磁场对Ge表面场效应的影响

本文研究了横向磁场对Ge表面交流场效应的影响,提出了与其他作者不同的解释。根据我们的实验结果,可以认为磁场对场效应的影响主要是由于磁浓缩效应引起了样品电导的附加变化,而不是由于霍耳电压改变了表面势垒。并且指出利用这个实验来决定表面复合速度与表面势垒关系的可能性。     

AlxGa1-xP固溶体XPS和AES研究

采用XPS和AES对AI_xGa_1-xP(0≤x≤0.64)进行了研究。实验结果表明,组分比x增加时磷的2p结合能减小,价带顶退缩。同时鉴别和澄清了GaP微弱俄歇峰。 关键词：     

采用直接外延方法生长的量子线结构及其光学性质

本文介绍利用分子束外延方法在ＧａＡｓ的某些特殊表面上原位直接生长ＧａＡｓ／ＡｌＡｓ量子线结构的几种方法，包括采用（３１１）等高指数面、（００１）邻晶面以及（１１０）解理面二镒生长。着重讨论量子线结构的形成机理及其光学特性。这些方面能避开目前纳米尺度刻蚀生长的困难，可能成为制备低维结构的有希望的途径。     

Si(113)表面原子结构的低能电子衍射研究

利用低能电子衍射(LEED)研究了离子轰击加退火处理的和淀积外延的两种Si(113)表面的原子结构。发现对于经750—800℃退火后的两种Si(113)表面,当其温度高于600℃时存在1×1非再构表面相。随着样品温度缓慢地冷却至室温,Si(113)-1×1表面经过3×1(约600—400℃)最后转变为3×2再构。当退火温度为600℃时,则只出现3×1再构,室温下的3×2和3×1表面都是很稳定的。讨论了表面杂质对Si(113)表面原子结构的影响。在衬底温度为580℃的Si(113)表面上进行淀积生长,当外延 关键词：     

氧在硅表面上吸附的晶向关系

利用AES和同步辐射光电子谱,在圆柱状的Si单晶样品上研究了氧表面吸附的晶向关系。结果表明:在350K曝氧²L时,总吸附量的晶向关系比较弱,并可利用台阶的增强吸附来解释;随着曝氧量的增加(～10L),氧原子首先从(111)面进入体内,从而支持Si(111)-(7×7)再构是属于“缺陷”类模型的结论。 关键词：     

闭管热氧化法生长GaAs自体氧化膜的AES和XPS分析

本文首次利用AES和XPS分析了闭管热氧化法生长GaAs自体氧化膜及其界面组成,其主要成分是Ga2O3和元素As,少量的As2O3分布在氧化层的外侧,从而推断出As2O3是本反应的氧化剂。     

Al_xGa_(1-x)P固溶体XPS和AES研究

采用XPS和AES对AI_xGa_(1-x)P(0≤x≤0.64)进行了研究。实验结果表明,组分比x增加时磷的2p结合能减小,价带顶退缩。同时鉴别和澄清了GaP微弱俄歇峰。