在Si(100)上以AlN作过渡层低温外延生长ZnO薄膜

采用脉冲激光沉积(PLD)方法在Si(100)上成功生长了高度c轴取向的AlN薄膜,并以此为衬底,实现了ZnO薄膜的低温准外延生长.通过X射线衍射(XRD)、原子力显微镜(AFM)以及荧光分光光度计表征ZnO薄膜的结构、表面形貌和发光性能.结果表明,ZnO薄膜能在AlN过渡层上沿c轴准外延生长,采用AlN过渡层后,其荧光强度也有大幅提高.     

金属有机物气相外延生长InAlGaN薄膜及其性能表征

在不同的生长温度和载气的条件下,采用低压金属有机物气相外延方法生长了系列的InAlGaN薄膜,通过能量色散谱(EDS),高分辨X射线衍射(HRXRD)和光致发光谱(PL)对样品进行表征与分析,研究了生长工艺对InAlGaN外延层结构和光学性能的影响.发现当以氮气做载气时,样品的发光很弱并且在550nm附近存在一个很宽的深能级发光峰;当采用氮气和氢气的混合气做载气时,样品中的深能级发光峰消失且发光强度明显提高.以混合气做载气,InAlGaN薄膜中铟的组分随生长温度的升高而降低,而薄膜的结构和光学性能却提高.结合PL和HRXRD的测试结果得到了较佳的生长参数:即载气为氢气和氮气的混合气以及生长温度在850℃到870℃.     

ZnO纳米棒在Si衬底上外延生长研究

运用热蒸发ZnO粉末法,以金做催化剂,分别在Si(100)和Si(111)两种基片上外延生长了ZnO纳米棒(样品分别标为1#和2#).通过X射线衍射(XRD)和扫描电子显微镜(SEM)分析,结合ZnO与Si的晶格结构特征,从理论上得出了两个样品的晶格匹配关系.1#样品:[0001]ZnO∥[114]Si,[0001]ZnO∥[1-1-4]Si,[0001]ZnO∥[11-4]Si,[0001]ZnO∥[1-14]Si,失配度为1.54;;2#样品:[0001]ZnO∥[111]Si,[21-1-0]ZnO∥[11-0]Si,[1-21-0]ZnO∥[1-01]Si ,[1-1-20]ZnO∥[011-]Si,失配度为18.12;.研究表明Si衬底对ZnO纳米棒生长方向具有调控作用.     

超重核的生成和衰变

简单介绍了近年来在超重核研究方面所取得的成就和理论方面所面临的挑战.着重介绍推广的液滴模型和准分子形状机制,它们的优点是考虑了精确的核半经、质量和电荷的不对称性、形变、亲和力和温度等.推广的液滴模型和准分子形状机制能很好地描述重核和超重核的裂变、衰变及完全熔合反应.The progress and challenge on studies of superheavy elements both experiments and theories has been briefly introduced. It is emphasis to introduce a generalized liquid drop model, including the proximity effects, the asymmetry, an accurate nuclear radius, and quasi molecular shapes. The α decay half lives of 373 nuclei and superheavy elements have been calculated in the generalized liquid drop model and compared with the available experimental data. The deformed energies have also been obtained ...     

液相外延法制备LiNbO3薄膜的研究和进展

讨论了液相外延法制备LiNbO3薄膜过程中,衬底和助熔剂的选择对LiNbO3薄膜制备的影响及掺杂改性问题,简要地介绍了LiNbO3薄膜的一些性能及光学应用.研究表明,目前可用液相外延法在LiTaO3、掺镁(5mol;)的同成分LiNbO3及纯的同成分或近化学计量比LiNbO3单晶衬底上制备出具有较高光学质量的LiNbO3薄膜.讨论了液相外延法制备LiNbO3薄膜过程中存在的主要问题、发展前景及今后的研究方向.     

