剂具有比表面积更大、纳米颗粒更小,Ni分布更均匀等特点,催化效果更佳。其中15%的Ni负载量为最佳负载量,表现出最佳的催化活性,在120℃左右即可转化率达到100%。  相似文献   
4.
介绍了强流重离子加速器装置HIAF(High Intensity heavy-ion Accelerator Facility)项目增强器BRing(Booster Ring)快脉冲二极磁铁的性能指标、测量要求和测量方法,描述了快脉冲二极磁铁稳态磁场测量系统及动态磁场测量系统的构成。在稳态磁场测量中,为提高积分磁场测量精度和测量效率,长线圈测量系统采用了on fly技术;在动态磁场测量中,研制了用于磁场延迟及磁场畸变测量的矩阵线圈。通过样机磁铁的测量,完成了测量系统的性能指标验证和磁铁的稳态磁场测量。实测结果表明,样机磁铁的设计和制造均达到了预期指标,并依据测量数据完成了磁铁的二次削斜。  相似文献   
5.
6.
The reaction mechanisms between formaldehyde and MoO_x(x = 1, 2, 3) have been studied thoroughly in this paper. Five reaction pathways were found in three reactions(reactions Ⅰ to Ⅲ) through studying the mechanisms of MoO_x(x = 1, 2, 3) catalyzing formaldehyde. Different products were obtained from three reactions. Of all three reactions, the barrier energy of Route ⅡA is the lowest(4.70 kcal/mol), which means in MoO_x(x = 1, 2, 3), MoO_2 has the best catalytic effect. Compared with other similar non-toxic treatments of formaldehyde, our barrier energy is the lowest. In this research, there was no good leaving group of the compound, so the mechanisms are addition reaction. We speculate that there must be an addition reaction to the more complex reactions to molybdenum oxides and aldehydes. As a chemical reagent for removing formaldehyde, it only absorbs formaldehyde and does not emit other toxic substances outward. Molybdenum oxides retain its original structures of the final products, which means it has excellent stability in the reaction of MoO_x(x = 1, 2, 3) + HCHO. The mechanisms of all three reactions are addition reactions, but they are entirely different. As the number of oxygen atoms increases, the reaction mechanisms become simpler.  相似文献   
7.
本文发展了一种简单经济的过渡金属锑化物热液合成路线,在160℃的温和条件下,由商业易得的乙酰丙酮基镍和三苯基铋在汕胺介质中还原制备出NiSb纳米颗粒.反应中,还原剂甲硼烷-叔丁基胺络合物的使用能够有效促进金属源的快速还原,用以促进NiSb纳米颗粒的生成.结构表征显示,所制备的NiSb产物为六方相(空间群P6_3/mmc)颗粒状纳米晶,共粒径约为10 nm.该合成方法可拓展用于CoSb和Ag_3Sb等纳米颗粒的温和制备.电催化析氢性能研究显示,NiSb纳米颗粒具有良好的电化学析氢反应性能.结果显示,当阴极电流密度达到50 mA/cm~2和10 m A/cm~2时所需要的过电位分别为531和437 mV.同时,NiSb纳米颗粒还具有较小的电荷转移阻抗和优良的循环稳定性能.  相似文献   
8.
单值中智集(SVNS)是中智集(NS)的一种特殊情况,它可以描述现实世界中大量存在的不精确、不确定和不一致信息。由于语言评价的模糊性,传统的模糊评价方法在解决多属性决策(MADM)问题上效果不佳。针对这种情况,提出了一种基于TOPSIS法的单值中智多属性决策新方法。首先介绍了中智集的一些基本概念和运算规则,给出了两个单值中智集之间的广义距离公式;然后构建了聚合专家权重的单值中智决策矩阵,把TOPSIS法推广到单值中智集的环境下;接着通过偏好排序确定了最佳的决策方案。最后通过一个仿真实例,说明了该方案的有效和实用性。  相似文献   
9.
水下爆炸气泡射流载荷测量目前存在两个难点:(1)气泡射流载荷是非均匀的面载荷,但其作用半径仅为气泡最大半径的1/10,限于传感器尺寸及安装空间,敏感元密度较低,难以准确获取气泡射流载荷空间分布规律;(2)气泡射流载荷测量时传感器所处的力学环境非常复杂,传感器容易损坏,导致无法测得完整时程。因此现有测量手段难以获取气泡射流载荷的时空分布特性。鉴于此,设计了一种阵列传感器,在一张PVDF(聚偏氟乙烯)压电薄膜上采用特殊工艺加工多个小型敏感元,敏感元尺寸为5 mm×5 mm,呈8×8矩阵排列,敏感元密度≥1 cm?2,同时在揭示传感器损坏机理的基础上设计了传感器防护装置。在小型观测水槽内开展了小当量炸药水下爆炸试验,采用阵列传感器测量获取了气泡射流载荷的时空分布特性。研究结果表明:(1)设计的防护装置可保证传感器在气泡射流载荷测量过程中不损坏;(2)气泡射流载荷中心最大,向四周逐渐减小,中心处气泡射流载荷峰压约35.6 MPa,约为冲击波峰压的1.16倍。建立的阵列测量技术可为水下爆炸气泡射流的深入研究提供技术支撑。  相似文献   
10.
针对北京正负电子对撞机II期(BEPC II)直线加速器升级改造过程中束流位置探测器(BPM)电子学对外部触发信号的需求,设计了一台高精度延时控制、上升时间短和参数灵活调节的数字延时触发器。采用FPGA(现场可编程门阵列)作为主控制器展开设计,重点介绍了基于FPGA的边沿检测模块和多通道延时处理模块的设计与仿真,描述了FPGA和驱动电路的设计方案以及在直线加速器上的应用。经测试,延时可调范围4 ns^4μs,最小步进4 ns,步进误差0.125%;上升时间2 ns,延时抖动135.4 ps。  相似文献   
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