正常金属-铁磁绝缘层-dx2-y2+idxy混合波超导结中的磁散射对隧道谱的影响

在正常金属铁磁绝缘层dx2-y2 idxy混合波超导隧道结中,考虑到铁磁绝缘层的磁散射和界面的粗糙散射效应,运用BogoliubovdeGennes(BdG)方程和BlonderTinkhamKlapwijk(BTK)理论,计算了隧道结中的准粒子传输系数和微分电导.研究表明:(1)磁散射和界面粗糙散射均可以压低电导峰,其中磁散射能使电导峰滑移,而粗糙界面散射却能阻止这种滑移,且两散射的共同作用可抑制由混合波两序参数的幅值比不同所导致的电导峰滑移;(2)随铁磁层离超导表面距离的增加,隧道谱在零偏压处由凹陷变成了零偏压电导峰,继而又演化为凹陷中的中心峰;(3)当铁磁层离开超导表面有若干相干长度时,隧道谱中将呈现一些子能级谐振峰.     

正常金属/超导/正常金属双垒隧道结中的量子相干输运

考虑到量子相干效应和界面散射效应 ,利用 L ambert理论模型 ,计算正常金属 /绝缘层 /超导 /绝缘层 /正常金属双垒隧道结中的准粒子输运系数和隧道谱。研究表明 :( 1)所有的准粒子输运系数和电导谱在超导能隙之上都随能量作周期性振荡 ,其振荡周期依赖于超导层的厚度 ;( 2 )在超导能隙之上 Andreev反射系数随能量呈现周期性消失现象 ;( 3)在绝缘层势垒强度取很大的隧道极限下 ,超导层中会形成一系列的准粒子束缚态 ,其位置由量子化条件决定 ;( 4)界面散射效应不仅能压低各子能隙电导峰 ,还能使子能隙电导峰劈裂为两个峰。     

N/I/d波超导体结中的准粒子非弹性散射效应

考虑准粒子的非弹性散射和正常金属区域的杂质散射,以方势垒描述N/I/d波超导体结中绝缘层对准粒子输运的影响,运用Bogoliubov-de Gennes(Bde)方程和Blonder-Tinkham-Klapwijk(BTK)理论,计算了N/I/d波超导体结的隧道谱.研究表明;(1)伴随着准粒子的非弹性散射效应,绝缘层的势垒值及绝缘层厚度对零偏压电导峰值有显著影响;(2)准粒子有限寿命的缩短,可压低零偏压电导峰,并抹平能隙处的小峰或凹陷;(3)较大的杂质散射会导致零偏压电导峰的劈裂,而准粒子的非弹性散射则可有效地阻止其劈裂.     

Tunneling conductance in quantum wire/insulator/dx2 -y2 + idxy mixed wave superconductor junctions

Using the extended Blonder-Tinkham-Klapwijk (BTK) theory, this paper calculates the tunnelling conductance in quantum wire/insulator/dx2-y2 + idxy mixed wave superconductor (q/I/dx2-y2 + idxy) junctions. That is different from the case in d- and p-wave superconductor junctions. When the angle α between a-axis of the dx2-y2 wave superconductor and the interface normal is π/4, there follows a rather distinctive tunnelling conductance. The zero-bias conductance peak (ZBCP) may or may not appear in the tunnelling conductance. Both the interface potential z and the quasi-particle lifetime factor Γ are smaller, there is no ZBCP. Otherwise, the ZBCP will appear. The position of bias conductance peak (BCP) depends strongly on the amplitude ratio of two components for dx2-y2 + idxy mixed wave. The low and narrow ZBCP may coexist with the BCP in the tunnelling conductance. Using those features in the tunnelling conductance of q/I/dx2-y2 + idxy junctions, it can distinguish dx2-y2 + idxy mixed wave superconductor from d- and p-wave one.     

正常金属/dx2-y2+idxy混合波超导隧道结中的微分电导

运用Bogoliubov-de Gennes(BdG)方程和Blonder-Tinkham-Klapwijk(BTK)理论,计算了正常金属/dx2-y2 idxy混合波超导隧道结中的准粒子输运系数和微分电导.研究表明:(1)影响电导谱中零偏压电导峰滑移的因素有杂质散射、dxy波分量、混合波两分量的强度比、界面的势垒散射强度、超导晶轴方位等,其中d-xy波分量的存在和超导晶轴方位是关键因素;(2)在θ=π/4的情况下,零偏压电导峰出现的条件为Δ2=0或α=nπ/4;(3)粒子的入射角对电导峰的高低有显著影响.     

正常金属/铁磁绝缘层/p波超导体结的隧道谱

利用Blonder-Tinkham-Klapwijk理论,计算了正常金属/铁磁绝缘层/p波超导体结的隧道谱.结果表明:(1)在正常金属/铁磁绝缘层/p波超导体结的隧道谱中存在零偏压电导峰、零偏压电导凹陷;(2)在Px波结的隧道谱中,磁散射能导致零偏压电导峰的劈裂,而界面的粗糙散射却可以阻止其劈裂;(3)界面的势垒散射,磁散射及其与粗糙散射的共同作用对px、py波结零偏压电导的影响是不同的.     

N/I/d波超导体c轴隧道结的微分电导

以方势垒描述绝缘层,对N/I/d波超导体c轴隧道结的微分电导进行了研究.结果表明:在N/I/d波超导体c轴隧道结的隧道谱中存在V型结构、能隙外的凹陷和小的零偏压电导峰.这一结果能很好的解释相关的实验现象.     

正常金属/绝缘层/s波超导隧道结中绝缘层对微分电导的影响

在正常金属／绝缘层／s波超导隧道结（NIS结）中，以方势垒描述绝缘层对准粒子输运的影 响，运用Bogoliubov_de Gennes（BdG）方程、Blonder_Tinkham_Klapwijk(BTK)理论，计算 了NIS隧道结中的准粒子输运系数和微分电导.研究表明,微分电导随绝缘层厚度的变化呈振 荡和衰减两种趋势，其振荡的周期和衰减的快慢均强烈地依赖于绝缘层的势垒值以及V=Δ ₀/e的偏压值，电导峰的高低及峰的位置与绝缘层厚度密切相关，显示了比δ势 描述更为丰富多彩的隧道谱. 关键词： NIS结 方势垒 微分电导     

绝缘层方势垒影响下N-I-d波超导体结的隧道谱

以方势垒描述N-I-d波超导体结中绝缘层对准粒子输运的影响,通过求解Bogoliubov-de Gennes(BdG)方程,利用Blonder-Tinkham-Klapwijk(BTK)理论,计算了N-I-d波超导体结的隧道谱.研究表明:(1)绝缘层厚度在不同纳米量级下的隧道谱形状各异,即便其厚度处在同一纳米量级上,彼此间仅相差零点几个纳米,电会导致微分电导随偏压的变化关系迥异,这为解释高Tc氧化物超导体的相关实验现象提供了更多的可能性;(2)粒子的入射角和绝缘层的势垒值对零偏压电导峰有显著影响.