微波等离子体同质外延修复金刚石的研究

用微波等离子体化学气相沉积法同质外延生长了有缺陷的金刚石颗粒.在同质外延之前,研究了温度因素对金刚石生长表面形貌的影响,研究表明适宜金刚石同质外延的温度范围非常窄,在1030℃左右;温度低于920℃,大尺寸的金刚石单晶颗粒就很难得到,二次形核现象变的很严重.在实验得出的优化温度条件下,对表面有缺陷的天然金刚石进行了同质外延生长,用扫描电子显微镜(SEM)观察发现,原来金刚石表面的裂缝被修复,外延生长速率达到10.3μm/h.     

微通道中应用"流动汇聚"形成分散体系

在微流控器件内集成具有流动汇聚功能的几何结构以研究液--液系统中液滴的形成. 相图显示液滴的大小为流量以及两种液体流量比的函数, 它包括两个区域, 在一个区域中液滴大小和孔隙宽度接近, 而在另一区域液滴大小则取决于``汇聚'后的细流直径, 从而能形成远小于孔隙的液滴. 单分散和多分散乳状液均可以被生成.     

分子束外延n-GaAs/SI-GaAs薄膜材料的拉曼光谱研究

用分子束外延(MBE)技术, 在GaAs(100)衬底上生长了不同Si掺杂浓度（从1016 cm-3到1018 cm-3）的n-GaAs薄膜。通过在室温下拉曼光谱的测量对n-GaAs薄膜的谱形进行了分析,拉曼位移出现了明显的移动,光学横模TO峰相对的增强,光学纵模LO峰相对的减弱。文章分析了原因这是由于Si掺杂浓度不断的提高,致使界面失配位错不断地提高造成的,内部应力也在不断的增大,原来的晶格振动平衡被破坏,四价Si替代了三价Ga致使谱线移动。并且由于横声子模具有Raman活性,横声子模被相对的增强了。实验结果与理论是互相吻合的。     

ZnSe薄膜的化学反应辅助热壁外延法生长及特性研究

本文通过将新型化学气相反应促进剂Zn(NH4)3Cl5引入到热壁外延系统中,以二元素单质Zn和Se为原料,直接在Si(111)衬底上生长了高质量的ZnSe晶体薄膜,薄膜成分接近理想化学计量比。研究了主要工艺参数对薄膜生长形貌和性能的影响。采用SEM、AFM、EDS和PL谱技术研究了生长的ZnSe薄膜的形貌、成分和发光特性。研究结果表明,热壁温度和生长时间是影响ZnSe薄膜形貌的主要因素;气相反应促进剂在薄膜生长和调节成分方面扮演了关键角色,Zn(NH4)3Cl5的存在使得Zn(g)和Se2(g)合成ZnSe晶体的反应转变为气固非一致反应,从而更容易获得近乎理想化学计量比的ZnSe薄膜。ZnSe薄膜在氦镉激光激发下,室温下PL谱由近带边发射和(VZn-ClSe)组合的SA发光组成,而在飞秒激光激发下,仅在481nm处显示出强烈的双光子发射峰。     

La1.4Sr1.6Mn2O7双层结构外延膜电子顺磁共振和输运性质

本文研究了不同温度下、磁场与具有双层结构的La1.4Sr1.6Mn2O7外延膜膜面成不同角度θ时的电子顺磁共振谱，并测量了此薄膜材料的输运性质，发现在任一温度下，θ对ab平面上的铁磁态产生的普峰的共振场位置几乎没有影响：而在c轴方向上的铁磁－顺磁转变温度Tc^c以下，θ对c轴方向上的铁磁态产生的谱峰的共振场位置有着显著的影响，其原因可能有两个，一是c轴和ab平面方向上的磁性质由于结构因素的影响存在着差异，即各向异性；二是在c轴方向上可能存在强烈的退磁效应，而在ab平面方向上退磁效应可以忽略不。输运性质测量表明外加磁场明显地抑制了样品的电阻率ρ，样品表现出较强的磁电阻效应。