HL-1装置石墨孔栏杂质收集探针的俄歇电子能谱及孔栏表面分析

在HL-1装置的输样机构上安放了硅收集探针。经过55次高功率托卡马克放电辐照后,对于因石墨孔栏被腐蚀而溅射蒸发,并沉积在硅收集探针上的杂质涂层进行了俄歇电子能谱(AES)分析,获得无主动冷却石墨孔栏被腐蚀而溅射蒸发出来的碳杂质流通量约为8×10~(13)cm~(-2)·S~(-1),金属重杂质镍和铬较GH39高镍钢孔栏时降低44％左右。     

撕裂模实时主动控制系统

在HL-2A装置上发展了一套撕裂模实时主动控制系统。该系统在放电期间用电子回旋发射/软X射线诊断实时确定撕裂模的几何位置,结合实时剖面重建和电子回旋波沉积计算,得到电子回旋波反射镜的控制角度值。通过电机实时驱动电子回旋波反射镜到达指定角度,使得电子回旋波功率沉积在撕裂模的有理磁面附近,改变当地局部的电流剖面,从而控制撕裂模,改善等离子体约束。该系统已经在2015年以后的实验中投入使用,并取得了良好的控制效果。它不仅能够实时发现并控制经典撕裂模,并且具有控制新经典撕裂模的潜力。     

Density and impurity profile behaviours in HL-2A tokamak with different gas fuelling methods

The electron density profile peaking and the impurity accumulation in the HL-2A tokamak plasma are observed when three kinds of fuelling methods are separately used at different fuelling particle locations. The density profile becomes more peaked when the line-averaged electron density approaches the Greenwald density limit n_G and, consequently, impurity accumulation is often observed. A linear increase regime in the density range n_e< 0.6n_G and a saturation regime in n_e > 0.6n_G are obtained. There is no significant difference in achieved density peaking factor f_ne between the supersonic molecular beam injection (SMBI) and gas puffing into the plasma main chamber. However, the achieved f_ne is relatively low, in particular, in the case of density below 0.7n_G, when the working gas is puffed into the divertor chamber. A discharge with a density as high as 1.2n_G, i.e. n_e = 1.2n_G, can be achieved by SMBI just after siliconization as a wall conditioning. The metallic impurities, such as iron and chromium, also increase remarkably when the impurity accumulation happens. The mechanism behind the density peaking and impurity accumulation is studied by investigating both the density peaking factor versus the effective collisionality and the radiation peaking versus density peaking.     

HL-2A等离子体边缘的快速单探针测量

介绍了对HL-2A装置中平面边缘等离子体的单探针测量。单探针是安装在可径向移动、并可绕轴旋 转360o的传动杆上的。在1MHz的快速采样频率下,测量了主等离子体边缘的温度、密度、悬浮电位、空间电位、极 向等离子体流速的径向分布。测量的结果表明,利用单探针测量的主等离子体边缘参数与朗缪尔四探针测量结果 基本一致。     

HL-2A 装置的边缘参数测量

HL-2A 装置中平面边缘的等离子体特性通过磁力传动的马赫/ 雷诺协强/ 朗缪尔10 探针组进行了研究。10 探针组安装在可径向向里和向外移动, 并可绕轴旋转360^o 的传动杆上, 用于测量主等离子体边缘的温度、密度、悬浮电位、空间电位、径向和极向电场、湍流的雷诺协强、径向和极向等离子体流速及其径向分布。HL- 2A 装置的实验结果表明, 边缘等离子体扰动诱发的雷诺协强产生了边缘极向流; 雷诺协强的径向梯度驱动带状流抑制了湍流输运。     

HL-2A偏滤器运行模式的探针测量

在HL-2A装置的偏滤器位形运行模式下,用偏滤器靶板上的平面型嵌入式静电探针阵列测量了同一环截面的内外和上下四个中性化板上的电子温度、密度、悬浮电位分布。偏滤器运行模式下的边缘电子温度高于孔栏运行模式下的边缘的电子温度。比较了内外靶板之间的温度不对称性。给出了由18个米尔诺夫线圈信号重建获得的磁分界面,并用强磁场快速电离规测量了偏滤器室的中性气体压强变化。测量结果表明,在偏滤器运行模式下,主真空室中边缘粒子再循环降低,杂质通量水平下降。     

HL-2A装置快速扫描气动探针的研制和运用

快速扫描气动探针已在HL- 2A 装置上用于对边缘等离子体参数的径向分布的测量, 特别是刮离层等离子体参数的特征长度和扰动的测量。该系统采用精密的气动气缸驱动带有探针组件的长驱动杆, 其最快速度可在60 ms 时间内水平扫描8 cm 的距离。探针信号测量具有1MHz 的快速时间响应和0. 04 mm 的空间分辨率。可靠地测量了HL- 2A 装置边缘电子温度和密度的时空分布。     

HL—1M装置LHCD和ECRH实验的边缘流速和电场测量

在聚变装置中等离子体边界条件对整个等离子体约束性能的影响是非常敏感的。L－H模转换机制与边界径向电场Er,Er的梯度及极向旋转速度等参数密切相关。同时,边缘等离子体的径向输运与边缘极向电场Eθ的变化有关。在HL－1M装置中利用低杂波（LHW）注入和电子回旋加热（ECRH）实验,观测边缘等离子体流速和电场的径向分布和变化来研究改善约束性能与Eθ、Er,dEr/dr及边界涨落的关系。     

HL-2A装置偏滤器室中性气体压强的初步研究

HL-2A装置上首次实现了偏滤器位形放电。采用专门研制的可在强磁场和强噪声环境下工作的快响应真空电离规对偏滤器室内的中性气体压强进行了测量,给出了HL-2A装置偏滤器有关结构的基础数据。初步研究了偏滤器位形和孔栏位形放电期间偏滤器室中性气体压强的特性。     

真空中激光束对金属表面的作用

一、引 言 在聚变装置真空室里由于等离子体与第一壁表面相互作用,使得器壁局部过热蒸发产生杂质气体,如H_2O,CO,CH_4,C等。这些气体在托卡马克装置放电期间将会导致等离子体能量损失,另外还涉及氢的再循环问题。研究这些现象可以了解托卡马克装置真空室第一壁上吸附气体层的组分及相对含量,以改善真空室的边界条件,进一步减少等离子体能量损失。