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用共沉淀法制备的镁铝水滑石(Mg/Al物质的量比为3),经一定温度焙烧后,得到“笼”状结构的复合氧化物,并采用反相气相色谱法(IGC)对复合氧化物和混合氧化物(氧化镁和氧化铝)的表面性质进行了研究。实验测得一系列探针分子在复合氧化物和混合氧化物上的保留时间,可计算出其吸附热力学函数(吸附自由能(ΔG?),吸附焓(ΔH?),吸附熵(ΔS?)),表面能色散组分(γSd)及复合氧化物的表面酸碱参数(KA,KD),并探讨了探针分子在复合氧化物上的吸附机理。结果表明,探针分子进入复合氧化物的“笼”状结构后,可以减小温度对探针分子吸附过程的影响。此外,计算出复合氧化物的表面酸碱参数KA=3.21及KD=21.02,定量地表明镁铝复合氧化物是一种两性偏碱的材料。 相似文献
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基于激光的电离质谱具有空间分辨率高、样品预处理简单、易于便携化和可实现成像分析等特点。基质辅助的激光离子源质谱可以避免高能量对分子结构的破坏,在生物大分子分析和检测方面获得了广泛应用。传统辅助基质在低分子量范围的干扰较强,极大地限制了常压基质辅助激光离子源的应用,为解决这一问题,一系列基于新型材料的辅助基质被设计和开发出来。这些新型材料可分为两大类:新型有机基质和无机材料。质量范围的扩展和目标化合物灵敏度的增强,显著扩展了常压基质辅助激光离子化技术在原位分析中的应用。该文针对新型辅助基质在常压激光离子源及其在食品安全领域的应用进行了综述,并展望了未来的研究趋势。 相似文献
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建立了同时测定螺旋藻多糖水解产物中鼠李糖、木糖、阿拉伯糖、果糖、甘露糖、葡萄糖、半乳糖、甘露醇、核糖、岩藻糖、葡萄糖醛酸、半乳糖醛酸12种糖类化合物的超高效液相色谱-串联质谱分析方法。螺旋藻样品经超声波辅助提取,用三氟乙酸水解,经Waters Acquity BEH Amide色谱柱(100 mm×2.1 mm,1.7μm)分离,以10mmol/L甲酸铵和10 mmol/L甲酸铵-乙腈为流动相,在电喷雾电离源负离子(ESI-)模式下,用多反应监测(MRM)模式检测。结果表明,12种糖类化合物的定量限为0.005~0.15 mg/kg,线性范围为0.05~5 mg/L。按照样品中每种糖本底含量的50%、100%、150%进行添加,回收率为80.21%~121.6%。应用该方法对螺旋藻样品进行分析,结果发现:大部分样品都能检测到岩藻糖、半乳糖、阿拉伯糖、鼠李糖、葡萄糖、果糖、木糖、核糖,含量在0.3~889.4 mg/g之间。此外,测定的15个样品中岩藻糖、半乳糖、阿拉伯糖、鼠李糖、葡萄糖、果糖、木糖、核糖是共有组分,含量差异较大,但在所有样品中均未检测到甘露醇和甘露糖。该方法的建立可为阐明螺旋藻多糖的结构组成及其活性提供技术支撑及基础数据。 相似文献
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The thin mirrors are widely used in active optical system. In this letter, magnetic medium assistant polishing (MMAP) technology and device are discussed for thin mirrors optical finishing. The principle of MMAP is introduced, the magnetic tool for polishing is designed, and the removal function of magnetic polishing tool is studied. On the basis study of the material removal function especially removal property in the edge region, the tool-path is optimized, and the dwell time distribution of computer-controlled MMAP is researched. The glass thin mirror is polished by MMAP technology. The diameter of the work-piece equals S22201 150 mm and the thickness is 5 mm. The initial surface error is 0.19 λ (root mean square (RMS)) , and after two steps fabrication, the final surface error reaches 0.02 λ. The experimental rsults verify that the technology is effective for thin mirrors finishing. 相似文献
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High-performance 4H-SiC junction barrier Schottky diodes with double resistive termination extensions 下载免费PDF全文
4H-SiC junction barrier Schottky (JBS) diodes with a high-temperature annealed resistive termination extension (HARTE) are designed, fabricated and characterized in this work. The differential specific on-state resistance of the device is as low as 3.64 m ·cm2 with a total active area of 2.46×10-3 cm2 . Ti is the Schottky contact metal with a Schottky barrier height of 1.08 V and a low onset voltage of 0.7V. The ideality factor is calculated to be 1.06. Al implantation annealing is performed at 1250℃ in Ar, while good reverse characteristics are achieved. The maximum breakdown voltage is 1000 V with a leakage current of 9×10-5 A on chip level. These experimental results show good consistence with the simulation results and demonstrate that high-performance 4H-SiC JBS diodes can be obtained based on the double HARTE structure. 相似文献
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We observed an isostructural phase transition in the solid nitrogen λ-N2 at approximately 50 GPa accompanied by anomalies in lattice parameters, atomic volume and Raman vibron modes. The anomalies are ascribed to a slight reorientation of the nitrogen molecules, which does not seem to affect the monoclinic symmetry(space group p21/c). Our ab initio calculations further confirm the phenomena, and suggest an optimized structure for the λ-N2 phase. In addition, a ne... 相似文献
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近年来,磁流变抛光作为一种确定性加工方法已成为获得高精度非球面的重要手段。作者以回转对称二次抛物面为例,分析了磁流变抛光中使用抛光轮校正工件位置的理论方法,并通过实验在Φ230 mm熔石英样件上验证对刀理论,分别在X方向和Y方向以少于3次的调整次数校正工件位置,实现了X方向、Y方向偏置量均低于0.009 mm;采用磁流变抛光技术对工件进行了修形实验验证,加工后面形精度RMS由λ/7收敛至λ/40。实验结果表明:作者提出的非球面工件位置对刀校正方法简单、可靠,能够很好地对工件进行精确定位,利于高精度非球面磁流变抛光加工。 相似文献