石墨烯/类金刚石碳复合薄膜的电化学沉积及其场发射性能

采用液相电化学方法在硅基底上制备了石墨烯掺杂的类金刚石碳复合薄膜,探讨了电化学沉积复合薄膜的机理。利用扫描电子显微镜（SEM）、拉曼光谱（Raman）、透射电子显微镜（TEM）和傅里叶变换红外（FTIR）光谱技术对薄膜表面形貌和微观结构进行了分析表征。结果表明,石墨烯片均匀分散沉积在含氢类金刚石碳（a-C：H）基体中,沉积的石墨烯/类金刚石（G/a-C：H）复合薄膜表面相对均匀平整。场发射测试显示石墨烯掺杂使开启电场从4.7 V·μm^-1增加至5.8 V·μm^-1,场发射电流密度从384 μA·cm^-2显著增加至876 μA·cm^-2。     

稀土激光晶体研究进展

简述了近年来掺稀土激光晶体的研究进展,详细介绍了若干新型掺稀土激光晶体的结构、热力学性能、机械性能、光谱特性和激光性能.发现激光晶体正朝着改善晶体物理性能、提高输出光强、拓宽输出波长范围的方向发展,而且由于激光二极管性价比的提高,探索适用于LD泵浦的激光晶体将成为主流.本文为进一步研究和应用这些激光晶体提供了参考.     

可调谐激光晶体Cr:GSGG的光谱分析及晶场参数计算

用提拉法成功生长出了优质的Cr3+:Gd3Sc2Ga3O12晶体,测定了室温下的吸收光谱和不同温度下的荧光光谱,计算了晶场参数,发现荧光峰值及晶场参数与以前文献报道的均不相同.吸收光谱中,在458.5nm和642.5nm出现了较强的宽带吸收峰,分别对应于Cr3+的4A2→4T1和4A2→4T2的吸收跃迁,在678nm处又叠加了一个非常弱的吸收峰,对应于4A2→2T1的吸收跃迁.测试了晶体从7K到室温的荧光光谱和荧光寿命,在650～850nm范围内出现了宽带荧光,对应于Cr3+的4T2→4A2的发射跃迁.随着温度的升高,荧光峰向长波方向移动,荧光峰半高宽增大,室温下其荧光峰值在732nm,半高宽约为80nm.低温(7K)下的荧光谱中,在694nm处观察到了尖而锐的R线(零声子线),对应于Cr3+的2E→4A2的发射跃迁.由于温度猝灭效应,随着温度升高,晶体的荧光寿命降低,室温下荧光寿命约为114μs.计算了晶场强度参数Dq/B=2.49,4T2零声子能级与2E能级的间距△E为204cm-1,这些参数表明Cr3+处在较弱的晶场中,有利于4T2→4A2的宽带跃迁,Cr:GSGG晶体是较为理想的可调谐激光工作物质.     

β-环糊精-苯甲酰二茂铁缩氨基硫脲包合物特征及微环境效应研究

用饱和水溶液法制备了β-环糊精(β-CD)-苯甲酰二茂铁缩氨基硫脲(TBF)的超分子包合物。等摩尔连续变化法证明两者形成了摩尔比为2∶3(TBF∶β-CD)的包合物,通过测定的相应紫外光谱数据求得包合常数K为5.04×1013(L4·(mol)-4)。UV, FTIR, X射线粉末衍射进一步研究其包结特性。同时, 从微环境的角度研究了不同溶剂对β-CD-TBF和TBF的UV光谱的影响以及在水溶液体系中pH值的变化对TBF和包合物的影响特征。结果表明溶液中不同微环境对客体及超分子包合物的电子光谱有着显著而不同的影响。     

