Guided modes in asymmetric metal-cladding left-handed material waveguides

We investigate guided modes in the asymmetric waveguide structure with a left-handed material (LHM) layer surrounded by air and metal. A graphical method is proposed to determine the guided modes. New properties of the oscillating and surface guided modes, such as absence of the fundamental mode, coexistence of the oscillating and surface guided modes, fast attenuation of the surface guided modes, and mode degeneracy, are analyzed in detail. We also investigate dispersive characteristics of the metal-LHM- air optical waveguide. The propagation constant increases with decreasing slab thickness for the first-order oscillating mode, which is different from that in traditional metal-cladding waveguides.     

高非线性微结构光纤中基于受激布里渊散射的慢光延迟

全光连续可调的慢光技术在全光网络和光信息处理等领域具有重要的应用前景. 利用自行设计并拉制的高非线性微结构光纤, 实验研究了基于受激布里渊散射的可调谐慢光延迟. 采用单抽运光和单级延迟方案, 当抽运光功率为162.6 mW时, 在长度为120 m的高非线性微结构光纤中获得了最大76 ns的延迟量, 相当于0.76个脉冲宽度. 通过调节抽运光功率的大小, 可以实现对慢光延迟量的可调谐.该慢光延迟方案具有延迟量大、 全光可调谐及与现有光通信系统兼容等优势. 关键词： 慢光 微结构光纤 受激布里渊散射     

多波长飞秒激光激发下GaAs纳米线SHG特性研究

本文基于有限元法研究了直立生长于GaAs衬底的GaAs纳米线的光场响应和光场增强性质. 实验使用多个波长的飞秒激光脉冲激发GaAs纳米线, 测得了较高效率的二次谐波信号, 并首次使用宽带超连续飞秒脉冲 (1000–1300 nm) 在纳米线上获取了宽带、无杂散荧光噪声的二次谐波信号. 这种高效的二次谐波产生过程主要归因于纳米结构引起的局域场增强效应. 本文阐明了GaAs纳米线的二次谐波倍频特性, 这些结果对于其在纳米光学中的光器件、 光集成等领域的进一步研究和实际应用具有很好的参考价值. 关键词： GaAs纳米线 二次谐波 飞秒激光     

Growth and characterization of GaAs/InxGa1-xAs/GaAs axial nanowire heterostructures with symmetrical heterointerfaces

We report on the Au-assisted vapour-liquid-solid （VLS） growth of GaAs/InxGal xAs/GaAs （0.2 ≤ x ≤1） axial double-heterostructure nanowires on GaAs （ 111 ） B substrates via the metal-organic chemical vapor deposition （MOCVD） technique. The influence of the indium （In） content in an Au particle on the morphology of nanowires is investigated systematically. A short period of pre-introduced In precursor before the growth of InxGal xAs segment, coupled with a group III precursor interruption, is conducive to obtaining symmetrical heterointerfaces as well as the desired In/Ga ratio in the InxGa1-xAs section. The nanowire morphology, such as kinking and tapering, are thought to be related to the In composition in the catalyst alloy as well as the VLS growth mechanism.     

配位吸附波同时测定PbⅡ和In(Ⅱ)

在0.05 mol/L氯乙酸-氯乙酸钠(pH 3.0)介质中,Pb2+、In3+与二溴邻苯二胺双草酰胺酸酯(DBAC)生成络合物,并吸附于电极表面,分别于-0.50V、-0.63V(vs.SCE)得到络合物吸附还原波.其二阶导数峰电流与Pb2+、In3+浓度分别在2.5×10-8～6.0×10-6 mol/L 、7.5×10-8～3.4×10-6 mol/L内呈良好的线性关系;检出限分别为1.5×10-8 mol/L Pb2+和4.5×10-8 mol/L In3+.应用于陶瓷颜料、矿石中微量Pb、In的测定,结果满意.     

Gd3+掺杂TiO2纳米复合材料的可见光响应性能

采用溶胶-凝胶技术,在钛酸四丁酯(TBOT)的水解过程中,加入硝酸钆(Gd(NO₃)₃),得到具有可见光响应活性的Gd³⁺/TiO₂复合材料。应用TEM、XRD、TG-DTA和UV-Vis等手段对纳米TiO₂复合材料进行了表征。当Gd³⁺的掺杂量为0.5%时,Gd³⁺/TiO₂复合材料在550 nm附近产生宽强吸收带。Gd³⁺进入TiO₂晶格中,形成了新的掺杂能级(E_g=1.27 eV)。适量Gd³⁺掺杂的纳米TiO₂复合材料的光催化性能优于纯TiO₂粉体材料。     

季铵盐型阳离子聚合物的合成及其在超细颜料中的应用

采用自由基溶液聚合,制备了甲基丙烯酰氧乙基三甲基氯化铵-苯乙烯-甲基丙烯酸甲酯三元共聚物,并用此阳离子聚合物作为分散剂制备超细有机颜料分散体系。用FT-IR和13C-NMR分析、表征了共聚物的结构,用GPC研究了聚合物的分子量及分子量分布,用滴定法测定了聚合物中阳离子单体含量。结果表明:聚合物的结构及用量对颜料分散体系的影响较大,当聚合物中阳离子单体含量为59.5%-69.7%,mAIBN/mM=0.010-0.012时,颜料的粒径最小且体系的稳定性最好,阳离子聚合物质量分数大于0.004时,分散体系的分散性能较好。     

量子点标记荧光免疫分析测定雌三醇

采用包被雌三醇完全抗原竞争免疫分析模式,以量子点标记羊抗兔抗体为荧光探针,建立了一种测定雌三醇的量子点标记的荧光免疫分析新方法.方法测定雌三醇的线性范围为0.01～10 000μg/L;检出限为0.007 5μg/L.此法用于尿液样品的分析,并利用高效液相色谱法进行对照,测定结果一致。     

高速相干光通信系统中的自适应步长恒模算法

对于高速光通信系统中的相干检测来说,盲均衡是一项常用的恢复传输符号的技术。目前应用最广泛的盲均衡算法是恒模算法,但是一方面它不能兼顾收敛速度和收敛精度,另一方面在偏分复用系统中很容易陷入奇异性。因此提出了一种改进型的恒模算法———自适应步长恒模算法,并在112Gb/s偏分复用16进制正交幅度调制系统中对提出的算法进行了测试。与传统的恒模算法相比,改进后的算法收敛速度仅为恒模算法的1/20;收敛稳定后误差函数的方差比恒模算法降低了0.7dB;对偏分复用系统中的奇异性有很好的抵抗能力;在不考虑奇异性问题时,光信噪比代价与恒模算法相比降低了1.5dB。     

LaP3O9∶Eu3+荧光粉的制备及发光性能研究

以La2O3、Eu2O3和(NaPO3)6为原料,采用共沉淀法制备了LaP3O9∶Eu3+荧光粉,并对其发光性能进行了分析。结果表明:该荧光粉的最强吸收峰位于391 nm处;两个发射峰分别位于587 nm和616 nm处,且两峰发光强度相近,说明Eu3+在LaP3O9∶Eu3+晶体场中处于具有非反演中心对称的格位;与LaPO4∶Eu3+荧光粉相比LaP3O9∶Eu3+发出的红光色饱和度更高;Eu3+在LaP3O9∶Eu3+晶体荧光粉中的掺杂浓度为8at%时,发光强度最大。