二恶英类分析研究进展及展望

通过综合介绍国内外二恶英类物质分析研究的最新动态,包括二恶英类的前处理和气相色谱法（GC）、液相色谱法（LC）、胶束电动色谱法（MEKC）、质谱法（MS）、气相色谱/质谱（GC/MS）联用和生物分析法等多种分析技术及其改进方法,指出了二恶英类分析研究工作中现存的问题,对今后的发展动向提出了一些建议。     

固体薄膜的超高真空化学气相沉积

描述了用于进行超高真空化学气相沉积（ＵＨＶＣＶＤ）研究的一个实验装置，并讨论氧化钛，砷化镓，铑和铁薄膜硅在单晶表面上的ＵＨＶＣＶＤ及其原位表征，还简单地探讨了ＵＨＶＣＶＤ在制备模型催化剂中的应用。     

定量AES分析中基体效应的迭代修正法

以Shimizu提出的定量AES分析关系为基础,作者提出一种可用于二元和多元合金定量AES分析的迭代方法。通过引入合金的原子序数和原子密度的概念,计算了合金中元素的基体效应修正因子。与其它方法不同的是,本法中基体效应修正因子是合金元素浓度的函数,受到整体组分的影响。通过对文献报道的五种典型单相多晶二元合金Ag-Pd,Ni-Pd,Cr-Fe,Mo-Fe和Ni-Mg的定量分析计算发现,本法的分析精密度优于F因子法、K因子法及改进K因子修正法。     

X射线光电发射材料

分析Ｘ射线光电效应的特点,讨论俄歇电子和二次发射电子的产生机理。从“自由原子”模型出发,在理论上探讨Ｘ射线光电发射的原理,建立Ｘ射线光电发射的初步理论模型,讨论影响Ｘ躬一光电发射量子产额的几个特性参数,并对两上国际上常用的绝缘材料进行了计算,在此基础上提出了具有较高量子产额的全新硬Ｘ射线光电阴极模型。     

Ta2O5/Si薄膜界面结构及光催化活性

利用溶胶-凝胶法和旋转镀膜法在单晶Si(110)基底上制备了Ta2O5光催化剂薄膜. 薄膜颗粒的晶粒度和大小随着热处理温度的升高而增加. 利用扫描俄歇电子能谱(AES)的表面成分分析、深度剖析和线形分析技术研究了热处理温度对Ta2O5/Si 样品膜层和基底的界面化学状态和相互作用的影响规律. 研究表明, 在700 ℃以下热处理时, Ta2O5/Si薄膜界面处以扩散作用为主;在800 ℃高温热处理时,在界面扩散的同时也引发界面反应, 生成了SiO2物种, 界面扩散和界面反应会对薄膜和基底元素的化学价态发生影响. 在紫外光下降解水杨酸的光催化活性的研究表明, 在600 ℃下焙烧制备的Ta2O5/Si薄膜具有与TiO2/Si薄膜相当的光催化活性.     

基于分子相互作用力场分析的多氯代二苯并二嗯英定量结构-色谱保留关系

提出了基于分子相互作用力场（MIF）、应用偏最小二乘（PLS）与多区组偏最小二乘（MBPLS）分析相结合，建立并检验多氯代二苯并二嗯英（PCDD）定量结构一色谱保留关系（QSRR）模型的研究方法。分别以表征van der Waals、氢键和疏水效应的C3、H和DRY探针，计算75种PCDD的分子相互作用力场，并与其气相色谱Kovats保留指数进行PLS与MBPLS分析，建立了拟合与预测效果良好的QSRR模型。其中MBPLS模型相关系数r^2为0．998；交叉验证的相关系数q^2为0．994。采用投影变量重要性方法判断了各种效应在PCDD色谱保留中的贡献。结果表明：van der Waals作用的影响最大，其次为疏水效应，而氢键效应影响较小。     

2,3,7,8-四氯二苯并-对-二噁英(2,3,7,8-TCDD)及其同型物的晶体结构和电子结构研究

The crystal structures of 2,3,7,8-tetrachlorodibenzo-p-dioxin(2, 3, 7, 8-TCDD) and its analogues have been determined. And the semiempirical INDO calculations for this type of compounds have been undertaken. Their characteristics of electronic structures were discussed. The possible active centers which can interact with biological receptor were also proposed.     

杂多酸PMo_(12-x)V_x和PMo_(12-x)W_x的XPS研究 Ⅱ.氧的双电离能及轫致辐射诱导的磷、钼俄歇谱

利用式E_Ⅱ(min)=E_B(K)-E_i(L_(23)~ L_(23)~ )可以从OKL_(23)L_(23)价态型俄歇跃迁能量求出氧的双电离能,它与杂多酸的Bronsted质子酸有一定的对应关系。本文利用铝靶的轫致辐射诱导MoL_3M_(45)M_(45)和PKL_(23)L_(23)俄歇跃迁,实现了在一个阳极和同一次实验情况下,既测得Mo、P特征的电光电子峰,又记录了高动能的俄歇峰。Mo、P的俄歇谱可表明杂原子与杂多配位原子的关系。     

X光电子能谱研究氧离子束辅助PLD共淀积ZnO薄膜

在ZnO的XPS分析中,ZnLMM俄歇峰能很好地指认氧化锌淀积膜中Zn的价态,结合O1s光电子峰的分析,可表征ZnO中缺氧程度。通过XPS的对比实验,表明采用氧(O)离子辅助PLD共淀积ZnO薄膜,能明显改善淀积ZnO膜的缺氧问题,降低薄膜层中的孔隙率,提高淀积ZnO薄膜质量。XPS深度剖析结果还表明采用O离子辅助PLD共淀积后膜层中Zn的氧化组分和孔隙率随深度变化平缓。