基于灰色模型的乙酸乙烯酯顶空进样质量不确定度评定

鉴于静态顶空进样器进样质量的测定数据有限且分布规律未知,建立了一种基于灰色模型的不确定度评定方法。采用静态顶空-气相色谱和两次相平衡分析法,测定乙酸乙烯酯的顶空进样质量,将整个分析检测视为灰色过程,用灰色系统理论的数学模型评定乙酸乙烯酯的顶空进样质量标准差和不确定度,并与统计学方法评定结果进行比较。灰色模型的不确定度与统计学方法计算值相对偏差为3.65%。该方法可快速评定不确定度,结果可靠。     

气相色谱法测定电子烟烟液及气溶胶中双乙酰和乙酰丙酰

建立气相色谱法氢火焰离子化检测器测定电子烟烟液和气溶胶中双乙酰和乙酰丙酰含量的方法。样品以20 mL乙醇为萃取剂,涡旋振荡萃取10 min,采用气相色谱外标法进行定量分析。双乙酰和乙酰丙酰质量浓度在0.5~50 μg/mL范围内与色谱峰面积呈良好的线性关系,相关系数分别为0.999 6、0.999 4,方法检出限分别为0.044、0.052 μg/mL。烟液中双乙酰和乙酰丙酰测定结果的相对标准偏差为2.5%~4.3%(n=6),样品加标回收率为95.0%~102.5%;气溶胶中双乙酰和乙酰丙酰测定结果的相对标准偏差为3.1%~4.6%(n=6),样品加标回收率为92.7%~102.3%。气溶胶中双乙酰和乙酰丙酰理论浓度与实测浓度具有较强的相关性(对于双乙酰r~2=0.990 1,对于乙酰丙酰r~2=0.994 7),说明双乙酰、乙酰丙酰烟液通过雾化直接转移至气溶胶中。该方法准确度高,重现性好,检出限低,可满足电子烟样品的检测需求。     

利用表面修饰调制GaAs纳米线的电子结构

采用第一性原理的密度泛函方法,研究了利用表面修饰来调制GaAs纳米线的电子结构.在计算中考虑了几种不同的表面钝化材料(H、F、Cl、Br和I)对GaAs纳米线电子结构的影响.计算结果表明,不同的原子修饰GaAs纳米线时对其能带结构的调制主要取决于它们对纳米线表面态的饱和能力.表面修饰不仅可以调节GaAs纳米线的能隙大小,而且也可以调制其能隙类型.GaAs纳米线的电子结构由表面效应和量子限制效应共同来决定.使用不同材料修饰表面的GaAs纳米线的能隙随直径的变化幅度并不相同.表面修饰为实现同种直径和同种结构的GaAs纳米线的能带工程提供了一种新的途径.     

NaGdF4:Yb3+,H03+与GdF3:Yb3+,H03+纳米材料的合成、形貌控制与发光性质

采用水热法通过调控n(F-):n(Ln3+),pH值以及n(Citrate):n(Ln)等一系列反应条件,合成了六方相的NaGdF4:Yb3,ho3+与GdF3:yb3+,Ho3+纳米上转换材料,实现了形貌的可控合成.利用X射线粉末衍射(XRD),场扫描电子显微镜(SEM)以及发光光谱等手段对产物的物相结构、形貌和荧光...     

Dispersion flattened photonic crystal fiber with high nonlinearity for supercontinuum generation at 1.55 μm

A robust design for a photonic crystal fiber (PCF) based on pure silica with small normal dispersion and high nonlinear coefficient for its dual concentric core structure is presented.This design is suitable for flat broadband supercontinuum (SC) generation in the 1.55-μm region.The numerical results show that the nonlinear coefficient of the proposed eight-ring PCF is 33.8 W -1 ·km -1 at 1550 nm.Ultraflat dispersion with a value between -1.65 and -0.335 ps/(nm·km) is obtained ranging from 1375 to 1625 nm.The 3-dB bandwidth of the SC is 125 nm (1496–1621 nm),with a fiber length of 80 m and a corresponding input peak power of 43.8 W.The amplitude noise is considered to be related to SC generation.For practical fabrication,the influence of the random imperfections of airhole diameters on dispersion and nonlinearity is discussed to verify the robustness of our design.