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132.
133.
首次利用渐进因子分析法对SiO2/Si样品俄歇深度剖析过程进行研究,发现SiO2/Si界面处有SiOx成分存在,x值在10~15之间,厚度约为30nm,含量接近50%。Ar+离子束的轰击使得SiO2薄膜内分解产生亚稳态SiO2,含量在17%左右。研究结果表明,渐进因子分析法非常适合于俄歇深度剖析的化学态分析。 相似文献
134.
135.
俄歇化学位移及其在表面化学上的应用 总被引:7,自引:1,他引:7
从俄歇电子激发过程讨论了化学位移和元素化合价以及电负性的关系, 提供了常用元素在不同化合物中的俄歇电子动能及化学位移数据, 运用俄歇化学位移研究了氧在锌表面的吸附和初始氧化反应, Ti/SiO_2的界面固相反应机理以及摩擦过程中润滑膜的组成和结构. 相似文献
136.
研究了XPS诱导的CeM5N45N45俄歇峰,由于其终态空穴处于芯能级,俄歇峰有较好的分辨率,从CeM5N45N45的俄歇峰可获得中心离子Ce的电子云密度等信息,发现其俄歇参数与配位体的极化变形程度有关,从而解释了双烯烃定向聚合必须有稀土卤氧键存在的原因。 相似文献
138.
建立了土壤样品中氯代二英、溴代二英、多氯联苯和多溴联苯醚四类化合物的同步分离前处理方法。应用硝酸银复合硅胶柱将四类化合物分成含氯(PCBs和PCDD/Fs)和含溴(PBDEs和PBDD/Fs)两大类,再用弗罗里硅土柱分别对PCBs和PCDD/Fs、PBDEs和PBDD/Fs进行两两分离,最终实现四类结构、性质相近化合物的完全分离。该方法的回收率和相对标准偏差(RSD)分别为PCDD/Fs:61%~83%,1.4%~14.2%;PBDD/Fs:71%~110%,2.8%~14.9%;PCBs:68%~92%,3.6%~15.2%;PBDEs:81%~87%,10.9%~17.4%。方法应用于土壤样品中四类化合物的同步分析,并与目前常用的分析方法进行比对,两者间的分析结果相差不大于12.5%,验证了方法的准确性和可靠性。 相似文献
139.
不锈钢基底上TiO2薄膜型光催化剂的制备和化学结构 总被引:23,自引:0,他引:23
采用钛酸正丁酯作为前驱体,通过溶胶-凝胶法在不锈钢基片上制备了TiO2纳米薄膜。利用俄歇电子能谱(AES)和紫外反射光谱等研究手段,对TIO2薄膜的化学结构及基底材料界面相互作用进行了系统研究。结果发现,在不锈钢基底上形成的TiO2薄膜与基底材料发生了明显的界面扩散反应。在TiO2薄膜的形成过程中,不锈钢中Fe元素向TiO2薄膜层扩散,并与从大气氛中扩散到界面的氧发生化学反应,形成铁氧化物界面过渡层。界面氧化过程,导致了Fe向样品表面的偏析和扩散。在高温热处理过程中,Fe可以扩散到TiO2薄膜的表面。薄膜催化剂的紫外反射光谱表明,界面扩散反应导致了Fe扩散进入TiO2薄膜的晶格,从而改变了薄膜催化剂的光吸收性能。 相似文献
140.