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磷酸铋纳米棒的可控合成及其光催化性能 总被引:4,自引:0,他引:4
采用水热法合成了形貌可控的磷酸铋纳米棒光催化剂,并以亚甲基蓝(MB)为探针研究了其光催化活性.利用粉末X射线衍射(XRD),透射电镜(TEM)和紫外-可见漫反射光谱(UV-VisDRS)对产物进行了表征.研究发现甘油含量、水热时间、水热温度及前驱体浓度会影响磷酸铋纳米棒的形貌及结构.甘油含量和前驱体浓度主要影响产物形貌.随着甘油含量的增加,产物的长径比先增大后减小.前驱体浓度越低,所得BiPO4纳米棒的尺寸越小,长径比越大.水热时间短时,产物结晶度差,且为六方相,时间延长后转化为单斜相.水热温度过低或过高均不利于完美晶体的形成,160°C时产物的结晶度最高.实验结果表明:BiPO4纳米棒在紫外光下具有良好的光催化性能,其光催化活性受长径比和尺寸大小影响的总体趋势是长径比越大,尺寸越小,其光催化活性越强.结晶度对BiPO4的光催化性能影响较大,结晶度越高,其光催化活性越好.单斜相BiPO4的光催化活性较六方相的强. 相似文献
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MoO3在Al2O3薄膜表面扩散的研究 总被引:3,自引:0,他引:3
氧化物和盐类在高比表面载体上的单层分散现象已被大量实验所证实[1].MoO_3在γ-Al_2O_3等高比表面载体上的分散已经研究很多,近来的研究证实MoO3等在α-Al2O3等小比表面载体上也能自发单层分散[2],但是分散的过程仍然缺乏直接的观察研究.本工作通过多种表面分析方法首次研究了MoO3在平整无定形的Al2O3薄膜上的扩散过程以及影响因素.发现除温度升高外、水汽的存在对该扩散过程也有促进作用.1实验部分1.1样品的制备采用SS-3200真空磁控溅射镀膜机,通入Ar-O2作为反应气,直流磁控… 相似文献
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BBDMS-PPV/ITO界面结构ADXPS研究 总被引:2,自引:0,他引:2
聚合物电致发光器件(Polymer Electroluminescent Device,PLED)已显示出广阔的应用前景^[1-6]。已往人们比较重视阴极材料的选择及相关金属与有机界面的研究^[7],而有关发光层或空穴传输层与阳极ITO膜之间的界面结构及化学问题则少见报道。事实上,ITO膜与有机层之间的作用对器件的可靠性及寿命具有更为严重的影响^[8,9]。由于异质界面的过渡层结构复杂,以纳米尺度上化学组成是非计量比的,因此对这种极薄的埋藏界面的研究方法还需进一步探索。本文通过模型试样制备和变角X射线光电子谱(ADXPS)技术,对PLED中共轭导电聚合物聚2,5-二(二甲基正丁基硅基)对苯乙烯撑(BBDMS-PPV)与阳极ITO膜所形成的界面结构进行了初步研究。 相似文献
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采用非晶态络合物法制备了La0.9Cu0.1MnO3和LaCoO3钙钛矿催化剂, 并利用固定化溶胶工艺合成了Pt纳米粒子负载的Pt/La0.9Cu0.1MnO3和Pt/LaCoO3复合催化剂. 通过透射电镜(TEM)、X射线衍射(XRD)和X射线光电子能谱(XPS)等手段对催化剂的微观结构、形貌及Pt的价态进行了研究; 考察了催化剂的CO催化氧化发光性能. 结果表明, 若La0.9Cu0.1MnO3催化剂表面上负载的Pt纳米颗粒形成团聚, 则在其CO催化氧化发光谱中出现发光峰分裂的现象, 而在Pt纳米颗粒分散较好的Pt/LaCoO3体系中却没有出现这一情况. 因此可以利用CO催化发光谱来初步判断贵金属纳米颗粒在载体表面的分散状态. 相似文献
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The effects of the Pt diffusion barrier layer on the interface diffusion and reaction, crystallization, dielectric and ferroelectric properties of the PZT/Si(111) sample have been studied using XPS, AES and XRD techniques. Hie results indicate that the Pt diffusion barrier layer between the PZT layer and the Si substrate prohibits the formation of TiCx TiSix and SiO2 species in the PZT layer. The Pt barrier layer also completely interrupts the diffusion of Si from the Si substrate into the PZT layer and impedes the diffusion of oxygen from air to the Si substrate greatly. Although the Pt layer can not prevent completely the diffusion and reaction between oxygen and silicon, it can prevent the formation of a stable SiO2 interface layer on the interface of PZT/Si. The Pt layer reacts with silicon to form PtSix species on the interface of Pt/Si, which can intensify the chemical binding strength between the Pt layer and the Si substrate. To play a good role as a diffusion barrier layer, the Pt barrier layer 相似文献
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金刚石颗粒表面Cr金属化及薄膜间界面扩散反应的研究 总被引:6,自引:0,他引:6
运用直流磁控溅射法可在金属石颗粒表面沉积150nm的金属Cr。在超高真空条件下,以300-600℃的热退火处理,可促进Cr膜与金刚石基底间的界面扩散和反应,利用俄歇电子能谱研究了Cr/金刚石颗粒界面的结构状态,发现Cr与金刚石膜发生了强烈的界面扩散,Cr元素渗入金刚石层达90nm,并在界面上发生化学反应形成Cr的碳化物层。对界面扩散反应动力学的研究表明,Cr/金刚石界面扩散反应的表观活性化能的38 相似文献