PVDF/ZrO_2杂化膜的制备及吸附牛血红蛋白的性能

将3-氨丙基三乙氧基硅烷(APTES)表面修饰的ZrO2纳米颗粒添加到聚偏氟乙烯(PVDF)铸膜液中制备了PVDF/ZrO2杂化膜,应用SEM,TG-DTA和XRD对其结构进行了表征.结果表明,ZrO2纳米颗粒沉积在PVDF膜孔内和膜表面;ZrO2的掺杂改变了PVDF膜孔径的大小,杂化膜的孔径随着ZrO2粒子负载量的增加而增大.对牛血红蛋白(BHb)的吸附实验结果表明,PVDF/ZrO2杂化膜对BHb的吸附量显著高于PVDF原膜,当BHb初始浓度为150μg/mL,pH=7,吸附时间为45 min时,PVDF/ZrO2杂化膜的平衡吸附量为0.181 mg/cm2.其吸附动力学符合一级动力学模型;吸附等温线符合Langmuir等温方程式.     

知识、能力、素养融合的现代表征方法与技术研究生课程建设

主要介绍本校研究生课程现代表征方法与技术的改革和实践,包括科学设计课程知识体系的架构,将多种现代表征技术基于研究目的分类介绍其原理和应用;融合PBL教学模式开发讨论式课堂,让学生掌握现代表征技术的实际应用,为科学研究服务的同时,提升研究生发现问题、解决问题的能力;深入挖掘课程思政元素,从文化自信、民族自豪感、工匠素养的培养视角,将素质教育融入专业知识的传授过程,充分发挥课程教学的育人功能。     

掺铕ATO纳米粉体的制备及表征

采用化学共沉淀法制备了掺杂稀土铕的ATO纳米粉体。运用X射线衍射(XRD)、扫描电镜(SEM)等测试方法对ATO粉体进行表征,研究了制备工艺对粉体粒径和导电性能的影响,发现铕的摩尔掺杂比在0.5%～1%之间,600～700℃热处理温度下得到粉体的性能最佳,粉体的电阻率为243Ω.cm,颗粒尺寸为33.6 nm。掺杂前粉体的电阻率和颗粒尺寸分别为181Ω.cm和41.4 nm,掺杂后分别为243Ω.cm和33.6 nm。结果显示掺杂铕会使粉体的电阻率增加,但也能降低粒径,减少团聚。     

纳米材料制备技术在化学综合实验课程中的应用

在应用化学等专业的化学综合实验课程中,开设24学时的综合实验项目＂金属氧化物无机纳米材料的合成、表征和性能研究＂,使学生了解纳米材料的化学制备方法及化学性能检测技术。介绍了该实验的开设背景,教学目的,教学内容及教学效果。     

裂解气相色谱-质谱法对黄芩浸膏热裂解产物分析

采用热失重分析法(TGA)和在线热裂解气相色谱-质谱法(Py-GC-MS)研究了黄芩浸膏热裂解性质。在氦气氛围中,将黄芩浸膏分别在300,450,600,750,900℃下进行热裂解,并以气相色谱-质谱法对其裂解产物进行定性和半定量分析,并用黄芩浸膏进行了卷烟加香试验。结果表明:①在热失重曲线图中不能较明显地看出黄芩浸膏的较大失重点;②黄芩浸膏在上述温度下检测到的主要挥发性热裂解产物分别为12,18,28,42,40种;③600℃以下,黄芩浸膏热裂解产物主要是醛类、酮类、酯类和呋喃类物质;有害物质的量随着温度的升高而提高;900℃时,则主要为苯、甲苯、萘等有害成分;④黄芩浸膏具有提高卷烟香气质量、改善余味、柔和烟气的作用。     

高效液相色谱法测定蛋制品中三聚氰胺

三聚氰胺简称三胺,又叫蜜胺、三聚氰酰胺,低毒,是一种重要的氮杂环有机化工原料。主要用于生产三聚氰胺-甲醛树脂,广泛应用于塑料、涂料、造纸、木材加工、医药和电器等工业。动物试验结果表     

Growth and characterization of GaAs/InxGa1-xAs/GaAs axial nanowire heterostructures with symmetrical heterointerfaces

We report on the Au-assisted vapour-liquid-solid （VLS） growth of GaAs/InxGal xAs/GaAs （0.2 ≤ x ≤1） axial double-heterostructure nanowires on GaAs （ 111 ） B substrates via the metal-organic chemical vapor deposition （MOCVD） technique. The influence of the indium （In） content in an Au particle on the morphology of nanowires is investigated systematically. A short period of pre-introduced In precursor before the growth of InxGal xAs segment, coupled with a group III precursor interruption, is conducive to obtaining symmetrical heterointerfaces as well as the desired In/Ga ratio in the InxGa1-xAs section. The nanowire morphology, such as kinking and tapering, are thought to be related to the In composition in the catalyst alloy as well as the VLS growth mechanism.     

多波长飞秒激光激发下GaAs纳米线SHG特性研究

本文基于有限元法研究了直立生长于GaAs衬底的GaAs纳米线的光场响应和光场增强性质. 实验使用多个波长的飞秒激光脉冲激发GaAs纳米线, 测得了较高效率的二次谐波信号, 并首次使用宽带超连续飞秒脉冲 (1000–1300 nm) 在纳米线上获取了宽带、无杂散荧光噪声的二次谐波信号. 这种高效的二次谐波产生过程主要归因于纳米结构引起的局域场增强效应. 本文阐明了GaAs纳米线的二次谐波倍频特性, 这些结果对于其在纳米光学中的光器件、 光集成等领域的进一步研究和实际应用具有很好的参考价值. 关键词： GaAs纳米线 二次谐波 飞秒激光     

高非线性微结构光纤中基于受激布里渊散射的慢光延迟

全光连续可调的慢光技术在全光网络和光信息处理等领域具有重要的应用前景. 利用自行设计并拉制的高非线性微结构光纤, 实验研究了基于受激布里渊散射的可调谐慢光延迟. 采用单抽运光和单级延迟方案, 当抽运光功率为162.6 mW时, 在长度为120 m的高非线性微结构光纤中获得了最大76 ns的延迟量, 相当于0.76个脉冲宽度. 通过调节抽运光功率的大小, 可以实现对慢光延迟量的可调谐.该慢光延迟方案具有延迟量大、 全光可调谐及与现有光通信系统兼容等优势. 关键词： 慢光 微结构光纤 受激布里渊散射     

新一代白光LED照明用一种适于近紫外光激发的单一白光荧光粉

首次报道单一Sr2MgSiO5：Eu^2 材料的白光发射性质。发射光谱由两个谱带组成,分别位于470,570nm处,并具有不同的荧光寿命,归结为处于不同格位上的二价铕离子的发射,它们混合成白光。这两个发射带所对应的激发光谱均分布在250～450nm的紫外区,利用该荧光粉和具有400nm近紫外光发射的InGaN管芯制成了白光LED。正向驱动电流为20mA时,色温为5664K;发光色坐标为x=0．33,y=0．34;显色指数为85％;光强达8100cd／m^2。实验表明,器件的色坐标和显色指数等参数随正向驱动电流的变化起伏量小于5％,优于目前商用的蓝光管芯泵浦白光LED,报道的单一白光荧光粉在新一代白光LED照明领域具有广阔的应用前景。