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111.
将介观无损耗传输线中的驻波场看成作相对运动的两列同频率的行波的叠加,此电路量子化后成为两个频率相同、不同模的光子场。计算和分析了激发相干态下电压和电流梯度的量子涨落,指出了双模传输线与一般的LC电路、双模传输线与单模传输线量子涨落的异同之处。 相似文献
112.
用气压浸渗工艺制备了体积分数40%~50%Al2O3颗粒增强纯铝基复合材料,使用了4种不同尺寸的Al2O3颗粒,其平均粒径分别为5μm、10μm、30μm和60μm.测定了这些复合材料的静、动态压缩性能,并通过材料压缩前后密度变化的测量定量表征了材料的累计损伤,结果表明,与基体材料相似,这些复合材料表现出明显的应变率敏感性;当增强颗粒平均粒径小于60μm时,材料的累计损伤基本与应变率无关,而主要取决于材料的应变.材料中颗粒的破裂主要是由颗粒间的相互作用引起的.较小尺寸颗粒增强的复合材料具有较高的流动应力和较小的累计损伤,并随着颗粒体积分数的增加,材料的流动应力和损伤率都相应增加. 相似文献
113.
对不同的本底真空条件下,采用甚高频等离子体增强化学气相沉积技术沉积的氢化微晶硅(μc_Si∶H)薄膜中的氧污染问题进行了比较研究.对不同氧污染条件下制备的薄膜样品的x射线光电子能谱与傅里叶变换红外吸收光谱测量结果表明:μc_Si∶H薄膜中,氧以Si—O,O—O和O—H三种不同的键合模式存在,不同的键合模式源自不同的物理机理.μc_Si∶H薄膜的Raman光谱、电导率与激活能的测量结果进一步显示:沉积过程中氧污染程度的不同,对μc_Si∶H薄膜的结构特性与电学特性产生显著影响;而不同氧污染对μc_Si∶H薄膜电学特性的影响不同于氢化非晶硅(a_Si:H)薄膜.
关键词:
氢化微晶硅薄膜
甚高频等离子体增强化学气相沉积
氧污染 相似文献
114.
为了使光盘获得优良的记录/读出性能并能够长期稳定地使用,必须优化设计相变光盘的多层膜结构。采用自行设计的模拟分析相变光盘读出过程设计软件,从光学角度出发模拟计算了蓝光(405nm)相变光盘的膜层结构,研究了多层膜系的反射率和反射率对比度等光学参量与各层膜厚度和槽深的关系。研究得出的最佳多层膜结构为:下介电层/记录层/上介电层/反射层的厚度对于台记录为100nm/10nm/25nm,/60nm,而对于槽记录则为140nm/15nm/30nm,/60nm,槽深为50nm。模拟计算结果对于将来高密度蓝光相变光盘的制备具有一定的指导意义。 相似文献
115.
偏滤器靶板磁预鞘层边界的离子流 总被引:1,自引:1,他引:0
利用流体力学模型研究了偏滤器等离子体条件下磁预鞘层边界离子流和预鞘层宽度之间的关系,并分析了粒子碰撞对预鞘层边界离子流的影响。由于粒子碰撞对离子的驱动效益,预鞘层边界离子流速度随着预鞘层宽度的增加而减少;只有当预鞘层宽度趋于零时,边界离子流沿磁力线的速度才趋近于离子声速。在固定预鞘层宽度的条件下,计算了预鞘层边界离子流速度与碰撞频率之间的函数关系。 相似文献
116.
117.
在总结铜氧化物高温超导体晶体结构特点的基础上,提出了以无限层结构Cu-O钙钛矿为核心的结构组装概念,通过和相关结构的外延组合,衍生出了高温超导体的主要晶体构型。进一步运用此观念,建立了新的三元数命名法,并对高温超导体的晶体结构进行了归类。 相似文献
118.
通过保持非耗散介观LC电路的固有频率不变,而使电路参数作阶跃函数变化,就可将介观LC电路由初始的偶相干态制备到压缩偶相干态;在压缩偶相干态下,介观电路系统不仅有非经典的量子压缩效应,而且有非经典的反聚束效应.
关键词:
介观LC电路
单位阶跃函数
压缩算符
压缩偶相干态 相似文献
119.
考虑到量子相干效应和界面散射效应 ,利用 L ambert理论模型 ,计算正常金属 /绝缘层 /超导 /绝缘层 /正常金属双垒隧道结中的准粒子输运系数和隧道谱。研究表明 :( 1)所有的准粒子输运系数和电导谱在超导能隙之上都随能量作周期性振荡 ,其振荡周期依赖于超导层的厚度 ;( 2 )在超导能隙之上 Andreev反射系数随能量呈现周期性消失现象 ;( 3)在绝缘层势垒强度取很大的隧道极限下 ,超导层中会形成一系列的准粒子束缚态 ,其位置由量子化条件决定 ;( 4)界面散射效应不仅能压低各子能隙电导峰 ,还能使子能隙电导峰劈裂为两个峰。 相似文献
120.