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141.
杜晨  彭雄奇 《应用数学和力学》2022,43(12):1313-1323
由于具备高的比强度、比刚度,利用连续纤维增强复合材料代替传统金属材料以实现结构轻量化正受到设计者们的广泛关注。然而,结构的复杂性给复合材料的铺层设计与优化带来了很大的挑战。针对航空用复合材料铺层设计约束多的问题,通过逐步构建设计变量准确表达结构的铺层信息。基于经典遗传算法框架,结合各设计变量特点,定义了铺层优化算法中的遗传算子,通过引入“修复”策略保证了每一代解都能满足设计约束,分布在可行域区间内。最后利用精英保留策略提高了算法的局部寻优能力,可以降低复杂复合材料结构铺层设计的计算成本。通过解决经典benchmark问题并与已有优化结果的比较,验证了前述铺层优化算法的全局、局部寻优能力,为工程实际中的复合材料铺层设计优化提供了理论支撑。  相似文献   
142.
杨二光 《数学进展》2022,(2):289-298
作为对半连续函数的推广,Yamazaki在[Topology Appl.,2017,231:386-399]中引入半连续偏序集值映射的概念.本文证明多数广义度量空间和度量空间均可用偏序集值映射来刻画,所得结果推广了[Topol ogyAppl.,2018,238:76-89]中的某些相应结论.  相似文献   
143.
制备方法对WO_3/ZrO_2结构的影响   总被引:1,自引:0,他引:1  
用XRD、比表面测定、LRS定性和定量的方法对用Zr(OH)4和已晶化的ZrO2作载体制得的两类WO3/ZrO2催化剂进行了表征.揭示了样品比表面、载体物相、活性组分的存在状态与制备方法、WO3含量、焙烧温度之间的关系.结果表明,WO3能单层分散在ZrO2上;单层覆盖在Zr(OH)4上的WO3使载体在焙烧时晶粒生长受阻,形成介稳的四方ZrO2,并阻止载体微粒间的烧结,使从Zr(OH)4出发制得的WO3/ZrO2比表面明显增大,在WO3含量达到单层分散容量时以上作用表现得最充分;WO3与Zr(OH)4(或四方ZrO2)在高温(~800℃)可能发生了某种化学结合,开创出超强酸位.用以上观点可对文献中已报导的主要实验事实作出较满意的解释.  相似文献   
144.
蒙脱石是具有2∶1层状结构的粘土矿物,酸化蒙脱石用途广泛[1]。利用较大体积多聚金属阳离子与蒙脱石进行离子交换并把蒙脱石层撑开,可以得到复合材料—层柱蒙脱石(PILM),它具有二维的层柱结构,其孔径比一般的分子筛大。其孔径还可以根据蒙脱石离子交换当量和交换阳离子的体积大小加以控制。它具有良好的热稳定性和酸性,并且合成方法简单。蒙脱石和膨润土在我国分布广泛,储量大。因此PILM在载体、吸附剂及较大分子转化催化剂等方面具有较好的应用前景。传统的层柱蒙脱石是由单组分多聚金属阳离子与蒙脱石进行交联而合成的,本文在…  相似文献   
145.
用两种方法分别将四足配体铽配合物[TbL(NO3)]^2+和[TbL]^3+插层组装到了蒙脱土(MT)层板间,制备出超分子复合发光材料[TbL(NO3)^2+-MT和[TbL]^3+-MT。方法一:通过离子交换反应让配离子[TbL(NO3)]^2+取代钠+基蒙脱土(Na-MT)中的Na^+离子,插层组装到蒙脱土层板间。方法二:用配体L与铽基蒙脱土(Tb-MT)反应,使配体插入蒙脱土层板间与Tb^3+离子配位。用元素分析、XRD,FT-IR,UV-vis和热分析对材料进行了表征,并对其荧光性质进行了研究。结果表明,复合材料保持了蒙脱土良好的层柱结构特征,其层间距d001值与插层配离予的直径吻合较好,配离子以单层形式分布于蒙脱土层板间,复合材料中配合物的热稳定性有明显提高。在紫外光激发下,复合材料发出较强的Tb^3+特征荧光,其发射光谱与相应配合物的发射光谱很相似;复合材料中配合物的相对荧光强度较相应纯配合物有明显提高。荧光寿命较长;配合物的激发波长向可见光区发生位移,说明插层组装实现了对配合物激发波长的调制作用。  相似文献   
146.
片式电容是由电介质陶瓷薄膜和内电极相互重叠而成的多层独石结构,又称多层陶瓷电容器(mul-tilayer ceram ic capacitors,简称MLCC)。具有体积小、内部电感低、绝缘电阻高及漏电流小、介质损耗低、价廉等优点,被广泛应用于各种电子整机中的振荡、耦合、滤波和旁路电路,尤其是高  相似文献   
147.
制备了聚苯乙炔(PPA)LB多层膜,将其作为电荷产生层首次应用于机能分离型光电导体领域.从π A曲线发现,PPA单分子膜具有表面压力的各向异性和松弛特性.TEM照片显示,PPA分子链在LB膜中有序排列.转移比和XPS的研究表明,复合膜沉积均匀.与PPA涂膜相比,以PPA LB多层膜作为电荷产生层的光电导体表面充电电位V0=1345V,光照1s后的光衰百分比ΔV1s=6505%,半衰时间t1/2=058s,具有更优异的光电导性能.  相似文献   
148.
MoO3/γ-Al2O3中钼的存在状态及其生成条件的LRS研究   总被引:3,自引:0,他引:3  
  相似文献   
149.
XRD,DTA,比表面测定等结果表明,制备方法对MoO3/ZrO2结构有决定性影响.仲钼酸铵浸渍仅经干燥的Zr(OH)4再经高温焙烧所得团体超强酸MoO3/ZrO2(Ⅰ)与浸渍晶态ZrO2所得部分氧化催化剂MoO3/ZrO2(Ⅱ)的载体形态有明显不同.(1)MoO3/ZrO2(Ⅰ)的比表面数倍于MoO3/ZrO2(Ⅱ);(2)MoO3含量增加时,MoO3/ZrO2(Ⅰ)的比表面逐步增大至一极大值再缓缓下降,而MoO3/ZrO2(Ⅱ)的比表面随MoO3含量增加而单调下降;(3)在MoO3/ZrO2(Ⅰ)中,ZrO2以介稳四方相存在,而在MoO3/ZrO2(Ⅱ)中则是稳定的单斜相.在此基础上研究了事先引入的活性组分在载体织构形成过程中的作用,包括延迟ZrO2晶化,阻碍晶粒长大及与之相关的相变等,并讨论了MoO3/ZrO2(Ⅰ)中MoO3最佳含量的科学含义.  相似文献   
150.
本世纪50年代开始,Bratain和Gerisher等人以半导体物理中Schotky势垒为基础建立了半导体/电解质溶液界面模型,即在半导体与溶液中均认为可用费米能级的概念来表示电子填充的水平,也就是体系的电化学势,它在能级图上位置的高低代表了给出电子...  相似文献   
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