PECVD纳米晶粒硅薄膜的可见电致发光

在用等离子体增强化学汽相淀积的嵌有纳米晶粒硅薄膜中观测到电致发光．发光谱处在500—800nm之间，它有两个分别位于630—680nm和730nm附近的峰，两个峰的强度与薄膜的电导率有密切关系．根据这种材料的结构特性对载流子的传导通道进行了讨论，并且对发光机制进行了初步解释 关键词：     

氢化非晶硅激光结晶温场控制模型

氢化非晶硅在低速激光扫描下,可以得到四个结晶区,即微晶区,固相结晶区,过冷液相结晶区和液相激光结晶区。对氢化非晶硅激光结晶提出了一种温场控制模型,可用以解释结晶特点,揭示结晶过程。 关键词：     

嵌入硅基多孔氧化铝中的荧光染料的发光性质研究

3种不同的荧光染料被分别嵌入硅基多孔氧化铝模板中,并且在室温下得到了蓝光、绿光和红光波长的荧光发射.实验中同时观测到上述荧光光谱的蓝移现象.研究结果表明,荧光染料沉积在不同的模板(如硅基多孔氧化铝、多孔硅)中,其相互作用的机理是不同的.模板发光机制的差异将直接影响荧光染料的发光性质.     

VIOLET LIGHT-EMISSION FROM Ge+-IMPLANTED SiO2 FILMS ON Si SUBSTRATE

Germanium ions were implanted into SiO₂ films which were thermally grown on crystalline Si at an energy of 60 keV and with doses of 1×10¹⁵ and 1×10¹⁶ cm^-2.Under an ultraviolet excitation of ～5.0 eV,the implanted f ilms annealed at various temperatures exhibit intense violet luminescence with a peak at 396 nm.It is ascribed to the T₁→S₀ transition in GeO,which was formed during implantation and annealing process.     

用等离子体增强化学汽相沉积方法制备纳米晶粒硅薄膜光致发光

报道用高氢稀释硅烷为反应气源，用等高子体增强化学汽相沉积（ＰＥＣＶＤ）方法淀积的含有纳米晶粒硅薄膜，未经任何后处理过程，在室温下观察到可见光致发光。将此光发射归因于纳米硅晶粒中的光生载流子在量子尺寸效应下所产生的光子能量高于硅单晶本体能隙，还对发光具有重要影响的一些淀积参数进行了研究。 关键词：     

发光多孔硅

 一、引言:1990年Canham报道,室温下多孔硅有很强的光荧光现象,发光波长在可见光范围,肉眼可见。这一发现在科技界引起了极大的反响,大批科技人员蜂拥而上投入研究。     

多孔硅荧光皮秒衰减测量与发光机理分析

荧光光谱、荧光皮秒衰减和红外光谱测量表明,自然氧化多孔硅中有两种不同的发光机理并存,一种是由量子限制效应所决定的,另一种是由氧化引入的发光机理。 关键词：     

自然氧化引起的多孔硅光致发光光谱移动问题

多孔硅发光是激发电子通过表面态间接的复合过程。自然氧化引入新的表面态，改变了表面态的分布，从而引起了多孔硅光致发光光谱的移动。 关键词：     

纳米MEH-PPV阵列的光致发光

以多孔氧化铝为模板,将可溶性发光聚合物聚（2-甲氧基-5-（2’-乙基己氧基）-1,4-对苯乙炔）（MEH-PPV）镶嵌在纳米孔中,制备出高发光效率的纳米发光聚合物阵列,其光学特性与MEH-PPV薄膜显著不同。纳米孔内的MEH-PPV分子链形成链束,链束中的分子链数目依赖于制备纳米MEH-PPV阵列所用溶液的浓度。相对于稀溶液,在由浓溶液制备的纳米MEH-PPV阵列中,MEH—PPV链束的分子链数目较多,链间作用使MEH-PPV的能带展宽,能隙减小,因而浓溶液获得的纳米MEH—PPV阵列的光致发光峰红移。热处理纳米MEH-PPV阵列的PL谱表明,纳米孔内的聚合物分子链的弛豫运动受到限制。