分光光度法测定英平顽痹通和英平顽痹消中微量锗

用苯基荧光酮－溴化十六烷基三甲基铵分光光度法测定了英平顽痹痛1，英平顽痹通2，茼平顽痹通3，英平顽痹消1和英平顽痹消2五种治疗类风湿中药中锗含量，结果表明，该类药物中锗含量较丰富，且英平顽痹通类药物较英平顽痹痹消类药物锗含量高，这为临床上合理用药提供了有用数据。     

超高真空俄歇电子能谱原位加热和GaN热效应研究

建立一套基于超高真空俄歇电子能谱的原位加热系统,对GaN薄膜进行热效应研究．随着温度的增加,Ga LMM和Ga MVV的动能减小．利用第一性原理计算,获得理论的GaMVV俄歇谱.加热过程由于晶格热膨胀以及表面原子再构引起价电子态密度发生变化,从而导致价带俄歇谱负移．     

窄带隙超晶格中载流子俄歇寿命和碰撞电离率的第一性原理研究

通过第一性原理的完整形式,基于全势能线性化增广平面波方法确定的精确能带结构和波函数,推算了技术上极为重要的窄带隙半导体超晶格中载流子俄歇复合时间.少数载流子的俄歇寿命由两种相关的方法来确定:1)由Fermi-金规则直接估算,2)联系俄歇复合和其相反过程碰撞电离,建立细致平衡公式,在一个统一的结构中进行间接估算.在n掺杂HgTe/CdTe和InAs/In_xGa_1－xSb超晶格中,由直接和间接的方法确定的寿命与一些实验结果相当一致.这说明该计算模式可以作为一种精确的手段用于窄带隙超晶格材料的性能优化. 关键词： 第一性原理 俄歇复合 碰撞电离 半导体超晶格     

Chemical Effect on K Shell X-ray Fluorescence Parameters and Radiative Auger Ratios of Co, Ni, Cu, and Zn Complexes

对钴、镍、铜、锌元素组成的不同配合物K壳层X射线的产生截面、谱线强度比、俄歇辐射强度比进行了测定,同时研究了化学效应对K壳荧光参数和俄歇辐射强度比的影响,并根据电荷转移过程解释了这些参数的变化. 采用59.5 keV的γ射线²⁴¹Am的环形放射源对样品进行激发. 用分辨率为150eV的Ultra-LEGe探测器在5.9 keV测定样品产生的K壳X射线.     

C+离子内壳激发共振态1s2s(3S)2p3的Auger能量和Auger分支率

利用精确的鞍点变分波函数和鞍点复数转动方法,计算了C+离子五电子原子系统内壳激发共振态1s2s(3S)2p3 2,4Po, 2,4Do 的俄歇能量和俄歇分支率,考察了俄歇跃迁的收敛性,对300-keV C+离子和CH4气体碰撞实验产生的高分辨率俄歇电子谱进行了标定,并指出这些类硼C+离子的内壳激发共振态对253-273eV范围的实验谱线有重要贡献. 本文计算结果与实验数据符合得很好.     

类铍离子内壳激发态1s2p33Po的俄歇宽度、俄歇分支率和辐射跃迁率计算

采用鞍点变分方法和鞍点复数转动方法,并考虑相对论修正和质量极化效应,计算了类铍内壳激发态1s2p33Po的俄歇宽度、俄歇电子能量和俄歇分支率.同时还对1s2p33Po态到1s22p3p3Pe态(Z=4～10)的振子强度和辐射跃迁率进行了计算.计算结果和其他理论结果和实验数据符合的很好.     

类铍离子内壳激发态1s2p^33P^o的俄歇宽度、俄歇分支率和辐射跃迁率计算

采用鞍点变分方法和鞍点复数转动方法，井考虑相对论修正和质量极化效应，计算了类铍内壳激发态1s2p^33P^o的俄歇宽度、俄歇电子能量和俄歇分支率．同时还对1s2p^33P^o态到1s^22p3P^3P^e态（Z=4～10）的振子强度和辐射跃迁率进行了计算，计算结果和其他理论结果和实验数据符合的很好。     

垃圾焚烧炉飞灰中二(口恶)英的分布特性

采用高分辨色谱/低分辨质谱联机分析了不同炉型垃圾焚烧炉布袋除尘器飞灰中的二(口恶)英分布特性.结果表明,燃料组成及飞灰中氯含量对飞灰中二(口恶)英的浓度均有影响.飞灰中氯含量与灰中的二(口恶)英含量成正比关系.尽管飞灰中含有大量重金属,但与飞灰中二(口恶)英的含量并不存在显著的关系.流化床炉与炉排炉布袋除尘器飞灰中二(口恶)英同系物分布特性不同.飞灰中二(口恶)英的主要同系物是1,2,3,4,6,7,8-HpCDD(heptachlorinated dibenzo-p-dioxin),1,2,3,4,6,7,8-HpCDF(heptachlorinated dibenzofuran)和OCDD(octachlorinated dibenzo-p-dioxin),PCDFs(polychlorinated dibenzofurans),TEQ(toxic equivalence quantity)高于PCDDs含量.初步研究表明,炉排炉飞灰中二(口恶)英总量及毒性当量(TEQ)大于流化床炉飞灰.     

铀与UO2表面铝薄膜生长行为的俄歇电子能谱分析

主要利用俄歇电子能谱（AES）原位分析了室温下铀与UO2表面铝薄膜的生长行为。在俄歇电子能谱仪超高真空室中，利用Ar^＋枪溅射铝靶，使其沉积到铀基体上，然后利用电子枪适时采集表面俄歇电子能谱，原位分析铝薄膜的生长过程。在UO2表面沉积铝膜时，先往真空室中充入氧气，将清洁铀表面氧化成UO2，然后再溅射铝靶原位沉积制备铝薄膜。     

材料化学分析的物理方法(Ⅰ)

材料的化学信息是理解科学、工程与技术领域各种过程、机制和材料行为的最基本要素，材料研究的第一步是要确定材料的化学，包括构成材料的原子的种类、分布以及具体的化学态等内容，任何具有元素特征的物理信息，包括原子量、电子的能级、原子核自旋，甚至局域的电子态密度等都可以用来做材料的化学分析，化学信息由来自材料本身的或用作探针的电子、光子、离子或中性原子携带，相应的分析技术包括X射线光电子能谱、俄歇电子谱、核磁共振、特征X射线分析、二次离子质谱、能量损失谱、溅射中性粒子质谱，各类离子散射谱以及扫描隧道显微学方法等等，文章对上述各种分析方法的物理原理、仪器以及应用等逐一做扼要的介绍。